I²C兼容串行电可擦可编程只读存储器（E²PROM）-P24C512H
I²C兼容串行电可擦可编程只读存储器（E²PROM）-P24C512H
产品介绍
产品概述：
P24C512H是I²C兼容的串行E²PROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含一个512 Kbits（64千字节）的内存阵列，每页128 bytes。
芯片特点：
单电源电压，支持快速高速模式
最低工作电压低至1.7V
400 从1.7 V到5.5 V的kHz/1 MHz时钟
3.4 从1.7 V到5.5 V的MHz时钟
低功耗CMOS技术
施密特触发器，用于噪声抑制的滤波输入
每组四个字节的透明ECC，可以纠正1位错误
整个内存阵列的写保护
附加可写锁定页（标识页）
附加128位序列号（唯一ID）
顺序和随机读取功能
128 bytes页面写入模式，允许部分页面写入
自定时写入周期（最大5ms）
高可靠性
持久性：1000万个写入周期
数据保存：200年
HBM:6 kV
锁存能力：+/-200 mA（25℃）
封装：PDIP8、SOP8、TSSOP8、MSOP8、UDFN8、SOT23-5、TSOT23-5
引脚配置与说明：
芯片应用：
电表
水表
镜头模组
机顶盒
工控板
显示器
燃气表
车载产品
白家电
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
PROM
+关注
关注
1文章
64浏览量
49813 -
只读存储器
+关注
关注
1文章
51浏览量
11029
原文标题：I²C兼容串行电可擦可编程只读存储器（E²PROM）-P24C512H
文章出处：【微信号：junmintech，微信公众号：深圳市钧敏科技有限公司】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
AT24CS01/AT24CS02：I²C 兼容串行 EEPROM 的卓越之选
AT24CS01/AT24CS02：I²C 兼容串行 EEPROM 的卓越之选 在电子设计领域，
93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C 4K Microwire 兼容串行 EEPROM 深度解析
93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C 4K Microwire 兼容
深入剖析 CAT24C02/04/08/16：I²C 串行 EEPROM 的卓越之选
深入剖析 CAT24C02/04/08/16：I²C 串行 EEPROM 的卓越之选 在电子设计领域，EEPROM（电
Microchip AT24C512C：I²C 兼容串行 EEPROM 的深度解析
Microchip AT24C512C：I²C 兼容串行 EEPROM 的深度解析 在电子设计领域，EEPROM（
深入解析AT24C128C：一款高性能I²C串行EEPROM
可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为16,384个8位字。其级联功能允许多达八个设备共享同一根两线总线，这一特性大大增强
AT24C32E：I²C 兼容串行 EEPROM 的技术剖析与应用指南
AT24C32E：I²C 兼容串行 EEPROM 的技术剖析与应用指南 在电子设计领域，EEPROM（电
CW24C256B/512B256K/512K 位串行总线 EEPROM的介绍
1. 描述
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行电可擦除
只读存储器(EEPROM)，分别采用32768/65
发表于 01-13 08:22
深入解析 N24C02/04/08/16：高性能CMOS串行EEPROM
在电子设备设计中，数据存储是一个关键环节，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程的特性，成为了众多应用的理想选择。今天，我们就来深入探讨 ON Semicond
探索CAT34C02：2-Kb I²C EEPROM的卓越性能与应用
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）是一种至关重要的组件，广泛应用于各种需要数据存储和读取的设备中。今天，我们将深入探讨ON Semiconductor的CAT34C
深入解析 onsemi N24C008：8 Kb CMOS 串行 EEPROM 的卓越性能与应用
在电子设计领域，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）是一种不可或缺的组件，广泛应用于各种需要数据存储的设备中。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 N24C008 8 Kb
深入解析安森美CAT24C32B系列EEPROM：高性能I²C存储解决方案
符合RoHS规范。CAT24C32B存储器适用于需要在同一I^2^C总线上使用两个串行电子擦除可编程只读
基于N24C256X数据手册的技术解析与应用指南
安森美 (onsemi) N24C256X 256Kb^I2C^CMOS串行电子擦除可编程只读存储器采用低功耗CMOS技术，内部组织为32.768字，每字8位。此电子擦除
STMicroelectronics M24M02E-U 2Mbit I²C EEPROM技术解析与应用指南
STMicroelectronics M24M02E-U 2Mbit I^2^C兼容电子擦除可编程只读存储器内部组织为256K x 8位。其
STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb I²C EEPROM技术解析与应用指南
STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I^2^C总线电子擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 组织为8
评论