扬杰科技推出用于PD电源的N100V MOSFET产品
扬杰科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品
#1产品介绍
N100V MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
产品优势：
1.采用最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特性优异；
2.采用PDFN5*6-8L 封装，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的各种工作状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性。
#2电性参数
#3典型应用
PD充电器
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电源
+关注
关注
185文章
18986浏览量
264549 -
MOSFET
+关注
关注
151文章
10813浏览量
234967 -
扬杰科技
+关注
关注
1文章
158浏览量
12407
原文标题：新品发布|泰酷啦！N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
文章出处：【微信号：yangjie-300373，微信公众号：扬杰科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
探索 onsemi FDBL0200N100 N 沟道 MOSFET 的卓越性能
onsemi 推出的 FDBL0200N100 N 沟道 MOSFET，了解其特点、应用场景以及关键参数。 文件下载： FDBL0200N100
Onsemi MOSFET：N-Channel 100V 器件的技术剖析
Onsemi 推出的 N-Channel 100V MOSFET 系列产品，包括 NTB6412AN、NTP6412AN 和 NVB641
安森美100V N沟道MOSFET：NVMFS016N10MCL的特性与应用解析
安森美（onsemi）推出的一款高性能N沟道MOSFET——NVMFS016N10MCL。 文件下载： NVMFS016N10MCL-D.P
Diodes推出超低RDS 100V PowerDI8080-5封装汽车级N沟道MOSFET
Diodes公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）推出行业领先的超低RDS（ON）100V MOSFET，扩充其PowerDI8080-5 汽车级*N沟道
Onsemi N沟道MOSFET FQU2N100和FQD2N100的特性与应用
Onsemi N沟道MOSFET FQU2N100和FQD2N100的特性与应用 在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体
探索 onsemi FQU2N100 和 FQD2N100 N 沟道 MOSFET 的卓越性能
探索 onsemi FQU2N100 和 FQD2N100 N 沟道 MOSFET 的卓越性能 在电子工程领域，功率 MOSFET 作为关键
CSD19531KCS 100V N - Channel NexFET™ Power MOSFET 性能剖析与应用指南
，我就为大家深度剖析德州仪器（TI）推出的 CSD19531KCS 100V N - Channel NexFET™ Power MOSFET，探讨其特性、参数及使用场景。 文件下载
选型手册：MOT100N03MC N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、
扬杰科技推出新一代To-247PLUS封装1200V IGBT单管
扬杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封装1200V IGBT单管，产品采用新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，
Nexperia推出40-100V汽车MLPAK MOSFET
Nexperia（安世半导体）近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合，该系列采用行业标准微引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防
提升AR眼镜防护能力，扬杰科技TVS技术革新
电子发烧友网综合报道，扬杰科技是集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的厂商。公司已经推出了分立器件芯片、MOSFET、IGBT
扬杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列
面对工业电源、BLDC电机驱动、新能源转换系统对功率密度的极致追求，我们正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解决方案。赋能设备向小型化、高频化、高可靠进化!
扬杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技术驱动能源变革
Mosfet新品与微沟槽IGBT单管，前者采用高密度沟槽设计，导通电阻降低20%，适用于服务器电源与消费电子快充；后者通过背面加工工艺优化，饱和压降与关断损耗双降，可提升变频器能效5%以上。 二 技术论坛 共探发展
评论