STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I^2^C总线电子擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 组织为8K x 8位。STMicroelectronics M24C64X-DRE的工作电源电压范围为1.7V至5.5V，时钟频率高达1MHz，环境工作温度范围为-40°C至+105°C。该电子擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 提供一个额外的8位芯片使能寄存器，用于实现可配置设备地址 (CDA) 和存储器写保护功能。凭借这两项特性，M24C64X-DRE能够提供可配置设备地址（经软件授权），以配置多达八个芯片使能地址，并通过设置（经软件）软件写保护位来提供整个存储器阵列的写保护。

数据手册：*附件：STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I2C总线电子擦除可编程只读存储器数据手册.pdf

特性

兼容以下I^2^C总线模式
- 1MHz（高速传输率）
- 400 kHz（快速模式）
- 100kHz（标准模式）
存储器
- 64-Kbit（8KB）EEPROM
- 32字节页面大小
电源电压范围：1.7V至5.5V
扩展工作温度范围：-40°C至+105°C
快速写入周期时间 - 字节和页面写入时间为5ms（典型值为3.5ms）
芯片使能寄存器
软件写保护
随机和顺序读取模式
性能
- 增强型4kV ESD/闭锁保护
- 超过400万次写入循环
- 数据保留逾200年
超低功耗电流消耗
- 待机电源电流：300nA（典型值）
- 读取时电源电流：170μA（典型值）
- 写入时电源电流：250μA（典型值）
WLCSP 4焊球（兼容ECOPACK2）封装

逻辑图

方框图

‌STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb I²C EEPROM技术解析与应用指南‌

‌一、芯片核心特性概述‌

STMicroelectronics M24C64X-DRE是一款64Kbit（8KB）串行I²C总线EEPROM，具有以下突出特性：

‌宽电压支持‌：1.7V至5.5V单电源供电，兼容工业级应用环境（-40°C至+105°C）。
‌高速接口‌：支持1MHz（高速模式）、400kHz（快速模式）和100kHz（标准模式）时钟频率。
‌高可靠性‌：
- 数据保存期限超过200年
- 擦写寿命超过400万次（25°C环境下）
- 增强型4kV ESD/闩锁保护
‌低功耗设计‌：
- 待机电流低至300nA（典型值）
- 写入电流250μA（典型值）

‌二、关键功能模块解析‌

‌2.1 存储器组织‌

‌容量结构‌：8K×8位阵列，页大小为32字节，支持页写入（最大32字节/次）。
‌地址分配‌：16位地址寻址（A15-A0），分为高字节（A15-A8）和低字节（A7-A0）。

‌ 2.2 芯片使能寄存器（Chip Enable Register） ‌

‌可配置设备地址‌（C2/C1/C0）：支持8种地址组合，解决I²C总线多设备冲突问题。
‌软件写保护位‌（SWP）：
- SWP=0：允许读写操作（默认状态）
- SWP=1：全局写保护（只读模式）
‌非易失性配置‌：寄存器值在断电后保留，上电自动加载。

‌2.3 I²C协议实现‌

‌标准通信流程‌：
- 起始条件（START）：SCL高电平时SDA下降沿
- 停止条件（STOP）：SCL高电平时SDA上升沿
- 数据有效性：SDA在SCL高电平期间需保持稳定
‌设备寻址‌：7位设备地址（1010XXX，XXX为C2/C1/C0配置值）+ R/W位。

‌三、典型应用场景与设计要点‌

‌3.1 写入操作优化‌

‌页写入模式‌：连续写入同页内数据（≤32字节），减少协议开销。
‌注意‌：跨页写入会触发“回绕”（地址自动归零）。
‌写入轮询策略‌：通过ACK polling检测内部写入完成（典型时间3.5ms），避免总线阻塞。

‌3.2 硬件设计建议‌

‌上拉电阻计算‌：
- 400kHz模式：Rbus×Cbus ≤ 400ns
- 1MHz模式：Rbus×Cbus ≤ 150ns
  （参考数据手册图12-13）
‌电源去耦‌：VCC引脚需并联10nF-100nF电容，确保电压稳定。

‌四、性能参数与选型参考‌

参数	条件	典型值	最大值
写入时间（tW）	字节/页写入	3.5ms	5ms
待机电流	VCC=1.8V	300nA	1.5μA
工作电流（读取）	VCC=3.3V, 1MHz	170μA	2.5mA
数据保存温度	55°C环境	-	200年