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在分析传统SRAM存储单元工作原理的基础上,采用VTC蝴蝶曲线,字线电压驱动,位线电压驱动和N曲线方法衡量了其静态噪声容限。
在这种背景下,分析研究了前人提出的多种单元优化方法。这些设计方法,大部分仅仅优化了单元读、写一方面的性能,另一方面保持不变或者有恶化的趋势;单端读写单元往往恶化了读写速度,并使灵敏放大器的设计面临挑战;辅助电路的设计,往往会使SRAM的设计复杂化。
为了使SRAM存储单元的性能得到整体的提升,本文提出了读写裕度同时提升的新型10TSARM单元电路结构,可以很大程度上抑制传统6T存储单元读操作时"0"节点的分压问题,提高SRAM存储单元的读静态噪声容限(RSNM),进而提升SRAM存储单元的读稳定性。
在写操作时,用位线电压提供交叉耦合反相器的电源电压,降低了单元维持"1"的能力和一边反相器的翻转点,这样可以很大程度的提高SRAM存储单元的写裕度(WM)。同时,可以优化SRAM存储单元的抗PVT波动能力,并且可以降低SRAM存储单元的最小操作电压。
基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为1.05V时,和传统6T单元相比,RSNM提升了 2.19倍,WM提升了 2.13倍。同时,在单元读写操作时,错误率较低。另外,新型单元的最小工作电压仅为传统的59.19%,拥有更好的抗工艺变化能力。
基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计
- sram(117305)
- sram存储(2577)
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千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
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2025-03-23 11:17:401827
1827千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462
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模拟电路设计1-教你如何分析电路（可下载）
按单元电路的功能可以把它们分成若干类，每一类又有好多种，全部单元电路大概总有几百种。下面我们选最常用的基本单元电路来介绍。让我们从电源电路开始一、电源电路的功能和组成每个电子设备都有一个供给能量
2025-03-06 14:12:417
7开关电源的缓冲电路设计
主要通过两种方法 ：一是减小漏电感 ，二是耗散过电压的能量 ，或者使能量反馈 回电源中。减小漏感主要靠工艺 ；耗散过电压 的能量通过与变压器或者开关管并联的缓 冲电路；能量反馈 回电源则采用附加的线圈
2025-03-05 14:58:29
28nm！印度今年将推出首款 “国产芯片”
电子发烧友网综合报道 近日，拉美社报道称，印度铁道、通信以及电子和信息技术部长阿什维尼・瓦伊什瑙透露，印度今年将拥有首款国产芯片。 据悉，印度首款芯片采用 28 纳米制程工艺，由塔塔电子与力积电
2025-03-05 00:20:001013
1013电压抬升电路设计与实验
一、实验目的掌握集成运放电压放大电路设计基本方法。掌握基本仪器使用方法（电源、信号发生器、示波器）。二、实验内容及结果实验内容基于集成运放设计一传感器信号采集电路。传感器输出信号在±50mV，频率为
2025-02-26 19:33:234613
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《典型电子电路设计与测试》阅读体验
今天阅读《典型电子电路设计与测试》这本书。第一章讲的是运算放大器电路。这里介绍同向放大电路和反向放大电路。它们的主要区别在于输入信号的接入方式以及输出信号的相位。1. 同向放大电路电路结构：输入
2025-02-23 14:01:14
【「典型电子电路设计与测试」阅读体验】运算放大器电路阅读体验
模拟电路是上大学的时候，很多知识都忘记了，我根据《典型电子电路设计与测试》书，也查找了一些资料，跟大家分享一下，以同相放大电路为例：
1、偏置点分析
书中给提供了电压增益、输入阻抗、输出阻抗，电阻对输出
2025-02-23 10:56:55
双MOS组成防反灌电路-防倒灌电路设计
MOS管防倒灌电路设计如下图所示：在某些应用中，如电池充电电路中，B点是充电器接口，C点是电池接口，为了防止充电器拔掉时，电池电压出现在充电接口。（Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路）注意Q3的DS
2025-02-21 10:01:303923
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UPC277G2采用CMOS工艺的通用比较器，适用于低电压、低功耗和快速响应
μPC277、μPC393 是双比较器，设计用于单电源供电。其特性包括低电压作、V− （GND）
级的共模输入电压、集电极开路输出和低电流消耗。此外，这些产品可以使用分离电源工作，并广泛用于各种
2025-02-20 17:44:46967
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集成电路制造工艺中的伪栅去除技术介绍
本文介绍了集成电路制造工艺中的伪栅去除技术，分别讨论了高介电常数栅极工艺、先栅极工艺和后栅极工艺对比，并详解了伪栅去除工艺。 高介电常数金属栅极工艺 随着CMOS集成电路特征尺寸的持续缩小，等效栅氧
2025-02-20 10:16:361303
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《典型电子电路设计与测试》阅读体验
探索电路设计宝藏——《典型电子电路设计与测试》第二章阅读体验
在电子技术的璀璨星空中，电路设计无疑是最为耀眼的领域之一。而《典型电子电路设计与测试》这本书，宛如一座熠熠生辉的灯塔，为电路设计
2025-02-18 15:28:10
紫光同创FPGA权威开发指南，原厂携手小眼睛科技技术专家联合编著
100Pro+开发板（型号：MES2L676-100HP）采用紫光同创28nm工艺Logos2系列PG2L100H-6IFBG676, 拥有100k等效LUT4，DDR3数据交互时钟频率最高到533MHz，2
2025-02-17 16:33:20
数字电路设计中:前端与后端的差异解析
本文介绍了数字电路设计中“前端”和“后端”的区别。 数字电路设计中“前端”和“后端”整个过程可类比盖一栋大楼：前端好比建筑师在图纸上进行功能和布局的抽象设计，后端则是工程队把图纸变成实体建筑的过程
2025-02-12 10:09:551497
1497纳祥科技低噪声、低电压轨对轨运放NX721，国产替代SGM721
NX721具有11MHz的高增益带宽乘积和8.5V/μs的转换速率。它采用掉电禁用功能，可将电源电流降至1μA以下，适用于低电压和低噪声系统的应用；在设计中，NX721提供轨到轨输出摆幅至重负载，并输入共模电压范围包括地，最大输入失调电压为4mV。
2025-02-05 17:29:431362
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芯片先进封装硅通孔(TSV)技术说明
，HBM）依靠在台积电的28nm工艺节点制造的GPU芯片两侧，TSV硅转接基板采用UMC的65nm工艺，尺寸28mm×35mm。
2025-01-27 10:13:003792
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模拟电路设计的注意事项
在现代电子技术中，模拟电路设计扮演着至关重要的角色。无论是在通信、音频处理还是传感器应用中，模拟电路都是不可或缺的。然而，模拟电路设计也面临着许多挑战，包括信号完整性、噪声抑制、电源管理等。 1.
2025-01-24 09:28:361159
1159电子工程师的电路设计经验分享
本文分享了电子工程师在电路设计方面的丰富经验，包括项目开发步骤、电路设计核心思想、元器件选择与优化等内容，旨在帮助初学者快速提升电路设计能力。
2025-01-21 15:13:541346
1346创飞芯90nm BCD工艺OTP IP模块规模量产
实现了量产。90nm BCD 工艺将高密度低压逻辑晶体管与经过优化的高压晶体管相结合，创飞芯 OTP 技术的加入，使 90nm BCD 工艺成为诸如显示驱动器和电源管理集成电路（PMIC）等复杂混合信号器件的理想平台。
2025-01-20 17:27:471647
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