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新品 | 采用650V逆导型R6系列IGBT3千瓦半桥感应加热评估板

英飞凌工业半导体 2022-03-01 09:32 次阅读
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新品

EVAL-IHW65R62EDS06J

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这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVER IGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应加热而设计

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这块感应加热半桥评估板EVAL-IHW65R62EDS06J采用新一代650V逆导型R6系列IGBT,产品针对100kHz的谐振开关应用感应加热而设计。评估板展示了R6 IGBT的功能和关键特性,展示了R6 IGBT与基于英飞凌SOI技术的EiceDRIVER IC的功能和关键特性。

产品特点

该板是一个典型的半桥拓扑结构电磁炉系统

采用新一代的650V逆导型R6系列IGBT单管

带四种不同的栅极驱动IC(EiceDRIVER 2ED2x系列)子板

这块评估板可以在设计过程用于评估和测量系统和器件特性

输入电压:180-270Vdc

最大辅助电源电压:20Vdc

标称输出功率:3千瓦

应用价值

易于测量IGBT的波形

易于更换谐振线圈

易于评估不同的栅极驱动IC

直接贴近器件进行热测量

应用领域

感应加热

变频微波炉

框图

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