EN系列：保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能

超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。

低噪声 EN系列

以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻更低，因而是改善平面MOSFET的传导损耗的替代品。A・Ron的比较中，与平面MOSFET相比，以往产品AN系列降低65%，EN系列则降低达80%。

该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。

■R60xxENx系列：低噪声

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机型名	BVDSS(V)	ID (A)	RDS(on) (Ω)	Qg (nC)	封装
R6002ENx	600	1.7	2.8	6.5	CPT/TO252☆
R6004ENx	4	0.9	15	CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx	7	0.57	20	TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx	9	0.5	23	TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx	11	0.34	32	TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx	15	0.26	40	LPT/TO220FM/TO3PF
R6020ENx	20	0.17	60	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024ENx	24	0.15	70	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030ENx	30	0.115	85	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035ENx	35	0.095	110	TO3PF/TO247
R6047ENx	47	0.07	145	TO247
R6076ENx	76	0.04	260	TO247

※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。

D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252

※ ☆ : 开发中

审核编辑：汤梓红