的 FM25V10 1 - Mbit 串行（SPI）F - RAM 芯片，看看它在众多存储器中脱颖而出的原因。 文件下载： FM25VN10-G.pdf 芯片概述 FM25V10 是一款采用先进铁电工
2026-01-04 17:25:09
367 概述 M24SR64 - Y属于ST25系列，该系列涵盖了意法半导体（STMicroelectronics）的所有NFC/RFID标签和读取器产品。M24SR64 - Y是一款具有双接口的
2025-12-29 18:10:25988 ： M24SR64-YMN6T 2.pdf 一、M24SR64-Y概述 M24SR64-Y属于ST25家族，该家族涵盖了意法半导体（STMicroelectronics）的所有NFC/RFID标
2025-12-29 15:05:0286 ： M24LR64E-RMC6T 2.pdf 一、M24LR64E - R概述 M24LR64E - R是一款具有双接口的电可擦除可编程存储器
2025-12-28 14:40:0696 容量
–64K 字节FLASH，数据保持25年@85℃
–8K 字节RAM，支持奇偶校验
–128字节OTP存储器
• CRC 硬件计算单元
• 复位和电源管理
–低功耗模式（Sleep
2025-12-26 06:51:13
探索DS64MB201：高性能2:1/1:2复用器/缓冲器的设计与应用 在当今高速数据传输的时代，电子工程师们不断寻求着能满足高性能、高速度要求的器件。Texas Instruments
2025-12-24 14:00:03152 片上 FLASH 闪存由两部分物理区域组成：主 FLASH 存储器和启动程序存储器。
1、主 FLASH 存储器，共 64KB，地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。该区
2025-12-23 08:28:04
博雅BOYA 64Mbit NOR Flash BY25Q64ESSIG凭借133MHz高速读取与车规级温度适应性，为车载DVD系统提供快速启动及可靠固件存储。其低功耗设计与10万次擦写寿命保障系统在-40℃~85℃环境下稳定运行，助力提升车载影音设备性能。
2025-12-19 09:53:00153 
M24LR64E-R是一款具有双接口的电可擦除可编程存储器（EEPROM）的动态NFC/RFID标签IC。它集成了I²C接口，可由VCC电源供电，同时也是一款
2025-12-17 16:35:09274 SN65HVD64：AISG开关键控同轴调制解调器收发器的设计与应用 在无线通信设备的有线数据传输领域，调制解调器收发器起着至关重要的作用。今天我们要探讨的是德州仪器（TI）推出的SN65HVD64
2025-12-17 11:00:02304 @85℃
–8K 字节RAM，支持奇偶校验
–128字节OTP存储器
• CRC 硬件计算单元
• 复位和电源管理
–低功耗模式（Sleep，DeepSleep）
–上电和掉电复位（POR/BOR
2025-12-16 07:59:10
概述CW32L052内部集成了64KB嵌入式FLASH供用户使用，可用来存储应用程序和用户数据。
芯片支持对 FLASH 存储器的读、擦除和写操作，支持擦写保护和读保护。
芯片内置 FLASH 编程
2025-12-05 08:22:19
的首选方案。无论是消费电子、工业控制还是物联网设备，都能见到它的身影。一产品概述24C02/24C04/24Cxx系列是基于IIC总线协议的串行电可擦除存储器（E
2025-11-28 18:32:58317 
深入剖析Z80C30/Z85C30 CMOS SCC串行通信控制器 在当今的电子通信领域，串行通信控制器扮演着至关重要的角色。Zilog公司的Z80C30和Z85C30 CMOS SCC
2025-11-26 16:22:05713 
在各类存储设备中，SRAM（静态随机存储器）因其高速、低功耗和高可靠性，被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中，双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计，在高带宽和多任务场景中表现尤为出色，成为提升系统效率的重要组件。
2025-11-25 14:28:44275 安森美 (onsemi) CAT24C64 64Kb I^2^C CMOS串行EEPROM在内部为每个8位安排有8192个字。这些EEPROM具有32字节页面写入缓冲区，并支持标准（100kHz
2025-11-25 10:14:07377 
AFE0064为64通道模拟前端设计，旨在满足基于平面面板探测器的数字X射线系统需求。
该设备包含64个积分器、用于全量量充电选择的PGA、相关双采样器、64个对2复用器以及两个差分输出驱动器。
2025-11-21 11:38:40687 
型号：FZH120C厂商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120C是一种存储器交换LED显示控制的驱动芯片，可以选择多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-21 09:18:03
CW32L010系列产品是基于 eFlash 的单芯片低功耗微控制器，集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字节 SRAM）以及一系列全面的增强型外设和 I/O 口。
2025-11-21 06:40:44
Molex MX64电缆组件设计符合USCAR标准，非常适合用于严苛的汽车应用。MX64系列包括非计数器 (OTC) 电缆组件，设计紧凑，采用IP67雾密封件，可容纳22AWG至18AWG和ISO
2025-11-18 11:36:59459 CW32F030K8T7 是基于 ARM Cortex-M0+ 内核的 32 位微控制器。
内核：ARM Cortex-M0+，最高主频 64MHz，提供高效处理能力。
存储：
程序存储器：最大
2025-11-18 08:03:32
片上FLASH 闪存由两部分物理区域组成：主FLASH 存储器和启动程序存储器。
●● 主 FLASH 存储器，共 64KB，地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。该区
2025-11-12 07:34:35
该ADS58J64是一款低功耗、宽带宽、14位、1-GSPS、四通道、电信接收器设备。该ADS58J64支持数据速率高达 10 Gbps 的 JESD204B 串行接口，每个通道一个通道。缓冲
2025-11-07 18:12:431438 
ADS54J64器件是一款四通道、14位、
1GSPS、模数转换器（ADC），提供宽带宽、2倍过采样和高信噪比。该ADS54J64支持数据速率高达 10 Gbps 的JESD204B串行接口，每个
2025-11-06 14:28:36376 
STMicroelectronics X-NUCLEO-NFC07A1 NFC/RFID标签扩展板是一款用于ST25DV64KC动态NFC/RFID标签的演示和开发平台。ST25DV64K是一种
2025-10-30 15:26:56486 
在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35
2025-10-24 16:36:03532 和0x90000000起始的64k空间范围内时，内核会访问ITCM和DTCM；如果不在上述空间范围内，内核会通过sysmem接口访问外部存储器。这里通过sysmem接口扩展内存空间是简单方便的方法。
2025-10-24 08:12:53
QSPI PSRAM是一种集成了QSPI接口与PSRAM存储功能的高效芯片。QSPI（四线串行外设接口）是一种高速串行通信接口，用于连接外部设备；而PSRAM（伪静态随机存储器）则结合了快速随机访问与动态存储的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被称为"伪静态"存储器，主要是因为其采用类SRAM的接口协议：只需要提供地址和读写命令就可以实现数据存取，无需像传统DRAM一样需要内存控制器定期刷新数据单元。
2025-10-23 14:29:00296 ARDUINO^®^ Uno V3连接和ST morpho接头，可轻松扩展STM32 Nucleo开放式开发平台的功能。该板设有板载ST-LINK调试器/编程器，具有USB重新枚举功能。STM32 nucleo-64开发板随附STM32Cube MCU软件包中提供的STM32全面免费软件库和示例。
2025-10-22 14:26:07603 
STMicroelectronics M24C64-U 64-Kbit串行^I2C^总线EEPROM专为高效可靠的数据存储而设计。该STMicroelectronics EEPROM采用8K×8位
2025-10-15 17:27:32657 
增加。芯天下技术股份有限公司凭借领先的存储技术和丰富的应用经验，倾力推出了 XT25F64F 3.3V Quad I/O 串行闪存产品。本文将详细介绍该产品的核心技术、优势特点、应用场景以及未来的发展趋势，帮助工程师和决策者全面了解这一高性能存储器件。 一、产品概述与背景
2025-10-15 10:40:41382 STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I^2^C总线电子擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 组织为8K x 8位。STMicroelectronics
2025-10-15 09:37:46522 
Microchip Technology AVR64DD32 Curiosity Nano评估套件设计用于评估AVR® DD微控制器。AVR64DD32硬件平台安装有AVR64DD32 MCU
2025-10-13 15:45:39524 
Microchip Technology dsPIC33CK64MC105 Curiosity Nano评估套件是用于评估dsPIC33CK64MC105微控制器的硬件平台。Microchip
2025-10-11 15:19:11477 
Microchip Technology AVR64EA28/32/48 AVR® EA微控制器为AVR CPU配备了以高达20MHz的时钟速度运行的硬件乘法器。AVR EA系列具有灵活且低功耗
2025-10-10 11:32:14515 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工业级FRAM，150ns极速写入、1万亿次擦写、-40℃~+85℃宽温，I²C接口低功耗，SOP-8小封装，为PLC、电表、编码器等边缘节点提供高可靠非易失存储。
2025-10-10 09:45:00307 
与Microchip MPLAB X无缝集成。AVR64DU32评估套件具有可变电压电源、双USB Type-C^®^ 连接器、虚拟串行端口和DGI，可无缝集成到定制设计中。封装内容包括一个AVR64DU32 Curiosity Nano评估板和两个100mil、1个19引脚排针条。
2025-10-09 15:21:30458 
）。 Microchip Technology 25CS640 EEPROM优化用于需要可靠、稳健的非易失性存储器的消费及工业应用。 25CS640可在宽电压范围（1.7V至5.5V）内工作
2025-09-30 14:57:09641 
。这些微处理器包括内置安全启动、实时模式、大型灵活的L2内存子系统和嵌入式外设。PIC64GX1000微处理器集成了128KB嵌入式非易失性存储器（eNVM），用于引导、平台中断控制器和集成的双物理不可克隆功能（PUF）。
2025-09-30 14:47:16629 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1为LED显示系统提供高速、高耐久性数据存储方案，支持纳秒级写入与10^12次擦写，解决传统存储器延迟高、寿命短问题，适用于智能交通、户外广告等严苛环境，显著提升系统响应与可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
Cypress 64Kbit FRAM以纳秒写入、万亿次擦写、微瓦功耗，破解手持检测器数据丢帧、寿命及续航痛点，覆盖-40℃~85℃，50G抗震，直接替代EEPROM，30天续航，零掉电丢数。
2025-08-28 09:45:00434 
昂科的通用烧录平台AP8000所支持。 GT24C64E-2UDL是一款64K位串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达105°C。该器件符合汽车标准AEC - Q100 2级所定义的极高
2025-08-13 15:17:53662 
P24C256H是I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含一个256Kbits （32Kbytes）的内存阵列，每页64bytes。
2025-08-08 17:05:231815 
I²C兼容串行电可擦可编程只读存储器（E²PROM）-P24C512H 产品介绍 产品概述： P24C512H是I²C兼容的串行E²PROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含
2025-08-07 10:06:531002 
兆易创新GD25Q64ESIG NOR FLASH凭借64Mb容量、8Mbx8架构及2.7V 3.6V宽电压支持，其SOP 8封装适配紧凑设计，高速SPI接口（133MHz）确保快速数据读取，满足
2025-08-07 09:45:00837 
Texas Instruments适用于AM64x Sitara™处理器的SK-AM64B入门套件是一个独立的测试和开发平台，是加速设计原型阶段的理想选择。AM64x处理器由一个双核64位ARM
2025-07-28 10:20:08576 
近日，紫光国芯自主研发的PSRAM（低功耗伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布，并同步上线天猫官方旗舰店。此次上新的PSRAM产品兼容业界主流接口协议Xccela，容量覆盖32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 harmony-utils之Base64Util，Base64工具类 harmony-utils 简介与说明 [harmony-utils] 一款功能丰富且极易上手的HarmonyOS工具库，借助
2025-06-30 17:32:05426 CW32F030x6/x8 是基于 eFlash 的单芯片微控制器，集成了主频高达 64MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至
2025-06-21 15:54:09
电子发烧友网为你提供()2.4 GHz、64 QAM WLAN 前端模块相关产品参数、数据手册，更有2.4 GHz、64 QAM WLAN 前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-06-17 18:33:58
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 产品特点及核心优势：核心特点接口与模式支持 SPI（单线） 和 QPI（四线） 模式，默认上电为 SPI 模式，可通过指令切换至
2025-06-06 15:01:36
CSS6404LS-LI通过 >500MB/s带宽、105℃高温运行及μA级休眠功耗三重突破，成为高清语音设备的理想存储器
2025-06-04 15:45:23566 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O扩展器，具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关，实现对数
2025-05-26 09:50:50683 
与昂科旗舰产品AP8000烧录芯片工具的技术适配，此举显著增强了AP8000系列设备的芯片兼容性和行业应用范围。 MX25U51245G是一款512Mb的串行NOR闪存存储器，其内部配置为
2025-05-20 16:27:37619 
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
本文介绍了BASE64编解码的基本概念及其在EASY-EAI API中的实现。BASE64是一种用于传输8Bit字节码的编码方式，通过64个可打印字符表示二进制数据。EASY-EAI API封装
2025-05-12 13:41:39526 
多轴控制器可使用国产铁电存储器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
格欣以龙芯工业级微处理器芯片LS2K0300-I为核心设计的工业级核心板（AH2300）已经面向市场发布，受到广泛关注。
LS2K0300-I具有一些鲜明特点：1、LS2K0300-I是1GHZ
2025-04-19 18:24:43
格欣以龙芯低功耗微处理器芯片LS2K0300-I设计的工业级核心板模块在面向市场发布以后，受到广泛关注。
LS2K0300-I是1GHZ LA264单核64位工业级微处理器芯片，LA264是龙芯
2025-04-19 18:10:47
替换MB85RS128和FM25V01，舜铭存储铁电存储器SF25C128电压检测仪应用方案
2025-04-14 09:46:36719 
，数据保持 25 年 @85℃‒ 最大 8K 字节 RAM，支持奇偶校验‒ 128 字节 OTP 存储器
● CRC 硬件计算单元
● 复位和电源管理‒ 低功耗模式（Sleep，DeepSleep
2025-04-03 09:27:24
，512k 位（64KB）OTP 程序存储器，32M 位（4MB）FLASH 语音存储器，2k 位（256B）SRAM 。支持 5.8KHz 采样时 1080 秒或 23KHz 采样时 276 秒语音存储。内置 R/C Trim（1%）、1 组 PWM 和 1 组 DAC，4 个 GPIO，低
2025-04-02 18:03:43
0 设计公司、上游服务供应商、热门模块/设计方案和热门产品。 深耕存储，创新不断，3月27日颁奖晚宴上，东芯半导体3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很荣幸获选了
2025-04-02 16:12:361088 产品特性
●
内核：ARM® Cortex®-M0+
‒ 最高主频 96MHz
●
工作温度：-40℃ 至 85℃；工作电压：1.62V 至 5.5V
●
存储容量
‒ 最大 64K 字节
2025-04-01 09:26:05
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，国产铁电存储器SF25C20助听器应用方案
2025-03-20 09:55:16676 
特性64 千比特铁电随机存取存储器（F - RAM），逻辑上组织为 8K×8高达 100 万亿次（\(10^{14}\)）读 / 写耐久性151 年的数据保存期限（详见 “数据保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
性铁电存储器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及应用介绍
2025-03-06 10:06:581473 
CKS32F030xx 系列采用高性能的 ARM Cortex ™ -M0 的 32 位 RISC 内核，工作于 48MHz 时钟频率，高速的嵌入式闪存（FLASH 最高可达 64K 字节，SRAM
2025-03-05 16:23:27
电子发烧友网站提供《63~64 FCO-7L√.pdf》资料免费下载
2025-03-03 16:49:010 铁电存储器SF24C64对标FM24C64性能、应用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 
AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器 (EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。 具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。 适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制
2025-02-28 15:48:093 AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器 (EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。 具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。 适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制
2025-02-28 15:45:430 带幻象时钟的DS1243Y 64K NV SRAM是一款内置实时时钟、完全静态的非易失性RAM（结构为8192个字x 8位）。DS1243Y具有独立的锂能源和控制电路，可持续监控VCC是否发生超出容
2025-02-28 10:31:43995 
DS2502为1K位只添加存储器，用于识别并存储产品的相关信息。产品批号或特殊的产品信息可以通过最少的接口访问—例如，微控制器的一个端口引脚。DS2502具有一个工厂光刻注册码，其中包括：48位唯一
2025-02-28 10:15:151111 
DS2505为16k位只添加存储器，可以识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品的信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2505有一个工厂刻度的注册码，其中包括：48位
2025-02-27 16:31:151064 
DS28E80是一款用户可编程的非易失性存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了抗伽马辐射的存储单元技术。DS28E80有248字节的用户内存，这些内存以8字节为单位进行组织。单个块可以
2025-02-26 11:43:101138 
DS1996 Memory iButton是一种坚固的读/写数据载体，可作为本地化的数据库，使用最少的硬件即可轻松访问。非易失性存储器为存储和检索与iButton所连接的对象相关的重要信息提供了一种
2025-02-26 10:17:41871 
铁电存储器SF24C64对标MB85RC64性能、应用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 深度解读 30KPA64A 单向 TVS：64V 击穿机制与高效防护策略
2025-02-24 13:52:12663 
（Dhrystone 2.1）和DSP说明书回忆•高达2 MB的闪存，带读取功能同时写入支持•高达1 MB的RAM：192 KB的TCMRAM（股份有限公司64K字节的ITCM
2025-02-24 10:51:10
特点4Gb双数据速率3（DDR3（L））DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它内部配置为八进制存储体DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存储体
2025-02-20 11:44:07
特点ARM Cortex-M3 处理器概述处理器核心规格CPU 型号：ARM 32 位 Cortex-M3最大频率：72 MHz性能：0 等待状态内存访问时 1.25 DMIPS/MHz算术运算：单
2025-02-18 18:28:52
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量为
2025-02-14 07:46:05
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM内存芯片，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于多种
2025-02-14 07:37:41
非易失性存储器是一种应用于计算机及智能手机等设备中的存储装置（存储器），其特点是在没有外部电源的情况下仍能保存数据信息。本文将介绍非易失性存储器的类型、特点及用途。 什么是非易失性存储器
2025-02-13 12:42:142470 
舜铭存储铁电存储器SF25C20：替换FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 特点FM24C256E提供262144位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），由32768个8字组成每个位，具有128位UID和64字节安全性部门，大大提高了可靠性内部ECC逻辑。该设备
2025-02-11 14:34:13
产品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行闪存存储器，具有 32Mb 的存储容量，采用 SPI 接口进行数据传输。该产品专为嵌入式系统设计，提供快速的数据读写能力
2025-02-09 22:26:30
MX25U12832FMI02 产品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生产的一款高性能 NOR Flash 存储器，专为需要大容量存储和快速读取的应用而设计。该
2025-02-09 10:21:26
初学者要了解SDRAM需要先了解存储器分类。按照存储器的存储功能划分，可将其分为RAM 和 ROM 两大类。
2025-02-08 11:24:513961 
铁电存储器SF24C512替换MB85RS512/FM25V512优势显著
2025-02-07 09:29:33907 
在数字存储技术的快速发展中，闪速存储器（Flash Memory）以其独特的性能和广泛的应用领域，成为了连接随机存取存储器（RAM）与只读存储器（ROM）之间的重要桥梁。本文将深入探讨闪速存储器的技术特性、分类及其在现代电子设备中的应用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探讨闪速存储器的归属问题，即它是否属于RAM或ROM，同时详细阐述闪速存储器的功能与作用。
2025-01-29 15:21:001590 闪速存储器之所以得名“闪速”，主要源于其擦除操作的高效性。传统的EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）在擦除数据时，往往需要较长的时间，且操作相对繁琐。而闪速
2025-01-29 15:14:001378 高速缓冲存储器（Cache）是内存的一种特殊形式，但它与通常所说的主存储器（RAM）有所不同。在计算机存储体系中，Cache位于CPU和主存储器之间，用于存储CPU近期访问过的数据或指令，以加快数据的访问速度。
2025-01-29 11:48:003395 。 HS6621CxC在片上集成了64K SRAM，支持用户自定义IDE系统芯片SFL ASH单片机开发和JTAG软件升级。1.2特性
射频收发器
-95.5dBm灵敏度@1Mbps
-93dBm灵敏度@2Mbps
2025-01-21 17:08:15
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2025-01-14 15:14:250 舜铭存储铁电存储器SF25C20替换MB85RS2MT性能及应用优势有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
国产舜铭存储SF25C20对标MB85RS2MT性能、优势全面解析
2025-01-06 10:20:57918
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