Nexperia 2N7002BK,215 N沟道MOSFET中文参数资料_封装尺寸

Nexperia2N7002BK,215N沟道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET，设计用于表面贴装技术，适合各种高频和高效能的应用。其逻辑电平兼容性和极快的开关速度使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。高达2 kV的ESD保护能力和AEC-Q101认证的高可靠性设计，确保了在汽车电子和其他高要求应用中的优异表现。（买电子元器件上安玛芯城）

中文参数资料

参数	规格
晶体管类型	N沟道增强型MOSFET
封装/外壳	SOT-23 (TO-236AB)
漏源电压 (V_DSS)	60V
漏极电流 (I_D)	350mA
阈值电压 (V_GS(th))	2.1V @ 250µA
击穿电压 (V_DS)	60V
栅极源极击穿电压 (V_GS)	±20V
反向传输电容 (C_RSS)	4pF
充电电量 (Q_G)	0.5nC
功率耗散 (P_D)	370mW
工作温度范围	-65℃ 至 +150℃
存储温度范围	-65℃ 至 +150℃
封装尺寸	3.00 x 1.40mm
高度	1.10mm
引脚数	3 Pin
湿气敏感性等级 (MSL)	1（无限）
极性	N-沟道
是否无铅	是
印字代码	LN*

产品特性与优势

逻辑电平兼容性：2N7002BK,215 MOSFET具有逻辑电平兼容性，能够在低电压控制信号下稳定工作，适合现代电子电路设计中的低电压应用。

极快的开关速度：该MOSFET具备极快的开关速度，非常适合高频数据传输和高速信号处理应用场景。

先进的Trench MOSFET技术：采用Trench MOSFET技术，具备更低的导通电阻和更高的功率密度，优化了整体性能。

高ESD保护能力：具备高达2 kV的ESD保护能力，增强了对静电放电的抵抗力，提高了组件的可靠性。

AEC-Q101认证：通过了AEC-Q101认证，符合汽车电子组件的高可靠性标准，适用于汽车电子及其他要求高可靠性的应用场景。

应用领域

Nexperia 2N7002BK,215 N沟道MOSFET广泛应用于以下领域：

继电器驱动器：在继电器电路中作为开关元件使用，提供稳定可靠的驱动能力。

高速线驱动器：用于高速数据传输和信号处理的应用场景中，提供快速响应。

低端负载开关：适用于各种低端负载控制，如LED照明和电机控制。

开关电路：作为各种开关电路的核心元件，广泛应用于消费电子和工业控制系统中。

主要应用实例

继电器驱动器：作为继电器控制电路的开关元件。

高速线驱动器：用于高速信号传输，如数据通信和高速接口。

低端负载开关：适合控制各种低端负载，例如LED灯和小型电机。

开关电路：广泛应用于消费电子产品和工业控制系统的各种开关应用。

Nexperia 2N7002BK,215 N沟道MOSFET以其卓越的性能和高可靠性，成为继电器驱动器、高速线驱动器、低端负载开关及各种开关电路应用的理想选择。其逻辑电平兼容性、极快的开关速度以及高ESD保护能力使其在现代电子设计中具有显著的优势。