美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。
2012-05-18 09:25:34
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美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:012900 美高森美公司（Microsemi ）宣布扩大RF功率产品线，推出DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗 （industrial、scientific and medical，ISM） 应用的RF产生器中使用，包括
2012-06-05 09:31:441087 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:282027 Microsemi宣布提供新一代工业温度碳化硅（silicon carbide，SiC）标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。
2013-01-25 11:50:121464 Space、SpaceX及其项目分包商成功发射首批10颗Iridium NEXT卫星。Iridium NEXT是Iridium新一代卫星群，代替及增强其覆盖全球的现有近地轨道卫星网络。该项目采用了美高森美20多万个非常适合卫星通信应用的器件。
2017-03-28 01:02:301941 与600V IGBT3一样，新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念（如图1 所示），但与600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大约15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:322459 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
电子发烧友网综合报道 最近，意法半导体推出了一款面向大功率家电应用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2，该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑
2025-07-28 07:29:003535 40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
容量为1200A/2400V，根据大功率斩波的需要，通常，额定工作电流为400A——1500A，考虑到器件工作安全，必须留有2倍左右的电流裕度，再结合本文前述的IGBT最大电流标称问题，单一器件无法
2018-10-17 10:05:39
按照大功率 igbt 驱动保护电路能够完成的功能来分类，可以将大功率 igbt 驱动保护电 路分为以下三种类型：单一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在100a～600a范围的场合。详情见附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
igbt驱动保护电路进行分类，并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，最后展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
详情见附件大功率IGBT驱动的技术特点及发展趋势分析1 引言由于igbt具有开关频率高、导通功耗小及门极控制方便等特点，在大功率变换系统中得到广泛的应用。在igbt应用中，除其本身的技术水平以外
2021-04-20 10:34:14
；第四步：打开电源开关；第五步：开始测试；第六步：数据处理； 最后得到的曲线如下图：测试器件为CM400HA-24H@Vgs=15.0V六：测量CM400HA-24H大功率IGBT步骤第一步：关闭电源
2015-03-11 13:51:32
按照大功率igbt驱动保护电路能够完成的功能来分类，可以将大功率igbt驱动保护电路分为以下三种类型:单一功能型、多功能型、全功能型。2.1 单一功能型 单一功能型的大功率igbt驱动保护电路一
2012-07-09 15:36:02
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
整流的应用。 8、产品无铅 , 符合 RoHS 指令。相比普通的功率电感或色环电感来说,尽管所起到的作用是一样的，但是大功率电感在高性能要求电路上所起的作用是普通功率电感不能代替的。
2015-03-23 16:35:29
MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT.与最佳竞争产品和前代产品相比，该器件具有Eoff较小的特性。总之，新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。
2018-09-30 16:10:52
美高森美MSAD165-16整流模块能用ASEMI的 MDA165-16代替吗?
2017-05-27 14:54:59
FCI为混合动力及电动汽车推出大功率连接器设计
2021-05-10 06:18:51
功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。美高森美的SP6LI产品系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模块而设计的最低杂散电感封装之一，具有五种标准模块，在外壳温度(Tc)为80°C的情况下，提供从
2018-10-23 16:22:24
电压能力相结合。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为单个器件中开关的双极型功率晶体管组合在一起。安森美半导体推出TO247-4L IGBT系列，具有强大且经济实惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械
2010-05-04 08:07:47
PrimePACK™是英飞凌推出的最新一代大功率IGBT 模块，它集合了最新的芯片和封装 技术，在大功率场合很受欢迎。光伏逆变器追求高效率，PrimePACK™的芯片和封装技术能 大大降低IGBT 总损耗从而提高光伏
2018-12-07 09:24:53
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
经常有客户想要大功率输出的电源芯片，但是又考虑成本过高？我们银联宝有一款U321电源芯片，可以大功率输出，又电路极简，成本低，性能高！具有良好的线性调整率和负载调整率。U321电源芯片是集成
2020-03-18 14:37:05
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
请教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么检测呢？
2023-05-16 17:15:04
600V IGBT3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
供应igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7 ，具有较低的导通损耗和开关损耗，SGTP75V65SDS1P7可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:11:03
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨
2009-10-09 09:56:012995 
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:501064 
三菱电机推出新一代功率半导体模块
三菱电机株式会社推出新一代功率半导体模块：第6代NX系列IGBT模块。第6代NX系列IGBT模块用于驱动一般工业变频
2010-03-24 18:01:351527 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181779 深圳美隆电子推出大功率电阻产品 近日，国内知名电容电阻生产企业美隆电子为了更好的配合客户生产需要，强势推出大功率电阻产品，此产品常用于医学设备
2010-04-17 16:47:23824 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:262309 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频(digital radio frequency, DRF)系列混合模块为基础
2011-07-06 09:11:50992 对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论，介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
2012-05-02 14:50:48
137 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 推出新一代1200V非穿通型（non-punch throu
2012-05-18 10:52:17706 
大功率IGBT驱动技术的现状与发展
2012-06-06 11:52:238640 
晶能光电（江西）有限公司近日成功研制出新一代硅基大功率LED芯片产品。
2012-06-19 10:12:451186 大功率igbt驱动保护电路的功能
2012-07-09 12:02:015842 高压大功率IGBT驱动型号介绍
2012-09-03 18:20:2675 功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供应商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非贯穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新产品
2012-09-13 10:08:172071 
美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）宣布其新一代1200V非穿通型（non-punch through， NPT） IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。
2013-04-03 11:27:231091 致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 现在宣布推出用于工业、商业、航空、国防、通信和安全应用的IGLOO®2现场可编程门阵列（FPGA）系列产品。
2013-06-27 15:07:162345 致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体（VDMOS） MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压（V） VRF2944
2013-09-16 14:08:451118 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 扩展碳化硅（SiC）肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
2013-10-30 16:09:571171 2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 2015年4月，深圳费思科技推出了重磅产品：高性能的大功率可编程直流电源FTH系列。该电源具有目前国际上最先进的技术水平和技术指标，是国产测试测控电源领域的重大突破。
2015-04-08 16:51:372235 IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理，感兴趣的小伙伴们可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 双路智能大功率IGBT驱动器
2017-03-04 17:50:193 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司宣布推出新一代存储输入/输出(I/O)控制器产品 SmartROC 3100和SmartIOC 2100。这两款产品均由公司统一智能存储堆栈(Unified Smart Storage Stack)推动。
2017-04-08 01:13:071364 
美高森美公司（Microsemi） 发布了新一代先进的SmartFusion2 SoC FPGA评测工具套件。新一代SmartFusion2评测工具套件是一款定位于易于使用、功能丰富、价格相宜
2018-09-14 15:41:001919 Infineon公司是出界上著名的半导体生产商，其生产的“EUPEC”IGHT在世界范围内占有很大部分份额。其配套生产的EiceDriver系列IGBT驱动器也在工业领域广泛应用。对于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:0020529 
作为碳化硅技术全球领先企业的科锐（Cree Inc．， 美国纳斯达克上市代码：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 650 V 场截止 IGBT 如何帮助将厨房烹饪提升到一个全新的水平。 电磁炉制造商正在努力增加最大功率并减少烹饪时间，同时实现高系统效率以满足严格的能源之星标准。 这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新的要求，这些 IGBT 是感应加热系统中的关键
2021-06-01 14:56:252726 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势： 没有Si二极管的反向恢复
2021-03-26 16:40:203459 
IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术(通信电源技术2019第七期)-该文档为基于IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看
2021-09-22 12:39:1954 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:265831 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:251901 
1700V以下大功率IGBT智能驱动模块使用手册 （采用100%国产化元器件设计） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为100%国产化需求企业推出的一款可靠、安全的高性能驱动模块
2023-02-16 15:01:5514 ，自行研制出各种专用的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类，
并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，最后展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、
输出电
2023-02-24 10:51:3623 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器，产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:401608 
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:273418 
骊微电子供应SVF7N65F/T/S650v10a大功率mos管提供svf10n65f电路图，更多产品详细参数、规格书及相关资料请士兰微MOS代理商骊微电子申请。>>
2022-03-30 15:42:475 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源，提供SGTP75V65SDS1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:198 IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
电子发烧友网站提供《5V转220V新一代无变压器大功率升压模块XKT203-08介绍.docx》资料免费下载
2024-02-26 09:12:44159 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:192224 德州仪器（TI）近日推出了一款具有划时代意义的650V三相氮化镓（GaN）集成电源模块（IPM）——DRV7308，专为250W电机驱动器应用量身打造。这款全新的GaN IPM凭借其卓越的性能，为大型家用电器及加热、通风和空调（HVAC）系统的工程师们带来了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457 难以满足这些应用的需求。因此，大功率IGBT和SiCMOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。本文将介绍并联设计的关键要点，并推荐安森美(onsemi)的几款相应产品。
2024-08-01 15:27:463073 
Navitas半导体公司日前宣布扩展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面贴装TOLL(无引脚晶体管外形)封装。这种新型封装专门针对高功率
2024-08-05 11:25:201265 
适用于高电压、大功率的应用场景，如工业电机驱动、电力传输等。 PT（Punch Through，穿透型）IGBT PT IGBT是一种改进的IGBT结构，具有较低的导通损耗和较
2024-08-08 09:11:335020 电子发烧友网站提供《汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能.pdf》资料免费下载
2024-09-24 11:27:100 森国科近期推出的650V/60A IGBT（型号：KG060N065LD-R），凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能，在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59898 森国科推出的650V/6A IGBT（型号：KG006N065SD-B）在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:131162 
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片，带热敏电阻（NTC）和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16:081125 近日，中国中车集团旗下中车大连公司自主研制的新一代D180-20型大功率高速柴油机启机点火成功。
2025-01-17 10:40:13899 标志着ROHM在高性能功率半导体领域取得了又一重大突破。 TOLL封装以其紧凑的体积、卓越的散热性能以及出色的电流容量和开关特性而备受瞩目。这些优势使得TOLL封装在工业设备、车载设备以及大功率应用领域
2025-02-18 10:03:531194 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
概述 MG600HF065TLC2是一款电压等级为650V、额定电流高达600A的高性能IGBT模块。采用先进的沟槽技术，模块实现了极低的饱和压降，显著提升了能效表现。内置超快软恢复反并联二极管，模块最高结温可达175℃，并具备3000A的短路电流承受能力（6μs），特别适合高功率
2025-06-19 16:56:42530 
随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升，IGBT作为电力电子系统的核心开关器件，其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求，龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:301877 
在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中，功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65，凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻，为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:101414 UWB650Pro 是思为无线推出的新一代高性能 UWB 无线通信模块，相比 UWB650，具备更低功耗、更小体积和优化引脚设计，支持 Mesh 自组网、高精度定位、测距及数据透传，兼容 UWB650 软件协议，实现平滑升级，适用于工业生产、室内定位、矿井及医疗人员定位等场景。
2025-11-25 17:52:112690 
在功率半导体领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）一直扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的场截止沟槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611 
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