650V场截止IGBT 现代厨房技术分析

现代厨房技术现在涉及感应烹饪，以提供更简单的方法和更快的食物准备。由于不同制造商品牌在市场上竞争，秘诀在于感应加热器可产生更多功率输出，从而缩短烹饪时间。本文档将简要介绍 Fairchild 的新型 650 V 场截止 IGBT 如何帮助将厨房烹饪提升到一个全新的水平。

电磁炉制造商正在努力增加最大功率并减少烹饪时间，同时实现高系统效率以满足严格的能源之星标准。

这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新的要求，这些 IGBT 是感应加热系统中的关键功率半导体。考虑到灶具的使用寿命可能长达 10-15 年，合适的 IGBT 可以提供低功率损耗、高效和高可靠性能力，从而在灶具的使用寿命内发挥作用。

根据系统要求，FGH40T65SHDF 等 650V 场截止 (FS) 沟槽 IGBT 非常适合电磁炉和逆变技术微波炉的软开关应用。与之前的 600V 场截止平面 IGBT 技术相比，650V FS 沟槽 IGBT 技术具有更低的传导损耗，因为 Vce(sat) 特性降低了 24%（图 1）。击穿电压额外高出 50V，可提供更大的系统设计余量和可靠性优势。

600V FS Planar vs. 650V Field Stop Trench IGBT Vce(sat)

最后，与上一代 600V 场截止平面 IGBT 相比，新型 650V FS 沟槽 IGBT 还具有更低的 Eoff 或尾部损耗（图 2）。

Eoff 特性比较（输入功率：3KW 条件） 图3 是IH Cooktop 设置条件下的损耗汇总和比较；Fsw=25kHz，（输出功率）Pout：2.5KW。新的 650V 场截止沟槽 IGBT 将总损耗降低了 17% 以上。

图3显示了IH Cooktop设置条件下损失的总结和比较；Fsw=25kHz，（输出功率）Pout：2.5KW。

新的 650V 场截止沟槽 IGBT 将总损耗降低了 17% 以上。

新型 650V 场截止沟槽 IGBT 和 600V 场截止平面 IGBT 之间的损耗分析汇总比较

需要高能效、高度可靠的 IGBT 用于软开关应用（如电磁炉和逆变技术微波炉）的设计人员应该考虑新的 650V 场截止沟槽 IGBT。新的场截止沟槽 IGBT 技术能够优化开关损耗和传导损耗之间的平衡。

编辑：hfy