氮化镓快充芯片U860X概述和特性

U860X氮化镓快充芯片系列在原有的U8607、U8608基础上，升级增加U8609料号，同时具备了输入欠压及软入过压保护功能，有需求的小伙伴赶紧看过来！

氮化镓快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U860X采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。U860X集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。

氮化镓快充芯片U860X主要特性：

原边反馈控制，无需光耦和 TL431

集成 700V GaN FET 驱动

集成高压启动功能

谷底锁定 QR 模式

最高工作频率 130kHz

外置环路补偿

驱动电流分档配置

内置线损补偿

集成完善的保护功能

输出短路保护 (FB SLP)

输出过压保护 (FB OVP)

输入欠压保护 (Line BOP)

输入过压保护 (Line OVP)

过温保护 (OTP)

VDD 过欠压保护和钳位保护

封装形式 DASOP-7

氮化镓快充芯片U860X通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY (典型值 80ms)，计时结束后触发Line BOP保护。如果母线电压超过LineBOP恢复阈值VBOP_RE (典型值 77Vac)，芯片将重新启动。当母线电压值高于Line OVP保护阈值VOVP (典型值 305Vac)时，芯片内部的Line OVP延迟计时使能，计时时间为TOVP_DELAY (典型值10000周期)，计时结束后触发Line OVP保护。如果母线电压低于Line OVP恢复阈值VOVP_RE (典型值 295Vac)，芯片将重新启动。