富士通与亚马逊云服务AWS宣布深化合作，共同推出现代化加速联合计划，旨在推动AWS云上遗留应用程序的现代化进程。该计划将于4月1日正式启动，将富士通的系统集成能力与AWS的专业服务相结合，为运行在本地大型机和UNIX服务器上的传统关键任务应用程序提供评估、迁移和现代化服务。
2024-03-19 10:59:35
221 是2.7V-3.3V.项目测试过程中，发现在上电掉电的过程中，铁电存储器的数据无端的被改乱了，铁电的数据被改的面貌全非。我们判断是电压低于2.7V时，STM32G070在正常工作，但铁电已经工作异常了，此时修改了数据
2024-03-13 08:04:03
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
，断电后数据不会丢失。ROM中的数据在制造过程中被永久地写入芯片中，并且无法从ROM中删除或修改数据。这使得ROM适用于存储永久性的固定数据，如计算机的启动程序（BIOS）、固件和操作系统。 相较之下，RAM是一种易失性存储器，当计算机断电时存储在RAM中的数据会立即丢失。RAM是临时存储器，它用
2024-01-25 10:46:28611 只读存储器（ROM）是一种计算机存储设备，用于存储固定数据和指令，其特点如下： 数据固定性：只读存储器中的数据是在出厂时被编程固化的，用户无法进行修改。这意味着ROM中的信息是静态的、不可
2024-01-17 14:17:39290 当电源断开时，随机存取存储器（RAM）中的数据通常会丢失。这是因为RAM是一种易失性存储器，它必须以恒定的电源供应来维持存储的数据。在断电时，RAM中的电荷会逐渐耗尽，导致其中的数据丢失。在这
2024-01-16 16:30:19843 ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
为DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器）。根据题目提到的“断电后会丢失”，我们可以确定RAM属于易失性存储器，即断
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03210 
使用 USB存储器可以方便地存储数据34972A还具有一个内置的USB存储器端口，可便于您使用 U 盘将 BenchLink Data Logger 配置下载到34972A，并在无PC的情况下收集数据
2024-01-08 14:33:08
热电偶、RTD 和热敏电阻、直流/交流电压和电流；电阻；频率和周期非易失存储器可存储 5 万个读数，可在断电时保持数据每个通道都有 HI/LO 极限报警功能，以及 4
2023-12-27 15:08:46
富士通嵌入FRAM的RFID射频芯片MB89R118C的优点:• 抗金属，可在金属环境中使用。• 可耐200度高温。• 高速数据写入：可提高数据写入时的效率。• 稳定的通信距离
2023-12-27 13:53:33
要求使用其他存储设备，如Flash存储器，来存储数据。 Flash存储器是一种非易失性存储器，能够长时间保存数据，即使在断电情况下也能保存数据。它具有较高的读写速度和较低的功耗，适用于FPGA的数据存储需求。 FPGA上的Flash存储器一般通过SPI（串行
2023-12-15 15:42:51543 FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用单片机（MCU）的非易失性存储器 单片机（MCU）的非易失性存储器（NVM）是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据，即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM，我们
2023-12-15 10:10:49507 有人说：变频器能省电。又有人说：变频器不能省电。现在请问大侠：变频器真能省电吗？什么情况下能省电？其省电的依据是什么？
2023-12-13 09:15:47
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 是一种即使断电也能保留数据的存储器，提供非易失性存储。
2023-12-05 10:09:56303 CONV、SCK和SDO引脚），
在假设V-REF(1V)、IN+、IN-、VCC(5V)都正常的情况下(不接入外部被测)，SDO引脚输出的数据异常。
具体现象:
输出的数据间歇性地为0，非零的数跳动范围
2023-12-04 06:08:38
作簿中的范围。 VLOOKUP函数引用的数据源在某些情况下需要保留，而在其他情况下则不需要。以下将详细解释这些情况。 保留数据源的情况： a. 当数据源是工作表中的范围时，通常需要保留数据源。这是因为随着时间的推移，数据源可能会发生变化或更新。如果您保留数
2023-12-01 10:23:34394 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
电能质量监测系统是集基本电量测量、电能计量、电能质量分析、电量监视与记录、事件报警与事件记录等功能于一体的系统；能精确、可靠地记录各个电量参数，提供用电状态和配电网质量的重要数据。所以在存储器选型上
2023-11-17 10:28:51
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片
2023-11-09 13:59:01431 starter在电机合闸使能的情况下，可以在线连接吗
2023-11-03 08:28:12
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
的非易失性存储器，既可以进行非易失性数据存储，又可以像RAM一样操作。
本文将借助飞凌嵌入式OK3568-C开发板来为大家介绍一种采用FRAM的方案——使用SPI0挂载PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
数据在内存的存储中右对齐是在什么情况下使用
2023-10-15 11:20:02
目前，日本在量子领域的研发进展落后于中美两国，但此前已经制定发展规划。富士通计划将量子计算机与超级计算机相结合，以提高计算能力。未来，富士通将会把量子计算机投入实际应用，进行分子构型模拟、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 相同点？
感觉6116数据的存取很简单呀？设置成“写入”状态，在地址端0001-0101依次输入数据0001，0010，0011，0100，0101后，把存储器设置成“读出”状态就可以看到输出端
2023-10-07 08:39:25
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
与此同时，富士通还积极投身到全球各项可持续发展及碳中和行动项目当中。就在本月，富士通宣布通过参与世界可持续发展工商理事会(WBCSD)的碳足迹数据共享倡议行动(PACT)，成功实现了整个供应链中二氧化碳排放量的可视化。
2023-09-22 17:12:49653 对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:59496 
RAM中的一部分通常被用作缓存，用于存储CPU经常访问的数据和指令，以提高计算机的性能。缓存能够以较高的速度提供对这些数据的访问，减少了对较慢的主存储器（如硬盘）的访问次数，从而加快了计算机系统的响应速度。
2023-09-21 15:35:032396 存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
7个可独立配置的DMA通道每个通道都支持硬件和软件触发 软件可配置7个DMA通道的优先级非常高 / 高 / 中等 / 低 (在相同优先级的情况下由硬件决定) 数据源和数据传输宽度(字节/半字/字
2023-09-13 08:06:16
点击上方“ 富士通中国 ”关注我们 2023年中国国际服务贸易交易会（服贸会）近日在北京开幕。富士通（中国）信息系统有限公司（以下简称“富士通”）副总裁汪波先生受邀出席本次服贸会，并在9月3日举行
2023-09-06 17:10:02230 
新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析
2023-09-01 10:04:52
样机却不能保存经过修改后的参数。
2、经过排查程序后，我们在程序中设置ISPCON的APUEN位为1后，3台样机均能正确保存经过修改后的参数。
所以在此想问一问，这个是不是NANO100芯片内部的BUG呢? 为何在没有设置ISPCON的APUEN位为1的情况下也能擦出和并写入FLASH存储器呢？
2023-08-24 08:20:58
富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032205 一个可随时存取数据的存储器，即可读(取)或写(存)的存储器，简称ram。
2023-07-25 15:28:37641 就需要一块非易失性存储芯片来储存这些数据。非易失性存储器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它们在系统掉电的情况下仍可保留所存数据，但因其技术都源于R
2023-07-25 10:31:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
点击上方“ 富士通中国 ”关注我们 富士通近日发布了《2023富士通全球可持续转型调查报告》。该报告对来自全球9个国家的1,800名企业高管及决策者进行了调查， 阐述了可持续转型(SX)的现状以及
2023-07-12 17:10:01270 
铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存储的数据在断电后依然存在，不会丢失，因此也被称为非易失性存储器。而RAM是易失性存储器，当断电时，其中的数据将会丢失。
2023-06-20 16:38:442016 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存储器存放重要数据，如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下，控制器查询日志内存，以了解从哪里开始恢复。
2023-06-12 17:11:11323 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
点击上方“ 富士通中国 ”关注我们 富士通株式会社（以下简称“富士通”）与微软公司（以下简称“微软”）宣布签署为期五年的战略合作协议，进一步扩大双方现有合作。该协议将涉及两家公司的投资，以推动富士通
2023-06-05 19:45:01379 我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
富士通将利用在不同行业的先进技术、技能和知识提供以人为本的数字服务、数据驱动的应变能力和互联互通的生态系统，以推动可持续转型。——富士通（中国）信息系统有限公司副总裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器
2023-05-19 15:59:37
是易失性存储介质，在系统停电或故障的情况下，它们无法维护存储的数据。
在为嵌入式应用程序选择存储设备时，不仅要考虑存储介质的类型，还要考虑存储容量、速度、耐用性（寿命）和成本。每种存储技术都有其独特
2023-05-18 14:13:37
在F407板载uart用完的情况下，怎么和PC交互？能主动收发数据
2023-05-12 15:41:12
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
富士通电子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只读取数据区不写入数据，请告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 51单片机外扩数据存储器最大的容量是多少？可以达到50MB吗？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
内部引导模式。当我们尝试通过串行下载程序对熔丝进行编程时，出现错误，提示未找到外部存储器。我们如何在不读取 boot_cfc2[2:0] 并连接到外部存储器的情况下对保险丝进行编程？
2023-04-03 07:03:34
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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