辰达半导体推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。

01SGT工艺

超低导通内阻

MDDG03R01G在栅源电压VGS=10V、漏极电流ID=50A的条件下，其最大导通电阻RDS(on)仅为 1.0mΩ。如此低的导通电阻，能够有效降低器件在工作过程中的功率损耗，提高系统的整体效率。

此外，该产品具备极低的反向恢复电荷Qrr，这一特性对于提高开关频率、降低开关损耗至关重要，有助于实现更高效的电源转换和更快速的信号处理。

同时，MDDG03R01G通过了100% UIS 测试，确保了产品的一致性和可靠性，并且完全符合RoHS标准，满足环保要求。

02核心性能与关键参数

01导通与动态特性

低压驱动兼容性：在VGS=4.5V, ID=30A时最大导通电阻仍保持1.6mΩ水准，适配低压控制电路。

低栅极电荷(Qg=61nC)：减少开关损耗，支持高频应用(如400kHz LLC拓扑)。

快速开关响应：开启延迟(td(on))仅10ns。关断延迟(td(off))71ns

超强电流承载：300A持续电流(Tc=25℃)，1200A脉冲电流，满足严苛负载需求。

02工业级可靠性

100%UIS测试：单脉冲雪崩能量

EAS：430.5mJ(VDD=24V,L=0.5mH,IAS=41.5A)，保障感性负载安全性。

宽温工作范围：-55℃~150℃，适应极端环境。

03电性曲线图

04应用场景

1、专为ATX/服务器/电信电源的同步整流而生

0.75mΩ RDS(on)：其低导通电阻和高开关性能能够显著提升电源的转换效率，降低发热，延长设备的使用寿命

低Qrr特性：优化LLC谐振拓扑效率，满载效率提升1.5%

2、工业电机驱动与不间断电源（UPS）

300A持续电流：支持伺服电机、AGV小车瞬间启停，耐受1200A脉冲冲击。

软恢复体二极管：反向恢复时间(trr)82ns，降低EMI干扰。

3、高功率DC-DC转换器

高频开关能力：开启延迟10ns，关断延迟71ns，适配Buck/Boost拓扑。实现高效的电压转换，满足不同负载对电源的需求。

PDFN5×6-8L封装：底部散热焊盘设计，通过大面积铜箔降低热阻。

05选型推荐表

除MDDG03R01G之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。

关 于 我 们

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