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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的表面贴装75V MOSFET

IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的表面贴装75V MOSFET

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2023-03-10 09:25:511100

ROHM | 开发出具有业界超低通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157

ROHM开发具有业界超低通电阻的Nch MOSFET

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封和HSMT8封,实现了仅2.1mΩ的业界超低通电阻(Ron)*2,相比以往产品,通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900

资料下载 | 低通电阻 Nch 功率MOSFET(铜夹片型)产品参考资料

列产品的参考资料,助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:021476

RF-Labs表面引脚电阻器和终端

RF-Labs表面引脚电阻器和终端选用Smiths Interconnect专利管脚电阻技术工艺,提供比传统活动图板电阻更高效的功率处理效率,而且不影响宽带性能。从而使得CXH系列特别适合普遍
2023-05-24 08:57:45919

表面电阻器的功率降额

可靠性上也几乎不会发生问题,但目前时代主流的表面电阻器如果使用相同的设计,则会发生电阻器故障,电路板冒烟等事故。为了防止这些事故的发生,同时为了替换小型产品和减少使用数量,有必要根据表面电阻器的条件进行降额。
2023-06-14 16:53:003918

平面栅和沟槽栅的MOSFET通电阻构成

两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部,挖出来的沟槽里面,叫做沟槽型MOSFET针对两种不同的结构,对其通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:026122

电子表面技术SMT解析

需要进行表面的电子产品一般由印制线路板和表面元器件组成。印制线路板PWB(Printed Wire Board)是含有线路和焊盘的单面或双面多层材料。表面元器件包括表面元件和表面器件两大类。
2023-11-01 15:02:472037

具有业界超低通电阻的Nch MOSFET

的工作效率。在这些应用中,中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“通电阻
2023-11-20 01:30:561060

昕感科技推出超低通电阻的SiC MOSFET器件

近日,昕感科技在新能源领域取得重大突破,推出了一款具有业界领先超低通电阻的SiC MOSFET器件新产品(N2M120007PP0)。该产品的通电阻达到了惊人的7mΩ,电压规格为1200V,将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:571617

具有80V集成功率MOSFET的LM5007 75V 0.5A直流/直流降压转换器数据表

电子发烧友网站提供《具有80V集成功率MOSFET的LM5007 75V 0.5A直流/直流降压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-11 10:16:310

贴片电阻表面电阻有什么不同?

贴片电阻表面电阻在本质上并没有明显的区别,因为“贴片电阻”通常就是指采用表面技术(Surface Mount Technology,简称SMT)的电阻元件,也就是表面电阻。以下是关于
2024-08-05 14:14:341294

锐骏半导体发布全新超低通电阻MOSFET

近日,锐骏半导体正式推出了两款全新的超低通电阻MOSFET产品,为市场带来了更加高效的解决方案。
2024-10-08 15:15:391054

ROHM推出超低通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

【KUU重磅发布】2款100V耐压双MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低通电阻,助力通信基站高效节能

随着通信基站和工业设备电源系统向48V升级,高效、节能的元器件需求日益迫切。KUU凭借先进工艺与封装技术,全新推出2款100V耐压双MOSFET,以超低通电阻和紧凑尺寸,为风扇电机驱动提供高性能
2025-04-30 18:33:29877

MDD MOS通电阻对BMS系统效率与精度的影响

在电池管理系统(BMS)中,MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件,其通电阻(RDS(on))参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE,在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339

探索Littelfuse L4CL系列四端表面电阻:特性、应用与设计考量

探索Littelfuse L4CL系列四端表面电阻:特性、应用与设计考量 在电子设计领域,电流检测电阻是一个关键组件,它对于精确测量电流、实现高效的电源管理至关重要。今天,我们将深入探讨
2025-12-15 17:40:02390

关于0.42mΩ超低通电阻MOSFET的市场应用与挑战

设计的优选。然而,在实际市场中,是否真的存在0.42mΩ的超低通电阻MOSFET?本文MDD将探讨这种超低通电阻MOSFET的市场应用、优势及其面临的挑战。一、0
2025-12-16 11:01:13198

探索 Bourns S & SL 系列——Riedon™ 表面线绕电阻器的卓越性能

——Riedon™ 表面线绕电阻器,了解其特点、规格和应用注意事项。 文件下载: Bourns S和SL表面绕线电阻器.pdf 产品特性亮点 强大的浪涌处理能力 该系列电阻器具有出色的浪涌处理能力,这意味着在面对瞬间的高能量冲击时,它能够稳定工作,保护电路免受损坏。对于那些容易受
2025-12-22 17:05:02354

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