扬杰科技推出用于PD电源的N100V MOSFET产品
扬杰科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品
#1产品介绍
N100V MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
产品优势：
1.采用最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特性优异；
2.采用PDFN5*6-8L 封装，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的各种工作状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性。
#2电性参数
#3典型应用
PD充电器
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原文标题：新品发布|泰酷啦！N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
文章出处：【微信号：yangjie-300373，微信公众号：扬杰科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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