0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

HF/HNO3和氢氧化钾溶液中深湿蚀刻对硅表面质量的影响

华林科纳半导体设备制造 来源:华林科纳半导体设备制造 作者:华林科纳半导体设 2022-02-24 16:26 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

引言

抛光液中的污染物和表面划痕、挖掘和亚表面损伤(固态硬盘)等缺陷是激光损伤的主要前兆。我们提出了在抛光后使用HF/HNO3或KOH溶液进行深度湿法蚀刻,以提高熔融石英光学器件在351 nm波长下的抗激光损伤能力。这种比较是在高损伤阈值抛光熔融石英光学器件上设计的划痕上进行的。我们证明氢氧化钾和氢氟酸/硝酸溶液都能有效钝化划痕,从而提高其损伤阈值,达到抛光表面的水平。还研究了这些湿蚀刻对表面粗糙度和外观的影响。我们表明,在测试条件下,氢氧化钾溶液显示出比氢氟酸/硝酸溶液更好的整体表面质量。

实验

我们使用六个熔融石英样品,采用优化的研磨工艺制造,减少了表面下的损伤,随后进行预抛光和超抛光。因此,它们在紫外光下具有高的初始LIDT。然后用图1和2中总结的两种方案制备两批三个样品。第一批(命名为样品A1至A3)用于抛光表面表征,而第二批(命名为样品B1至B3)用于划痕表征。所以第二批需要中间步骤来制造划痕并显示出来。划痕是使用单面抛光机抛光造成的。抛光为30龙敏,浆料由胶体二氧化硅中的氧化铈颗粒组成。为了去除抛光层并露出划痕,在室温下用氢氟酸HF(2.7重量%)和硝酸HNO 3(22.8重量%)的混合物对这些样品进行轻度湿法蚀刻(2米深),系统如图3所示。这两批样品在自动洗衣机中清洗。在60℃下使用碱性洗涤剂洗涤,然后漂洗,在40℃下使用酸性洗涤剂第二次洗涤,并以几个漂洗步骤结束。

pYYBAGIXQOCADIdxAACSMblxhvA877.png

结果和讨论

样品A组:蚀刻表面

使用相同的照明和检测条件,通过缺陷映射系统(DMS)获得的表面特征如图5所示。样品中心和顶部的亮点是为了用作基准而特意制作的凹痕。蚀刻前,样品表面质量相当,只有很少的局部划痕和划痕。蚀刻后,用氢氧化钾处理的表面没有真正改变,而用氢氟酸/硝酸蚀刻的表面完全转变。在氢氧化钾样品上,可以在图的顶部和底部看到一些标记。我们已经能够用手动乙醇擦拭去除这些白色痕迹。因此,这些标记是由蚀刻后的清洗步骤造成的。相反,用HF/HNO3蚀刻的样品表面上观察到的缺陷不能通过手动清洗去除。酸蚀在整个表面产生均匀的散射雾状。然而,如果没有DMS或高功率照明,很难观察到这种雾霾。

蚀刻后立即进行表面自由能测量。用氢氟酸/硝酸溶液处理的表面显示出56 mN/m的表面自由能,而用氢氧化钾溶液处理的表面自由能为64 mN/m。抛光的熔融石英的表面自由能约为30 mN/m,因此蚀刻是改善熔融石英表面润湿性的有效方法,特别是使用碱性溶液时。较高的表面自由能对应于玻璃表面和接触液体之间较好的化学亲和力。

图8证明在两个样品表面都存在氧化碳键,如碳-一氧化碳、碳-氧和碳=氧。还检测到一些羧酸官能团COOH和酯官能团COOR。与HF/HNO3溶液相比,这些碳高分辨率XPS光谱显示用KOH溶液蚀刻后表面上氧化碳键的含量更高。

样品B组:蚀刻划痕

在通过抛光产生划痕之后,在去除贝比层(2米蚀刻)之后以及在深度蚀刻之后,用DMS评估划痕的数量。使用相同的照明和检测条件在图9中呈现图像。2米的光蚀刻是必要的,以揭示大部分划痕。事实上,我们在刮擦过程中产生的大部分划痕都嵌入了贝比层(使用了铈和硅胶的混合物)。因此,光湿蚀刻是必要的计数和测量。这种2米的湿法蚀刻还显示了所有样品上的谨慎雾度。用氢氟酸/硝酸溶液进行深度蚀刻后,雾度变得更差。相反,氢氧化钾蚀刻去除了雾度,使表面没有缺陷,完全透明。

poYBAGIXQOeAI5r4AAC2xmil7lY275.png

用光学显微镜研究了样品B2和B3去除贝比层和深腐蚀后的划痕形貌。氢氟酸/硝酸和氢氧化钾蚀刻之间没有明显的形态差异。在氢氟酸/硝酸和氢氧化钾蚀刻后,划痕显示出相同的宽度和外观。图10显示了在我们的样品上观察到的典型形态。在大多数情况下,划痕是脆而连续的。

无论使用何种蚀刻溶液,在深度蚀刻后,划痕的抗激光损伤性都得到了极大的提高。在用基本解决方案蚀刻的划痕上没有产生损伤位置,因此由蓝色三角形表示的概率为零。在这种情况下,误差线是不可计算的,固定在14%。在用酸溶液蚀刻的划痕上,在总共46个被照射的位置上,仅出现了三个损伤位置。图11(绿钻石)中表示的概率是用前面解释的数据处理从这三个损伤位置计算出来的。

图11显示划痕的LIDT也在20 J/cm2左右。激光损伤测试也在没有用相同化学溶液和条件蚀刻的缺陷的表面上进行。这些测试显示,在深度蚀刻之后,表面的抗激光损伤性既没有改善也没有恶化。此外,表面LIDT约为20 J/cm2。我们的结论是,深蚀刻对没有缺陷的表面的LIDT没有影响,但它是钝化划痕的有效技术。

pYYBAGIXQPCAaOpxAACN_XQ8VG0525.png

深度蚀刻显著提高了激光诱导的划痕损伤阈值。它们的LIDT受到基质的LIDT的限制,这种影响是通过两种化学溶液获得的。这种由于蚀刻引起的划痕LIDT的大幅度改善也在以前用BOE溶液进行的研究中观察到。方法证明蚀刻越深,划痕的LIDT越高。在紫外光和纳秒脉冲激光下,由于使用类似的湿法蚀刻溶液进行了20 m深的蚀刻,划痕的从5 J/cm2增加到12 J/cm2。划痕是用球形压头在熔融石英表面滑动产生的。这些研究表明蚀刻对几种划痕形态有有益的影响。在我们的案例中,也观察到划痕的LIDT改善。此外,我们证明了用氢氧化钾溶液进行蚀刻在抗激光损伤划痕方面也有类似的好处。先前的一项研究显示,抛光引起的污染被检测到,直到1米深的划痕,因此深度蚀刻完全去除了划痕中的污染。

总结

我们测试了氢氧化钾溶液作为氟化氢溶液的替代品,用于熔融石英光学器件的深度蚀刻操作。对于熔融石英光学器件的抗激光损伤性,尤其是抗紫外线光学器件的薄弱环节划痕,氢氧化钾溶液的效果与氢氟酸溶液一样好。但是,在我们比较的实验条件下,两种溶液之间存在显著差异:表面质量,就粗糙度和外观而言,没有被KOH溶液劣化,相反,被HF溶液劣化。表面自由能结果和XPS测量使我们相信这种表面形态差异可能是由于表面反应性,但需要补充分析来更精确地理解化学反应。最后,考虑到与使用HF基溶液相比,使用OH基溶液可以获得更高的安全条件,我们认为OH深度湿法蚀刻是制造高功率激光设备的熔融石英紫外光学器件的一种有前途的技术。

审核编辑:符乾江

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 蚀刻
    +关注

    关注

    10

    文章

    428

    浏览量

    16464
  • 硅材料
    +关注

    关注

    0

    文章

    47

    浏览量

    8393
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    能耗降低90%,废旧锂电池氢氧化锂直接回收技术突破

    ,还会产生大量酸性废水和有害气体,且回收产物多为碳酸锂,需额外加工才能转化为电池制造所需的氢氧化锂,严重制约了产业的可持续发展。   在此背景下,美国莱斯大学团队于近期在《焦耳》(Joule)杂志发表的最新研究成果,为这一
    的头像 发表于 11-30 05:41 3667次阅读

    湿法蚀刻的最佳刻蚀条件是什么

    湿法蚀刻的最佳刻蚀条件需综合溶液体系、温度控制、时间管理及材料特性等因素,具体如下: 溶液体系与浓度 氢氟酸缓冲体系(BOE):采用HF:NH₄F:H₂O=6:1:1的体积比配置,pH
    的头像 发表于 11-11 10:28 158次阅读

    硅片酸洗过程的化学原理是什么

    硅片酸洗过程的化学原理主要基于酸与硅片表面杂质之间的化学反应,通过特定的酸性溶液溶解或络合去除污染物。以下是其核心机制及典型反应:氢氟酸(HF)对氧化层的腐蚀作用反应机理:
    的头像 发表于 10-21 14:39 286次阅读
    硅片酸洗过程的化学原理是什么

    晶圆蚀刻用得到硝酸钠溶液

    晶圆蚀刻过程中确实可能用到硝酸钠溶液,但其应用场景较为特定且需严格控制条件。以下是具体分析:潜在作用机制氧化性辅助清洁:在酸性环境(如与氢氟酸或硫酸混合),硝酸钠释放的NO₃⁻离子可
    的头像 发表于 10-14 13:08 150次阅读
    晶圆<b class='flag-5'>蚀刻</b>用得到硝酸钠<b class='flag-5'>溶液</b>

    如何优化碳化硅清洗工艺

    ₂)、石墨化残留物及金属杂质,开发多组分混合酸液体系。例如,采用HF/HNO₃/HAc缓冲溶液实现各向同性蚀刻,既能有效去除损伤层又不引入表面
    的头像 发表于 09-08 13:14 509次阅读
    如何优化碳化硅清洗工艺

    湿法腐蚀工艺处理硅片的原理介绍

    的F⁻离子会与原子形成可溶性的络合物SiF₆²⁻,使基质逐渐分解进入溶液。硝酸(HNO₃)作为氧化剂则加速这一过程,通过提供额外的空穴载
    的头像 发表于 09-02 11:45 731次阅读
    湿法腐蚀工艺处理硅片的原理介绍

    超声辅助车削工艺下的表面质量研究:C45碳钢与201不锈钢的对比分析

    在现代机械加工领域,超声波辅助车削技术(CUAT)作为一种创新的加工方法,正逐渐成为提高加工效率、降低刀具磨损以及改善表面质量的重要手段。通过将超声波振动引入传统车削工艺,CUAT不仅能够实现间歇
    的头像 发表于 08-05 17:51 791次阅读
    超声辅助车削工艺下的<b class='flag-5'>表面质量</b>研究:C45碳钢与201不锈钢的对比分析

    湿法清洗过程如何防止污染物再沉积

    通入微量阴离子表面活性剂,利用同种电荷相斥原理阻止带电颗粒重返表面。此方法对去除碱性环境的金属氢氧化物特别有效。
    的头像 发表于 08-05 11:47 584次阅读
    湿法清洗过程<b class='flag-5'>中</b>如何防止污染物再沉积

    湿法刻蚀的主要影响因素一览

    湿法刻蚀是半导体制造的关键工艺,其效果受多种因素影响。以下是主要影响因素及详细分析:1.化学试剂性质与浓度•种类选择根据被刻蚀材料的化学活性匹配特定溶液(如HF用于SiO₂、KOH用于
    的头像 发表于 08-04 14:59 1310次阅读
    湿法刻蚀的主要影响因素一览

    快速解决氧化皮问题提高产品表面质量

    自动化
    力泰智能科技
    发布于 :2025年06月16日 13:55:42

    主流氧化工艺方法详解

    在集成电路制造工艺氧化工艺也是很关键的一环。通过在晶圆表面形成二氧化硅(SiO₂)薄膜,不仅可以实现对
    的头像 发表于 06-12 10:23 1919次阅读
    主流<b class='flag-5'>氧化</b>工艺方法详解

    半导体表面氧化处理:必要性、原理与应用

    半导体作为现代电子工业的核心材料,其表面性质对器件性能有着决定性影响。表面氧化处理作为半导体制造工艺的关键环节,通过在
    的头像 发表于 05-30 11:09 1527次阅读
    半导体<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>表面</b><b class='flag-5'>氧化</b>处理:必要性、原理与应用

    半导体boe刻蚀技术介绍

    半导体BOE(Buffered Oxide Etchant,缓冲氧化蚀刻液)刻蚀技术是半导体制造中用于去除晶圆表面氧化层的关键工艺,尤其在微结构加工、
    的头像 发表于 04-28 17:17 4884次阅读

    京朗仕特氢氧化钙化验设备检测方法升级了

    生活我们经常会看到氢氧化钙的影子,它的应用是非常广泛的,能够应用在建筑、医疗、化工产品生产等多个领域,能够满足不同行业和领域的需求,从而让具有多种功能的氢氧化钙适应不同场景使用要求。而今天我们说
    的头像 发表于 04-01 16:38 473次阅读
    京朗仕特<b class='flag-5'>氢氧化</b>钙化验设备检测方法升级了

    芯片湿法蚀刻工艺

    芯片湿法蚀刻工艺是一种在半导体制造中使用的关键技术,主要用于通过化学溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 湿法蚀刻是一种将硅片浸入特定的化学溶液
    的头像 发表于 12-27 11:12 1433次阅读