特点
4Gb双数据速率3（DDR3（L））DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。
它内部配置为八进制存储体DRAM。
4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x16 I/O x 8个存储体组成。这些同步
器件实现了高达2133Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输速率，适用于一般应用。
该芯片的设计符合DDR3（L）DRAM的所有关键特性以及所有控制和地址
输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在十字处锁定
差分时钟点（CK上升和下降）。所有I/O都与单端DQS同步，或
差分DQS以源同步方式配对。
这些设备使用单个1.5V±0.075V或1.35V-0.067V/+0.1V电源运行
BGA封装。
