美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
2024-03-28 10:01:09
2465 
科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:16
1341 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:00
1692 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
高等特点,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 SiC MOSFET在开发与应用方面,实现了传统型半导体(Si)实现不了的低损耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
每个桥臂需要4个MOSFET以及各自的驱动,增加了系统复杂度,再比如每个桥臂需要各自的钳位二极管,增加了系统成本。 本文中,将介绍我们8KW LLC变换器的设计方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合,可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管,也是一个不错的选择,与纯硅解决方案相比,可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (3)碳化硅有高的热导率
2019-01-11 13:42:03
。 正向导通压降VF:衡量二极管正向导通性能最重要的参数,对工程师而言,需要更关注VF与Tj的依赖性关系。这里以基本半导体650V 10A TO-220封装碳化硅肖特基二极管为例进行说明。 图(5
2023-02-28 16:55:45
。 相对应的,硅材料的禁带宽度较低,在较低的温度下硅器件本征载流子浓度较高,而高的漏电流会造成热击穿,这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。 碳化硅肖特基二极管与硅快速恢复二极管 耐压
2023-02-28 16:34:16
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:48 编辑
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点,在电子器件领域有着
2022-02-17 14:36:16
具有明显的优势。UnitedSiC的1200V和650V器件除了导通电阻低,还利用了低内感和热阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的导通电阻值比较 Anup Bhalla说,碳化硅的优点
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造,外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
泛的宽禁带半导体材料之一,凭借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身优异的半导体性能,在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物,原子间结合的键很强,它具有以下一些独特的性能,因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
已经成为全球最大的半导体消费国,半导体消费量占全球消费量的比重超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,极低反向电流 ,无反向恢复电流 ,低电容电荷, 提高效率,降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
模块的可靠性和耐用性。低电感设计:电感值为6.7 nH,有助于降低系统中的电感效应,提高功率转换效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化温度传感器
2025-06-25 09:13:14
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
小轻薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性:⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势:⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
系统能做得越小巧,则电动车的电池续航力越高。这是电动车厂商之所以对碳化硅解决方案趋之若鹜的主要原因。相较于碳化硅在大功率电力电子设备上攻城略地,氮化镓组件则是在小型化电源应用产品领域逐渐扩散,与碳化硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率适配器为了减小对电网的干扰,都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器,基本也离不开碳化硅二极管,第三代半导体材料几乎都是同时出现,强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
的功率半导体器件选型,并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。 02 图腾柱无桥PFC拓扑分析 在正半周期(VAC大于0)的时候,T2为主开关管。 当T2开通时,电感L储能,电流
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能简化高压输入隔离DC/DC变换器拓扑且具备高效能、高可靠性等明显优势,适合应用在中大功率新能源领域。其主要特点如下:碳化硅MOSFET高阻断电压(一般大于1000V)能够简化拓扑
2016-08-05 14:32:43
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性,使器件可工作在更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性,使电力
2023-02-22 16:06:08
12V电气系统,难以供应较多的大功率设备,而新能源电车的电力平台可支撑更多的智能设备载荷,但同时对散热要求就高。 因此,碳化硅封装基板就是很好的选择,因为它有超高的热导率,能及时散去电源系统中的高热量
2020-12-09 14:15:07
小于5ns; · 选用低传输延时,上升下降时间短的推挽芯片。 总之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时,对于驱动器也提出了更高要求,为了让碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-19 16:08:18
1199 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26
975 
•正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 3A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 •正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数,易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数,易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:19
0 Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案,其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。
2017-06-20 14:33:22
1728 推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:17
9301 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果,让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势,性能一代更比一代强。因此,G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代,在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
4926 
作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:56
4450 同被称为第三代半导体材料的氮化镓(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低压功率器件及射频和光电领域,而碳化硅(SiC)则主要用在650V以上的高压功率器件领域。
2020-06-24 15:56:04
3591 
森国科针对大功率快充推出了两款碳化硅二极管,赋能高功率密度快充产品。该两款产品型号为:KS06065(650V/6A)、KS10065(650V/10A),KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4种封装。
2021-03-10 16:24:21
3243 碳化硅已被证明是高功率和高电压设备的理想材料。但是,设备的可靠性极其重要,我们不仅指短期可靠性,还指长期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但可靠性和坚固性是碳化硅成功的关键。全球有 30
2022-08-09 08:02:07
3141 
由于碳化硅材料的带隙很宽(4H型碳化硅在室温下约为3.26eV),碳化硅器件能够在很高的温度下工作而不至于因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓(GaAs)的5~20倍12。这一高极限电场可以用来制造高压、大功率器件。
2023-02-09 09:47:59
1092 
下面我们拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件说明。碳化硅 (SiC)二极管采用全新技术,提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。目前主流的能量产而且性能稳定的碳化硅二极管电压为650V
2023-02-21 09:59:54
2465 
SiC碳化硅二极管起步电压为650V,电流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为:KN3D06065F(650V碳化硅二极管,电流6A,贴片
2023-02-21 10:12:24
4172 
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34
2338 大功率电源PFC电路推荐,瑞森半导体碳化硅二极管,可提升大功率电源的功率密度和效率,减少体积和降低成本,同时实现更高的环保效率。
2023-08-18 11:05:26
864 
大功率电源PFC电路推荐,瑞森半导体碳化硅二极管,可提升大功率电源的功率密度和效率,减少体积和降低成本,同时实现更高的环保效率。
2023-08-18 11:21:40
1182 
碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
4326 具备行业领先的温控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。 加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯 —GaNFast
2024-06-11 15:46:17
1561 电子发烧友网站提供《STPSC12C065-Y汽车650V功率肖特基碳化硅二极管规格书.pdf》资料免费下载
2024-09-05 11:36:56
0 在电力电子领域,碳化硅(SiC)功率器件正以其独特的性能和优势,逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,使得碳化硅功率器件在高温、高频、大功率应用领域展现出显著的优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-09-13 10:56:42
1990 
Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统
2024-10-24 10:51:36
2 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
1780 
650V碳化硅MOSFET(如BASiC基本股份)在AI服务器电源中的高能效解决方案 一、AI服务器电源的核心需求与挑战 AI服务器电源需满足高效率、高功率密度、低热耗散和高可靠性四大核心需求。随着
2025-02-08 07:56:07
1203 
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特点 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压具有正
2025-02-25 17:03:23
871 
:SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压
2025-02-25 18:13:42
813 
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频
2025-02-26 16:54:52
783 
的电源转换需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流
2025-02-26 17:07:13
727 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46
774 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16
854 
/DC转换器等,满足多种电子设备的电源转换需求。 *附件:SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度
2025-02-27 17:32:44
805 
、高浪涌电流能力且 100% 经过 UIS测试等特性。这些特性有助于提升系统效率、减少散热需求、降低开关损耗,还能实现器件并联而无热失控风险。 *附件:SiC SBD-P3D06008G2 650V
2025-02-27 18:25:13
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P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:12:48
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SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 TO-220-2 封装 超快速开关 零反向恢复电流 高频运行 正向
2025-02-28 17:21:08
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浪涌电流能力且 100% 经过 UIS 测试等特性。符合 RoHS标准,能提升系统效率、减少散热需求、降低开关损耗,器件并联无热失控风险。 *附件:SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅
2025-02-28 17:52:15
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P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装。其通过了 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行等特性,正向电压具有
2025-02-28 18:21:04
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随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:44
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布扩大碳化硅 (SiC) 产品组合,推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管
2025-05-12 16:06:34
898 在电源设计领域,器件的性能直接影响着整个系统的效率、可靠性和成本。今天,我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的碳化硅(SiC)肖特基二极管NDSH30120CDN,这款器件以其卓越的性能,为电源设计带来了全新的解决方案。
2025-12-01 15:44:46
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作为电子工程师,我们在电源设计领域总是不断追求更高的效率、更快的频率和更小的体积。碳化硅(SiC)肖特基二极管的出现,为我们带来了新的解决方案。今天就来详细分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55
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在当今电子设备对电源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下,碳化硅(SiC)肖特基二极管凭借其卓越的性能,逐渐成为电源设计领域的热门选择。本文将详细介绍安森美(onsemi)的一款40 A
2025-12-05 10:52:49
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在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐渐成为众多应用的首选。今天,我们就来深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25
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