电子发烧友App

硬声App

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>新品快讯>IR推出低导通电阻的车用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

IR推出低导通电阻的车用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐
热点推荐

芯源的MOSFET采用什么工艺

采用的是超级结工艺。超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的,用于改善通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低通电阻,并提高MOS管开关速度,基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。
2026-01-05 06:12:51

超结MOSFET的基本结构与工作原理

超结MOSFET(Super-Junction MOSFET,简称SJ-MOS)是一种在高压功率半导体领域中突破传统性能限制的关键器件。它通过在器件结构中引入交替分布的P型与N型柱区,实现了在高耐压下仍保持通电阻的特性,显著提升了功率转换效率与功率密度。
2026-01-04 15:01:461311

MOSFET通电阻Rds

(1)Rds(on)和通损耗直接相关,RDSON越小,功率MOSFET通损耗越小、效率越高、工作温升越。 (2)Rds(on)时正温度系数,会随着MOSFET温度升高而变大,也就是Rds
2025-12-23 06:15:35

新洁能 NCE3080K MOSFET阻高速,功率电路的可靠 MOS 管之选

应用场景中展现出不俗的实力。通电阻,高效节能新洁能NCE3080K的核心优势在于其极低的通电阻(RDS(ON))。在10V的驱动电压下,其典型值仅为3.7毫欧,
2025-12-18 16:36:42217

关于0.42mΩ超低通电阻MOSFET的市场应用与挑战

在电源管理系统和高效电池管理系统(BMS)设计中,MOSFET作为开关元件,扮演着重要角色。由于其通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生,因此通电阻MOSFET成为越来越多高效系统
2025-12-16 11:01:13198

选型手册:VS3540AC P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):-30V,适配低压负电源场景;通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-1
2025-12-10 09:44:34249

VS3615GE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3615GE是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现通电阻与高效能,适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等
2025-12-03 09:53:50217

选型手册:VS1602GMH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS1602GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装,凭借1.9mΩ极致通电阻与170A大电流承载能力,适用于中压大电流DC
2025-12-03 09:23:07264

选型手册:VS4610AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4610AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、快速开关特性与高可靠性,适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品
2025-12-02 09:32:01253

选型手册:VSP015N15HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现通电阻与高效能,适配中高压DC/DC转换器、电源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207

选型手册:VS5814DS 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS5814DS是一款面向55V中压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,基于VeriMOS®技术实现通电阻与高效能,适配中压双路电源管理、DC/DC
2025-12-02 09:25:31228

选型手册:VSE002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现极致通电阻,适配低压大电流DC/DC转换器、同步整流、高
2025-12-01 15:32:59189

选型手册:VS4620GP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4620GP是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现通电阻与高可靠性,适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域
2025-12-01 15:07:36169

选型手册:VS4401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4401ATH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封装,凭借1.4mΩ极致通电阻与400A大电流承载能力,适用于低压大电流
2025-12-01 11:10:07189

选型手册:VS3620GEMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3620GEMC是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于FastMOSII技术实现通电阻与高效能,适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关
2025-12-01 11:02:50237

选型手册:VS1401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

1.0mΩ极致通电阻与200A大电流承载能力,适用于中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOS
2025-11-28 12:14:04237

选型手册:VS8402ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS8402ATH是一款面向80V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,凭借超低通电阻与160A大电流承载能力,适用于中压DC/DC转换器、电源
2025-11-28 12:10:55175

选型手册:VS3618BE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3618BE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、快速开关特性与高可靠性,适用于低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品
2025-11-28 12:07:44160

选型手册:VS4620GEMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4620GEMC是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现通电阻与高效能,适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等
2025-11-28 12:03:51204

选型手册:VS3510AP P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3510AP是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,凭借通电阻与高电流承载能力,适用于低压电源管理、负载开关、DC/DC转换器等领域
2025-11-28 11:22:59207

选型手册:VS3618AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3618AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,凭借通电阻、快速开关特性与高可靠性,适用于低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载
2025-11-27 16:52:11394

选型手册:VS3698AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3698AP是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,基于FastMOSII技术实现通电阻与高效能,凭借105A大电流承载能力
2025-11-27 16:41:49391

选型手册:VS3633GE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3633GE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于FastMOSII技术实现快速开关与高能量效率,凭借通电阻与高可靠性,适用于低压DC/DC转换器、同步
2025-11-27 14:53:22197

选型手册:VSP004N10MSC-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现超低通电阻与高效能,凭借1.00mΩ极致阻、125A
2025-11-27 14:48:33239

选型手册:VSP007N12HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现高效能与快速开关特性,凭借通电阻与高可靠性,适用于中压DC
2025-11-26 15:24:14240

选型手册:VS3618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3618AE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,具备快速开关特性与高能量转换效率,凭借通电阻与高可靠性,适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等低压
2025-11-26 15:21:16231

选型手册:VSP007P06MS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,凭借超低通电阻与高电流承载能力,适用于负载开关、DC/DC转换器、电源管理系统
2025-11-26 15:18:29293

选型手册:VS4020AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4020AP是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,凭借极低通电阻与高可靠性,适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等领域。一
2025-11-26 14:55:52232

选型手册:MOT6180J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6180J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、高可靠性及环保特性,适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一
2025-11-25 15:31:05218

选型手册:MOT4180G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4180G是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性,适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-25 15:23:16209

选型手册:MOT4522J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4522J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-25 15:14:47190

选型手册:MOT1111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT1111T是一款面向100V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1mΩ超低通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术,适用于高功率系统逆变器、轻型
2025-11-24 17:23:08546

选型手册:MOT6556T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6556T是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借0.5mΩ超低通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术,适用于高功率系统逆变器、轻型
2025-11-24 17:04:20514

选型手册:MOT1165G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT1165G是一款面向100V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、高频开关特性及高可靠性,适用于高频开关、同步整流等领域。一、产品基本信息器件
2025-11-24 14:27:27203

选型手册:MOT6522J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6522J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借先进沟槽技术、通电阻栅极电荷特性,适用于负载开关、PWM应用、电源管理等领域。一
2025-11-21 10:57:56177

选型手册:MOT3136D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT3136D是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借2.4mΩ超低通电阻、120A超大连续电流及优异散热封装,适用于功率开关应用、硬开关高频
2025-11-21 10:46:19181

选型手册:MOT2176D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT2176D是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、高可靠性及环保特性,适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一
2025-11-21 10:38:31150

选型手册:MOT3712G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET,凭借-30V耐压、通电阻及高电流承载能力,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道
2025-11-21 10:31:06233

选型手册:MOT6929G N+N 增强型 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N增强型MOSFET,集成两颗N沟道单元,凭借60V耐压、通电阻及高电流承载能力,适用于电动工具电机驱动、电动汽车机器人等大功率开关场景。一
2025-11-21 10:24:58204

选型手册:MOT50N03C N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻栅极电荷及快速开关特性,适用于各类开关应用场景。一、产品基本信息器件类型:N
2025-11-20 16:22:54302

选型手册:MOT6568J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6568J是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、高可靠性及环保特性,适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一、产品
2025-11-20 16:15:04256

选型手册:MOT6515J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6515J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、高可靠性及环保特性,适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一
2025-11-20 16:06:45264

选型手册:MOT3180G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT3180G是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性,适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-20 15:31:06159

选型手册:MOT4523D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4523D是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借先进沟槽技术、通电阻栅极电荷特性,适用于负载开关、PWM应用、电源管理等领域。一、产品
2025-11-19 15:25:38249

选型手册:MOT8113T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.1mΩ超低通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-19 15:21:04220

选型手册:MOT4383T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借0.8mΩ超低通电阻、400A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-19 15:15:00183

功率MOSFET管的应用问题分析

:绝大多数功率MOSFET管的安全工作区SOA曲线都是计算值,SOA曲线主要有4部分组成:左上区域的通电阻限制斜线、最上部水平的最大电流直线、最右边垂直的最大电压直线以及中间区域几条由功率限制的斜线
2025-11-19 06:35:56

选型手册:MOT3520J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

选型手册:MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子(MOT)推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、高稳定性及无铅封装特性,适用于
2025-11-18 16:08:14326

选型手册:MOT5146T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借4.5mΩ超低通电阻、250A超大电流承载能力及先进沟槽单元设计,适用于高功率系统逆变器
2025-11-18 16:04:11277

选型手册:MOT8120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低通电阻、280A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-18 15:58:04228

选型手册:MOT65R180HF N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借650V耐压、通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204

选型手册:MOT65R380F N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借650V耐压、通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14195

选型手册:MOT4529J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-17 11:27:39241

选型手册:MOT2718J P - 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-沟道增强型功率MOSFET,凭借-20V耐压、通电阻及高效功率处理能力,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-14 16:04:15309

选型手册:MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高密度单元设计实现的超低通电阻,适用于DC/DC转换器、笔记本核心电源等领域。一、产品基本信息
2025-11-14 15:51:42201

选型手册:MOT5130T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借2.8mΩ超低通电阻、211A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-14 12:03:12167

‌SiHR080N60E功率MOSFET技术解析与应用指南

电信、工业和计算应用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的典型通电阻(10V时)和至42nC的超低栅极电荷,从而降低了通和开关损耗,因此可在电源系统 >2kW
2025-11-14 10:32:18365

MDD MOS通电阻对BMS系统效率与精度的影响

在电池管理系统(BMS)中,MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件,其通电阻(RDS(on))参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE,在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339

选型手册:MOT6511J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装,适用于电机驱动(电动工具
2025-11-11 09:34:34187

选型手册:MOT9166T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借6mΩ超低通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-10 16:01:46413

选型手册:MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-10 15:50:16247

选型手册:MOT70R380D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借700V耐压、通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正(PFC)、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277

选型手册:MOT70R280D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借700V耐压、超低通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164

选型手册:MOT10N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压高频供电系统;通电阻(\(R_{DS(o
2025-11-07 10:40:08221

圣邦微电子推出通电阻负载开关SGM25642

圣邦微电子推出 SGM25642,一款 5.5V,15A 峰值电流能力,具备可编程软启动、电流监测和输出放电功能的通电阻负载开关。该器件可应用于笔记本电脑和平板电脑、便携式设备、固态硬盘和手持设备。
2025-11-05 17:24:162153

选型手册:MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39205

选型手册:MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET,凭借超低通电阻、18A大电流承载能力及PDFN小型化封装,广泛适用于DC/DC转换器等高
2025-11-05 12:01:34245

选型手册:MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性,广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域
2025-11-04 15:59:03238

‌STL320N4LF8 N沟道功率MOSFET技术解析与应用指南

通电阻和开关损耗,同时优化体漏极二极管特性。该MOSFET节能,确保电源转换和电机控制电路中的噪声
2025-10-29 15:48:51507

STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技术解析与应用指南

意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术,具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷,实现更快、更高效的开关。
2025-10-29 15:34:56474

‌STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技术的超高效功率MOSFET解析

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术,利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。
2025-10-23 15:08:58415

圣邦微电子推出高性能N沟道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微电子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐压、通电阻、输入电容、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。
2025-10-14 17:34:482209

扬杰科技推出用于PD电源的N100V MOSFET产品

N100V MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术,具有较低的通电阻Rdson和栅极电荷Qg,明显降低通和开关损耗,同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
2025-09-15 09:57:56624

TPS22995通电阻负载开关技术解析与应用指南

Texas Instruments TPS22995通电阻负载开关支持可配置上升时间,以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET,并且支持3.8A的最大连续电流。
2025-09-02 14:57:49637

一文探究SiC MOSFET的短路鲁棒性

SiC MOSFET具有通电阻、反向阻断特性好、热导率高、开关速度快等优势,在高功率、高频率应用领域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面临的一个关键挑战是降低特征通电阻(RON,SP)与提升短路耐受时间(tSC)之间的权衡。
2025-08-04 16:31:123053

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141293

MDDG03R01G通MOS 跨越新领域,提升同步整流、DC-DC转换效率

= 50A 的条件下,其最大通电阻 RDS (on) 仅为 1.0mΩ。如此通电阻,能够有效降低器件在工作过程中的功率损耗,提高系统的整体
2025-07-28 15:20:11466

永源微APJ14N65D-650V N-Channel增强模式MOSFET

描述: APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用电荷平衡技术 通电阻栅极电荷性能 APJ14N65F/P/T适用于需要更高的功率密度和突出的效果 一般特性
2025-07-15 16:22:02

中低压MOS管MDD80N03D数据手册

● 沟槽式功率低压MOSFET技术 ● 卓越的散热封装设计 ● 通电阻的高密度单元结构 ● 无卤素环保工艺
2025-07-09 16:20:220

中低压MOS管MDD50N03D数据手册

● 沟槽式功率低压MOSFET技术 ● 卓越的散热封装设计 ● 高密度单元结构实现通电阻 ● 无卤素环保工艺
2025-07-09 16:04:330

中低压MOS管BSS84数据手册

● 沟槽功率低压MOSFET技术● 通电阻 ● 栅极电荷
2025-07-09 15:02:230

永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增强模式MOSFET

描述: APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用电荷平衡技术,通电阻栅极电荷性能。 APJ14N65F/P/T适用于需要更高的功率密度和突出的效率 一般
2025-07-09 13:35:13

扬杰科技推出用于清洁能源的N60V MOSFET产品

扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品,产品采用特殊优化的SGT技术,具有较低的通电阻Rdson和栅极电荷Qg,明显降低通和开关损耗,同时提升了MOSFET抗冲击电流能力,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
2025-06-27 09:43:531352

CoolSiC™ MOSFET G2通特性解析

问题。今天的文章将会主要聚集在G2的通特性上。在MOSFET设计选型过程中,工程师往往会以MOSFET常温下漏源极通电阻RDS(on)作为第一评价要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710

辰达半导体推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
2025-06-11 09:37:31754

MOSFET通电阻参数解读

通电阻(RDSON)指的是在规定的测试条件下,使MOSFET处于完全通状态时(工作在线性区),漏极(D)与源极(S)之间的直流电阻,反映了MOSFET通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09:343808

MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET

在服务器电源、工业驱动及新能源领域,MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求,MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ通电阻与屏蔽栅优化技术,为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。
2025-05-21 14:04:381100

TPS22995 具有可调上升时间的 5.5V 3.5A 20mΩ 通电阻负载开关数据手册

TPS22995是一款单通道负载开关,集成了N-channel MOSFET,具有通电阻(18 mΩ)和可配置的上升时间,用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。
2025-05-07 17:52:38663

新洁能Gen.4超结MOSFET 800V和900V产品介绍

超结MOS采用垂直结构设计,在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区,形成“超级结”单元,通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件,其核心设计通过优化电场分布实现通电阻与高击穿
2025-05-06 15:05:381499

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

3.3mm × 3.3mm 塑料封装 参数 方框图 1. 产品特性 ‌ 超低栅极电荷(Q_g 和 Q_gd) ‌:有助于减少开关损耗。 ‌ 通电阻(R_DS(on)) ‌:在V_GS = 10V时,通电阻为8.1 mΩ,有助于降低功耗。 ‌ 低热阻 ‌:结到壳热阻
2025-04-16 10:35:32787

CSD18510KCS 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET,单 TO-220,1.7mOhm数据手册

电荷 ‌:Qg(总栅极电荷)在VGS=10V时为118nC,有助于减少开关损耗。 ‌ 通电阻 ‌:RDS(on)(漏源通电阻)在VGS=10V时为1.4mΩ,有助于降低传导损耗。 ‌ 低热阻 ‌:结到壳热阻
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

塑料封装 参数 方框图 1. 产品特性 ‌ 通电阻(R_DS(on)) ‌:在V_GS = 10V时,通电阻仅为0.79 mΩ,有助于减少功率损耗。 ‌ 低热阻 ‌:结到壳热阻(R_θJC)仅为0.8°C/W,有助于散热。 ‌ 逻辑电平兼容
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET,设计用于最小化功率转换应用中的损耗。它采用TO-220塑料封装,具有栅极电荷(Qg)和通电阻(RDS(ON)),适用于次级侧同步整流和电机控
2025-04-15 16:23:11772

MOSFET开关损耗计算

损耗对温度关系图 图 2 为 Power MOSFET 之安全工作区示意图,其安全区主要由四个条件所决定:通电阻 RDSON、最大脉波电流 IDpulse、最大功率损耗 PD 及最大耐压 VBR
2025-03-24 15:03:44

ROHM推出超低通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

一文带你读懂MOSFET开关损耗计算!!(免积分)

最大功率损耗对温度关系图 图 2 为 Power MOSFET 之安全工作区示意图,其安全区主要由四个条件所决定:通电阻 RDSON、最大脉波电流 IDpulse、最大功率损耗 PD 及最大耐压
2025-03-06 15:59:14

通电阻骤降21%!Wolfspeed第4代SiC技术平台解析

,Wolfspeed第4代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计,并为 Wolfspeed 的各类产品(包括功率模块、分立元件和裸芯片产品)制定了长远的发展规划路线图。   通电阻大幅下降,开关损耗降低,安全冗余更高   Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技术主要的提升在于三个部分,首
2025-02-13 00:21:001523

SGT MOSFET的优势解析

SGT MOSFET,即屏蔽栅沟槽MOSFET,是一种先进的功率半导体器件。这种技术改变了MOSFET内部电场的形态,将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场,可以进一步减小EPI层的厚度,降低通电阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890

广东佳讯邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,这是必然走向吗?

碳化硅MOSFET以其高开关速度、高温工作能力和通电阻等优势,在电动汽车、太阳能逆变器等领域替代IGBT。尽管IGBT在成本和成熟度上仍有优势,但碳化硅MOSFET有望成为下一代主流功率器件。
2025-01-15 17:40:551101

瑞萨电子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多领域应用

MOSFET的核心亮点在于采用了瑞萨电子创新的晶圆制造工艺——REXFET-1。这项技术有效降低了MOSFET通电阻(Rdson)高达30%,从而显著减少了功率损耗,为
2025-01-13 11:41:38957

已全部加载完成