MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37
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`30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N
2020-10-27 15:40:02
类型：SGT工艺NMOS低开启电压：1.7V封装：TO-252HG160N10L特点：低损耗高频率 大电流低开启电压 低内阻 结电容小低消耗 温升低 转换效率高过电流达 抗冲击能力强SGT工艺 开关损耗小`
2020-12-07 11:02:00
`2014 OPPO N3新品发布会10月29日，新款旗舰OPPO N3将于北京奥雅会展中心举办发布会，我们能从网上看到不少关于N3的曝光消息，随处可见配置、外观甚至是售价的曝光。据传，OPPO
2014-10-28 16:53:52
压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HC021N10L-AMOS管参数：100V35A内阻：22mR（VGS=4.5V）结电容：1880pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
（VGS=10V）内阻：28mR（VGS=10V）结电容：550pF结电容：650pF类型：SGT工艺NMOS类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V开启电压：1.8V封装：TO-252封装：TO-252惠海半导体MOSFET选型表参考：
2021-06-11 14:05:36
MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。PN8306产品特点：■ 内置13mΩ 40V
2020-05-06 15:39:58
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售
2020-09-24 16:34:09
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
。 40N120参数描述型号：40N120封装：TO-220特性：低功耗场效应管电性参数：40A 1200V集电极电流(IC)：40A脉冲集电极电流(ICM)：160A集电极-发射极电压(VCES
2021-12-03 16:38:53
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗
2018-08-27 20:50:45
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电
2019-04-10 06:20:15
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 导通损耗 除了IGBT的电压下降时间较长外，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由
2020-06-28 15:16:35
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间：Td(on）、上升时间：tr
2018-11-28 14:29:57
的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET：R6004KNX的技术规格中摘录的。蓝线框起来的是VGS(th)，条件栏中VDS=10V、ID=1mA，该条件下保证VGS
2019-05-02 09:41:04
，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适用于源极接地的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适用于源
2016-12-26 21:27:50
，特别是在高压的时候，内部的电场外强度大，进一步增加热电效应。因此，使用线性区的功率计算的SOA曲线，和实际的应用偏差非常大。对于大多开关电源和电力电子的应用，功率MOSFET工作在高频的开关状态，完全的导
2016-10-31 13:39:12
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关断的米勒平台区，这个阶段
2017-03-06 15:19:01
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
MOSFET的稳态特性总结1）功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线：2）说明：功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。3）稳态特性总结：门
2021-08-29 18:34:54
MOSFET的稳态特性总结（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线（2）：说明功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。（3）：稳态特性总结
2021-09-05 07:00:00
，功率MOSFET很少接到纯的阻性负载，大多数负载都为感性负载，如电源和电机控制；还有一部分的负载为容性负载，如负载开关。既然功率MOSFET所接的负载大多数为感性负载，那么上面基于阻性负载的开关特性
2016-12-16 16:53:16
，二边的P区中间夹着一个N区，由于二个P区在外面通过S极连在一起，因此，这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58:30
的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P
2016-12-07 11:36:11
MOSFET的稳态特性总结（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线（2）：说明功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。（3）：稳态特性总结
2018-10-25 16:11:27
。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率场效应管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。例如，N沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关，特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离
2021-04-09 09:20:10
杰理AC697N是什么？杰理AC697N有哪些特性？杰理AC697N有哪些优点？AC697N在低功耗、主动降噪、高清音质的表现是什么？
2021-07-02 07:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
150V转3.3V 5V 12V 等不同的输出。
恒流主要是：各种照明场景，包括：舞台灯 车灯 摄影灯 球泡灯 台灯 投影仪 磁吸灯 吸顶灯等等，它们有大功率，大电流，发热小，共阳等特性，往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合
2012-11-12 15:40:55
，特性，驱动以及应用电路。1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P
2012-12-18 15:37:14
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。 MOSFET多数是载流子器件， N沟道
2018-03-03 13:58:23
。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34
MOSFET模型仿真验证Id_Vds有效性MOSFET模型导通电压Vgs(th)验证MOSFET模型导通电阻测试验证与体二极管I-V特性测试电路搭建MOSFET模型体二极管正向电流与正向电压关系I_V性能仿真验证
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗特性前面多次提到过，SiC功率元器件的开关特性优异，可处理
2018-12-03 14:29:26
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
- ID特性 SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N
2017-07-27 17:50:07
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57:20
新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷，输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器，数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器
2012-07-13 10:50:22
性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗
2019-03-06 06:30:00
)：1200V栅极-发射极电压(VGES)：±25VG-E阈值电压(VGE)：5.5VG-E漏电流(IGES)：250nA工作温度：-55~+150℃引线数量：3 什么是MOS管40N120的导通特性
2021-12-29 16:53:46
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
中低压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HG012N06LMOS管参数：60V50A内阻：14mR（VGS=4.5V）结电容：550pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装
2020-07-31 11:03:26
电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个
2019-04-04 06:30:00
上周六华为官方宣布将于北京时间10月22日20点举行华为Mate 40系列新品发布会，而本次发布会除了华为Mate 40系列还将有哪些新品呢？华为本次发布会可能会带来：1、华为Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05:25
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用
2019-11-17 08:00:00
、加湿器、美容仪等电源开关应用30V 60V 100V 150V系列 SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
的阻抗过高，则从MOSFET发出的电流会产生足够高的电压以使其重新导通，寄生导通，从而导致额外的损耗甚至破坏。这个问题也会影响碳化硅MOSFET。 标准功率MOSFET最高可达800 V，有少数
2023-02-20 16:40:52
通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合
2020-03-10 17:30:59
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 26 A Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms Vgs
2020-03-31 17:08:29
`海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管VGS（TH）（-大）@标识:5.5V @ 4mA:30V技术:MOSFET (metal Oxide)RDS（ON）（-大值）@标识，栅极电压
2020-03-20 17:11:50
: TO-264-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 150 A Rds On-漏源导通电阻: 8.3 mOhms
2020-03-05 11:04:07
的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。1、MOSFET栅极电荷特性与开关过程基于栅极电荷的MOSFET的开通过程如图1所示，此图
2016-11-29 14:36:06
没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响，就会发现，功率MOSFET的正温度系数只有在MOSFET进入稳态完全导通后的状态下才能成立，在开关瞬态的过程中，上述理论
2016-09-26 15:28:01
电流值。AON6590(40V，0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为电流ID，对于
2016-08-15 14:31:59
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
进一步减小，甚至消除。 结论 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET，从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在
2011-08-17 14:18:59
PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 内建横向电场MOSFET的主要特性 1、 导通电阻的降低 INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，
2010-11-11 15:34:22
201 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程
2011-09-14 17:39:1765 特点和优势
1、国内第一颗采用SGT技术的P-100V的MOSFET产品；
2、P Channel产品在负载开关应用中，电路更简洁，高效；
2020-10-21 15:51:542267 的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。 SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法，因其不需要在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层，同时Bsg具有良好的高温回流特性，具备良好的沟槽填充能力，可以将沟槽CD极大程度缩小
2020-12-25 14:02:0728404 MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:429130 DYA-X40D150-P7台信环型接近开关
2021-07-29 14:50:371 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 揭秘WAYON维安新研发的SGT MOSFET，三大优势前途无量！
2023-01-06 12:59:081797 
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19:242519 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力，适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:28663 
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 中压MOSFET，是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。 在大功率设备中，能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术，这些新发布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49293 
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