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电子发烧友网>今日头条>硅在氢氧化钾水溶液中的刻蚀机理

硅在氢氧化钾水溶液中的刻蚀机理

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图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中,刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步,用于去除光刻胶(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816

半导体前端工艺:刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形

在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177

为什么氮化镓比更好?

器件层面,根据实际情况而言,归一化导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)乘积得出的优值系数,氮化镓比好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径,氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16

氢氧化铝吨袋破袋机 山东吨包拆袋系统供应

自动化
山东伟豪思智能装备发布于 2023-06-14 15:12:34

重点阐述湿法刻蚀

光刻工艺后,在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形,下一步就是刻蚀
2023-06-08 10:52:353320

晶片湿法刻蚀方法

硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597

金属湿法刻蚀

但是,HCl为基体的刻蚀溶液,会严重地侵蚀Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe,使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体,而且对Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

AMT-CL301型在线二氧化氯变送器

AMT-CL301型在线二氧化氯变送器是带微处理器的水质在线监测控制仪。通过二氧化氯电极对水溶液中的二氧化氯值及温度值进行连续监测和控制。 特征 点阵液晶屏显示; 中/英文智能菜单操作; 多种信号
2023-05-23 14:07:04138

基于光子纤维素纳米晶的柔性汗液传感器

团队发展了一种制造不溶性CNC基水凝胶的简单且有效的方法,利用分子间氢键重构,热脱水使优化的CNC复合光子膜在水溶液中形成一个稳定的水凝胶网络。
2023-05-15 17:03:32136

半导体图案化工艺流程之刻蚀简析

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073

氢氧化锂深度补跌,寻找成本平衡点

高镍三元正极材料生产中需要更低的烧结温度,所以必须使用熔点较低的氢氧化锂提供锂源。而其它正极材料中,包括中低镍三元、磷酸铁锂、钴酸锂、锰酸锂则主要使用熔点高的碳酸锂。
2023-04-24 14:23:082297

《炬丰科技-半导体工艺》 HQ2和HF溶液循环处理  

的粗糙度大大增加,这将导致质量文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁差栅氧化层击穿性能。 SC-1清洗后的硅片粗糙度降低,采用双氧水溶液和氢氟酸溶液循环处理,而不是只用hf清洗。 介绍   硅超大规模集成电路技术要求超净硅表面具有特征,即无污染物、无氧化物、
2023-04-19 10:01:00129

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922

氢氧化铝管链式输送机 无尘水平管链机设备

自动化
山东伟豪思智能装备发布于 2023-04-11 16:00:26

光耦MOC3063驱动可控

如图所示:1.单片机给IO口发送一个高电平后光耦3063会立即导通还是交流电压的过零点导通2.如果光耦输入电压的过零点导通,是否可以认为可控两端的电压为零,此时可控不导通,那如果是这样请问这个电路可控是何时导通的,又是和是关断的 。导通是可控T2和G极之间的电压为多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半导体行业之刻蚀工艺介绍

金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制,防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题,因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中,在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层,然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198

氢氧化钙自动拆包机器人 粉料管链式输送机应用

机器人
博阳13306367523发布于 2023-04-03 15:39:52

单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作,这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺,如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459

0433BM15A0001E

高频陶瓷溶液
2023-03-28 18:21:12

《Small》:新型原位硒化和单原子稳定的异质结构催化剂!

基于此,印度理工学院和韩国科学技术研究所的研究团队介绍了一种通过混合金属氧化物/氢氧化物的硒化实现的边缘取向硒化钼(MoSe2)和镍钴硒化物(NiCo2Se4)的异质结构。所开发的片上片异质结构
2023-03-23 10:39:14630

为什么直流稳压电源不选可控降压电路呢?

为什么直流稳压电源,不选可控降压电路,而选择降压变压器呢?
2023-03-23 09:48:42

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