英尚代理的恒烁半导体NOR FLASH存储器，具备通用SPI接口，覆盖广泛的工作电压与容量选项，为各类嵌入式系统提供可靠的非易失性存储支持。该系列包括适用于1.8V低电压环境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
36 艺的 1 - Mbit 非易失性存储器，逻辑上组织为 128K × 8。它结合了铁电随机存取存储器（F - RAM）的优势，既具备非易失性，又能像 RAM 一样快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下载： FM25L04B-GTR.pdf 产品概述 FM25L04B是一款由Cypress（现属英飞凌）开发的4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器
2025-12-31 16:05:1888 eMMC全称为 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存储，它弥补了 FPGA 芯片自身存储能力的不足，为 FPGA 提供一个高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盘”或“固态硬盘”解决方案。
2025-12-23 14:19:283975 
全球存储器缺货、价格飙涨的风口下，力积电的铜锣新厂成了国际大厂争抢的核心资源 —— 继晟碟之后，美光也正在与力积电洽谈合作，希望借助这座已建成、仍有 4-5 万片月产能余量的工厂快速落地存储器产能，双方已敲定三种合作方向，只待力积电最终确认。
2025-12-22 11:43:221294 
全球企业和政府正积极寻求解决方案，应对数据中心能耗迅速增长问题，开发下一代“绿色”数据中心——既具备高性能，又兼具高能效的设施。全球科技巨头富士通在先进处理器开发领域已领先 60 年，致力于开发更节能、更可持续的数据中心。
2025-12-17 10:26:53424 在存储技术快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻随机存取存储器）以其独特的性能，逐渐成为业界关注焦点。它不同于传统的闪存或DRAM，利用磁性而非电荷来存储数据，兼具高速、耐用与非易失性特点。
2025-12-15 14:39:04242 铁电工艺的4 - Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）具有非易失性，读写操作类似于RAM，能提供长达151年的数据保留时
2025-12-10 17:15:021628 
在计算机和电子设备中，存储器扮演着数据临时存放与快速交换的关键角色。其中，DDR SDRAM（双数据速率同步动态随机存取存储器）已成为现代内存的主流技术之一。它不仅在速度上显著超越前代产品，更凭借其高效传输机制，广泛应用于电脑、服务器、移动设备及各类嵌入式系统中。
2025-12-08 15:20:44293 在电子设备设计中，数据存储是一个关键环节，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程的特性，成为了众多应用的理想选择。今天，我们就来深入探讨 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
Engineering) 》。其中，富士通在该指南的《Gartner 生成式AI工程新兴市场象限报告 (Gartner Emerging Market Quadrant for Generative AI
2025-12-02 11:50:51637 
在各类存储设备中，SRAM（静态随机存储器）因其高速、低功耗和高可靠性，被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中，双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计，在高带宽和多任务场景中表现尤为出色，成为提升系统效率的重要组件。
2025-11-25 14:28:44275 在存储技术快速演进的今天，一种名为STT-MRAM（自旋转移矩磁阻随机存取存储器）的新型非易失存储器，正逐步走入产业视野。它不仅继承了MRAM的高速读写能力与非易失特性，更通过“自旋电流”技术实现了信息写入方式的突破，被视为第二代MRAM技术的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存储应用中，串口MRAM芯片凭借其非易失性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储器技术的代表，Everspin磁性随机存储器在工业控制、数据中心和汽车电子等领域表现优异。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配备非易失性存储器（EEPROM），可用于存储擦刷 位置。这很有好处，因为雨刷位置即使在断电时也会被存储，且 开机后会自动恢复。可以访问TPL0102的内部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
富士通16Kbit FRAM凭借微秒级写入速度与10万亿次擦写寿命，为图传模块提供高可靠性数据存储。其SPI接口与工业级温度范围（-40℃~85℃）完美适配无人机、安防监控等场景的实时数据记录需求。
2025-11-18 09:48:00317 
，都属于集成电路里的核心成员。要是按“断电后数据能不能留在器件里”来分，存储芯片能分成易失性和非易失性两种。易失性存储芯片就像电脑的内存（像SRAM、DRAM这类
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一项成熟的非易失性存储（NVM）技术，其特性对当今尖端应用的发展具有非常重要的意义。意法半导体（ST）是全球EEPROM芯片知名厂商和存储器产品和工艺创新名企之一，其连接安全产品部综合
2025-11-17 09:30:101633 片上FLASH 闪存由两部分物理区域组成：主FLASH 存储器和启动程序存储器。
●● 主 FLASH 存储器，共 64KB，地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。该区
2025-11-12 07:34:35
在要求高性能与高可靠性的电子系统中，存储器的选择往往成为设计成败的关键。Netsol推出的高速异步SRAM系列，凭借其出色的性能表现与独有的错误校正（ECC）能力，为工业控制、通信设备及高精度计算等应用提供了值得信赖的存储解决方案。
2025-11-05 16:21:39284 富士通本周四发布了2025财年上半年财报。根据财报显示，2025财年上半年整体营收为1.5665兆日元 ，调整后营业利润达到1,213亿日元，较去年同期大幅增长83.6%，营业利润率为7.7%，较去年同期增长3.4个百分点。
2025-11-04 16:30:44921 创飞芯作为国内一站式非易失存储 IP 供应商 ，独立开发存储 IP 及 IC ，为客户提供一站式定制服务，拥有多项国内外发明专利。
2025-10-30 16:51:43807 在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存（Flash）的非易失性，能够在断电后永久保存数据，同时具备无限次擦写、无磨损的卓越耐用性。MRAM将磁性材料集成于硅电路中，在单一芯片上实现了高速、可靠与长寿命的统一，是存储技术的一次重大飞跃。
2025-10-24 15:48:44411 富士通近日宣布，将与英伟达(NVIDIA)扩大战略合作，共同打造集成AI Agent的全栈式AI基础设施。此举旨在利用AI能力增强企业竞争优势，同时确保企业在AI应用上的自主性与灵活性。
2025-10-23 17:49:37748 一次性可编程（OTP）非易失性存储器问世已久。与其他非易失性存储技术相比，OTP的占用面积更小，且无需额外的制造工序，因此成为存储启动代码、加密密钥等内容的热门选择。尽管听起来简单，但随着人工智能（AI）的大规模部署和对更先进技术的需求日益增长，平衡OTP的各项需求变得极具挑战性。
2025-10-21 10:38:111440 
铁电陶瓷作为一种重要的功能材料，以其独特的自发极化特性在存储器、传感器、换能器等尖端设备中占据核心地位。这类材料的电畴方向可通过外部电场进行调控，从而改变其电学、力学和光学性能。然而，铁电材料极化
2025-10-20 14:49:24215 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工业级FRAM，150ns极速写入、1万亿次擦写、-40℃~+85℃宽温，I²C接口低功耗，SOP-8小封装，为PLC、电表、编码器等边缘节点提供高可靠非易失存储。
2025-10-10 09:45:00307 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1为LED显示系统提供高速、高耐久性数据存储方案，支持纳秒级写入与10^12次擦写，解决传统存储器延迟高、寿命短问题，适用于智能交通、户外广告等严苛环境，显著提升系统响应与可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
NAND闪存芯片是一种非易失性存储技术，广泛应用于现代电子设备中。以下是其核心功能、特点和应用场景的详细分析： 1. 核心功能 数据存储：以电信号形式长期保存数据，断电后数据不丢失。 快速读写：支持
2025-08-11 10:43:441645 随着全球二氧化碳减排的推进，可再生能源，尤其是太阳能发电的重要性日益凸显。光伏逆变器又称功率调节器可将太阳能板产生的电压转换成正确的电流及电压波形并入电网。由于需要连接到电网基础设施，因此对可靠性、易维护性和使用寿命有所要求，FeRAM(铁电体存储器)的优异特性得以发挥。
2025-08-08 14:41:061506 
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM（动态随机存取存储器）。其核心设计是通过硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 。 半导体存储器按照断电后数据是否继续保存，可分为易失性(Volatile)存储和非易失性(Non-Volatile)存储。利基型DRAM属于易失性存储，NOR Flash、SLC NAND Flash属于非
2025-06-29 06:43:001768 
富士通株式会社发布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技术与服务愿景2025)》，对商业与社会的未来愿景进行了总结与展望。借助人机智能协作驱动的跨行业
2025-06-28 10:15:081235 /FeRAM (阻变/铁电) 等，目标是结合DRAM的速度和Flash的非易失性（存储级内存），部分已在特定领域应用（如MRAM做缓存），是未来重要方向。
CXL：一种新的高速互连协议，旨在更高效地连接
2025-06-24 09:09:39
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发，为客户定制开发的EEPROM IP，已顺利通过客户全流程的PVT测试
2025-06-12 17:42:071062 铁电材料以其独特的自发极化特性及电滞回线行为，在存储器、传感器、换能器及微波器件中扮演着核心角色。准确表征其极化性能是材料研究和器件设计的基石。在这一精密测量过程中，高压放大器绝非简单的附属设备
2025-06-11 15:31:30433 
14FLASHFLASH的工作原理与应用OWEIS1什么是FLASH?Flash闪存是一种非易失性半导体存储器，它结合了ROM（只读存储器）和RAM（随机访问存储器）的优点，具有电子可擦除和可编程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O扩展器，具有通过I²C兼容的串行接口控制的64字节NV用户存贮器。与用来控制数字逻辑节点的硬件跳线和机械开关相比，DS4520为用户提供了数字可编程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU监控电路，具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口，使用快速模式(400kbps)或标准模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O扩展器，具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关，实现对数
2025-05-26 09:50:50683 
(SHA-256)的加密、双向、质询-响应安全认证功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用户可编程EEPROM阵列为应用数据提供非易失存储，附加的保护存储器用于存储SHA-256操作的一组读保护密钥以及用户存储器
2025-05-14 11:28:35866 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ输出、非易失(NV)控制器，内置温度传感器和相应的模/数转换器(ADC)。集成温度传感器提供分辨率为2°C的NV查找表(LUT)索引，温度范围为-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
MCU的存储器层次结构通过整合不同性能与功能的存储单元，优化系统效率并满足多样化场景需求。其核心架构可分为以下层次： 一、寄存器层（最高速） 定位：集成于CPU内核中，直接参与运算
2025-05-09 10:21:09618 在半导体存储器测试中，测试图形（Test Pattern）是检测故障、验证可靠性的核心工具。根据测试序列长度与存储单元数N的关系，测试图形可分为N型、N²型和N³/₂型三大类。
2025-05-07 09:33:371223 
多轴控制器可使用国产铁电存储器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
、工业控制等领域。兆易创新存储器事业部市场总监薛霆在接受电子发烧友网记者采访时表示，随着AI硬件爆发和新能源汽车智能化加速，高可靠性、高性能存储芯片的需求正迎来新一轮增长。今年的SPI NOR Flash市场前景看好。 兆易创新存储器事业部市场总监薛霆 AI 终端与服
2025-04-23 11:12:543405 
UV-EPROM的结构与使用方法，闪速存储器的结构与使用方法，EEPROM的结构与使用方法， SRAM的结构与使用方法， 特殊的SRAM的结构与使用方法 ，DRAM的结构与使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存储器映射 前文所述，寄存器与RAM、FLASH一样都是芯片内部的一种存储设备。那么，当我们需要访问它们的时候，我们需要知道它们的存储地址。 3.3.1 存储器映射表 如下图所示为RA6M5
2025-04-16 15:52:091376 
替换MB85RS128和FM25V01，舜铭存储铁电存储器SF25C128电压检测仪应用方案
2025-04-14 09:46:36719 
非易失性存储器（NVM）芯片广泛应用于各种设备中，从智能手机、个人电脑到服务器和工业控制系统，都是不可或缺的关键组件，它们不仅提高了数据的安全性和可靠性，还极大地增强了系统的整体性能。此外，为了满足
2025-04-10 14:02:241333 电子发烧友网综合报道，RRAM（阻变存储器）存储是一种新兴的非易失性存储技术，它基于材料的电阻变化来存储数据。其存储单元通常由两个电极和中间的阻变材料组成。当在电极上施加一定的电压脉冲时，阻变材料
2025-04-10 00:07:002089 芯片烧录领导者昂科技术近期宣布了其烧录软件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型号。在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ16CS已被昂科烧录程序芯片烧录设备
2025-04-09 15:22:11735 
便携式医疗铁电存储器SF25C20(FM25V20A)的替换方案
2025-04-07 09:46:03626 
替换FM25V20A医疗物联网设备可使用铁电存储器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717 
，又可再对它写入，为可读/写存储器， 或随机访问存储器。⚫ 易失性
p 若存储器在断电之后，仍能保存其中的内容，则称为非易失性存储器；否则，为易失性存储器；
p 只读存储器（ROM）是非易失性的，随机
2025-03-26 11:12:24
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，国产铁电存储器SF25C20助听器应用方案
2025-03-20 09:55:16676 
特性64 千比特铁电随机存取存储器（F - RAM），逻辑上组织为 8K×8高达 100 万亿次（\(10^{14}\)）读 / 写耐久性151 年的数据保存期限（详见 “数据保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
)、外部温度传感器、内部温度检测以及2路额外的辅助输入端的模拟信号进行转换。MAX11008结合温度、AIN和/或漏极采样值与查找表中(LUT)存储的数据，自动调整LDMOS偏压。
2025-03-14 16:56:16856 
铁电存储器SF25C20/SF25C512在人工智能边缘计算中应用
2025-03-13 09:46:30774 
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 数字前端（ DFE ）器件来提供具有成本效益、高容量和高能效的无线电，以满足不同市场需求。
2025-03-12 17:12:141256 NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛用于固态硬盘、USB闪存盘和手机存储中，具有高速读写和耐用性强的特点。
2025-03-12 10:21:145319 
比特的用户闪存模块（UFM）用于非易失性存储多电压核心使能，可将外部电源电压设为 3.3V、2.5V 或 1.8V多电压 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
本书主要介绍了UV-EPROM的结构和使用方法，闪速存储器的结构和使用方法，EEPROM的结构和使用方法， SRAM的结构与使用方法，特殊的SRAM的结构与使用方法，DRAM的结构与使用方法，
2025-03-07 10:52:47
性铁电存储器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及应用介绍
2025-03-06 10:06:581473 
富士通与SNP合作，采用BLUEFIELD™方法，五个月内成功合并两家德国子公司SAP系统，实现快速迁移、高效合作、极短停机时间和业务连续性，增强了数字化转型竞争力。
2025-03-05 17:00:57753 铁电存储器SF24C64对标FM24C64性能、应用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被
2025-02-28 10:00:43985 
带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:53:17806 
带电池监控器的DS1312非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:48:45744 
DS1557是一款全功能、符合-2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和512k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1557内所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和32k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1554内所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
铁电存储器SF24C64对标MB85RC64性能、应用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 旋转编码器选用国产铁电存储器(SF24C512)的5个理由
2025-02-20 09:42:03906 未来发展趋势。 DRAM 介绍 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，缩写为 DRAM）是一种易失性存储设备。这意味着，一旦停止供电，它所存储的数据就会丢失。DRAM 的工作原理依赖于电容器来保存电荷，以此记录数据。然而，电容器中的电荷会
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量为
2025-02-14 07:45:22
非易失性存储器是一种应用于计算机及智能手机等设备中的存储装置（存储器），在没有外部电源提供的情况下仍能保存数据信息。 现今的计算机中央处理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速处理的数据通常保存在易失性存储器中（
2025-02-13 12:42:142470 
舜铭存储铁电存储器SF25C20：替换FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169
数显千分表的数据如何用存储器进行接收
2025-02-11 06:01:54
半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存储器，具有 16 Kbit 的存储容量，专为需要非易失性存储的应用设计。这款器件采
2025-02-10 07:41:41
初学者要了解SDRAM需要先了解存储器分类。按照存储器的存储功能划分，可将其分为RAM 和 ROM 两大类。
2025-02-08 11:24:513961 
铁电存储器SF24C512替换MB85RS512/FM25V512优势显著
2025-02-07 09:29:33907 
忽略的剩余极化和在场致铁电态中的高最大极化，在高性能储能方面具有重要的意义。然而，低反铁电-铁电相变场和伴随的大磁滞损耗会降低能量密度和可靠性。
2025-02-06 10:52:381131 
在数字存储技术的快速发展中，闪速存储器（Flash Memory）以其独特的性能和广泛的应用领域，成为了连接随机存取存储器（RAM）与只读存储器（ROM）之间的重要桥梁。本文将深入探讨闪速存储器的技术特性、分类及其在现代电子设备中的应用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探讨闪速存储器的归属问题，即它是否属于RAM或ROM，同时详细阐述闪速存储器的功能与作用。
2025-01-29 15:21:001590 闪速存储器之所以得名“闪速”，主要源于其擦除操作的高效性。传统的EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）在擦除数据时，往往需要较长的时间，且操作相对繁琐。而闪速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技术飞速发展的今天，闪速存储器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成为数据存储领域的重要成员。而U盘，作为闪速存储器的一种常见应用形式，更是凭借其便携性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速缓冲存储器（Cache）是内存的一种特殊形式，但它与通常所说的主存储器（RAM）有所不同。在计算机存储体系中，Cache位于CPU和主存储器之间，用于存储CPU近期访问过的数据或指令，以加快数据的访问速度。
2025-01-29 11:48:003395 效的存储技术，以满足大数据、AI推理与训练的实时性和能效需求，是后摩尔时代存储技术的核心课题。在这种背景下，以氧化铪基铁电材料为代表的新型存储技术正逐步成为学术界和产业界的研究焦点。
2025-01-23 17:30:312078 
舜铭存储铁电存储器SF25C20能否替换赛普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ32DS已被昂科的程序烧录专业芯片烧录设备AP8000所支持。昂科技术自主研发的AP8000万用烧录器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
特点16-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM)为 2 K × 8 ❐ 高耐久性 100 万亿次（1014）读/写 ❐ 151 年数据保留期（请参阅数据保留期
2025-01-16 14:14:37
舜铭存储铁电存储器SF25C20替换FM25V20A参数分析及应用
2025-01-16 10:17:061232 
有人用过数字电位器TPL0501-100么？器件比较中说它采用的是易失性存储介质，但是datasheet中关于这点只字未提，不知道上电后，它的抽头到一端的电阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
舜铭存储铁电存储器SF25C20替换MB85RS2MT性能及应用优势有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
实验名称：铁电材料极化测试 实验原理：铁电材料是指具有自发极化的晶体材料，具有一系列特殊的电学和物理性质。铁电测试是研究铁电材料性质的关键实验手段之一。随着新型铁电材料的不断涌现，正确的获得材料的电
2025-01-09 12:00:22762 
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