恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51:27
4629 通过向栅极施加正电压来控制漏极电流。N 沟道场效应管N 沟道 MOSFET 的 N沟道区域位于源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。这种类型的场效应晶体管的漏极和源极
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOS）、平面双扩散型场效应晶体管（Planar MOS）和沟槽双扩散型场效应晶体管（Trench MOS）。N沟道的横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:00
26 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 MOSFET的类型很多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道；根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型。功率场效应晶体管一般为N沟道增强型。
2019-10-11 10:33:2910007 
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:589888 
SPTECH硅NPN功率晶体管2N5240规格书.pdf
2021-12-28 11:22:148 N沟道增强型场效应晶体管LT10N02SI资料说明
2022-01-23 10:25:445 N沟道增强型场效应晶体管JHW10N60数据手册
2022-01-23 10:53:161 45 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BC54PA-Q_SER
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2023-02-15 18:39:150 60 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BSR41-Q
2023-02-15 18:39:300 20 V、2 A PNP 中等功率晶体管-BC69PAS_SER
2023-02-17 19:00:120 20 V、2 A NPN 中等功率晶体管-BC68PAS_SER
2023-02-17 19:00:310 N沟道增强型垂直D-MOS晶体管-BSP89
2023-02-20 19:23:011 60 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BCP55T_SER
2023-02-20 19:55:450 45 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BCP54T_SER
2023-02-20 19:56:050 80 V、1 A PNP 中等功率晶体管-BCP53T_SER
2023-02-20 19:56:191 60 V、1 A PNP 中等功率晶体管-BCP52T_SER
2023-02-20 19:56:360 45 V、1 A PNP 中等功率晶体管-BCP51T_SER
2023-02-20 19:56:470 80 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BCP56H_SER
2023-02-21 18:31:100 20 V、2 A PNP 中等功率晶体管-BCP69_BC869_BC69PA
2023-02-21 19:04:490 20 V、2A NPN 中等功率晶体管-BCP68_BC868_BC68PA
2023-02-21 19:05:090 60 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BCP55_BCX55_BC55PA
2023-02-21 19:05:200 45 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BCP54_BCX54_BC54PA
2023-02-21 19:05:340 60 V、1 A PNP 中等功率晶体管-BCP52_BCX52_BC52PA
2023-02-21 19:05:470 45 V、1A PNP 中等功率晶体管-BCP51_BCX51_BC51PA
2023-02-21 19:06:020 80 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BCP56_BCX56_BC56PA
2023-02-21 19:14:543 80 V、1 A PNP 中等功率晶体管-BCP53_BCX53_BC53PA
2023-02-21 19:15:121 80 V、1 A PNP 中等功率晶体管-BCP53H_SER
2023-02-23 19:17:410 具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 栅极则负责控制这个通道的导电性。 MOS晶体管既可以是N沟道（n-channel）型的，也可以是P沟道（p-channel）型的。N沟道型MOS晶体
2023-11-30 14:24:542649 电子发烧友网站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶体管BC53xPAS系列数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-19 10:24:040 电子发烧友网站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-14 16:21:230 电子发烧友网站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-19 15:34:550 电子发烧友网站提供《BCP69系列PNP中等功率晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-19 15:37:450 选型手册：MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗
2025-11-05 15:53:52213 
选型手册：MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高稳定性及无铅封装特性，适用于
2025-11-18 16:08:14326 安森美BCP53M PNP中等功率晶体管是一款80 V、1 A器件，设计用于通用放大器应用。该晶体管采用可湿性侧翼DFN2020-3封装，可实现最佳自动光学检测（AOI），具有出色的热性
2025-11-26 14:12:12443 
整流、负载开关等中功率领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导
2025-11-27 14:53:22202 
开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_
2025-11-27 16:52:11394 
领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(
2025-11-28 12:03:51205 
选型手册：VS1401ATHN沟道增强型功率MOSFET晶体管威兆半导体推出的VS1401ATH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封装，凭借
2025-11-28 12:14:04242 
领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS
2025-12-03 09:53:50220 
威兆半导体推出的VS4610AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、快速开关特性与高可靠性，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品
2025-12-02 09:32:01257 
/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适
2025-12-03 09:23:07272 
威兆半导体推出的VS4401AKH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLL封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息
2025-12-05 11:41:32252 
威兆半导体推出的VS6604GP是一款面向60V中低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中低压大电流DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息
2025-12-08 10:59:34254 威兆半导体推出的VSD950N70HS是一款面向700V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配高压电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型
2025-12-12 15:59:34330 威兆半导体推出的VS3618AD是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用TO-252封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-15 15:03:39272 威兆半导体推出的VS6662GS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-15 15:36:24225 
威兆半导体推出的VS6614GS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-17 18:09:01211 
威兆半导体推出的VS2622AE是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持2.5V逻辑电平控制，采用PDFN3x3封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品
2025-12-18 17:42:57177 
威兆半导体推出的VS4080AI是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用DIPPAK封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-23 11:18:11199 威兆半导体推出的VS8068AD是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-262封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-26 11:50:1394 威兆半导体推出的VS6880AT是一款面向68V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-26 11:58:4295 
威兆半导体推出的VS4604AP是一款面向40V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N
2025-12-31 17:14:451196 威兆半导体推出的VS4618AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3333封装，适配低压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道
2025-12-31 17:20:351311 威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型
2026-01-04 16:31:5656 威兆半导体推出的VS3620GPMC是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型
2026-01-06 11:17:5474
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