10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效
2022-06-24 09:57:45
2122 
导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09:343811 
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:021660 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341675 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞萨电子开发第三代车载SJ-MOSFET，计划1～2年内开始量产。该器件降低了导通电阻和EMI（电磁噪声）...
2013-05-31 09:22:201805 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以
2023-10-07 09:57:368691 
动态导通电阻（RDS(on)）是电源转换器设计人员理解电荷俘获效应影响的重要参数。然而，关于其测量技术的知识体系仍相对较新。传统的动态RDS(on)测量技术依赖于二极管钳位电路，使示波器能够以足够
2025-09-12 19:43:02774 
瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中，实现了业界最高水平的低导通电阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷（SPST）CMOS模拟开关
2019-03-08 15:06:392742 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:073575 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。
（2）Rds（on）时正温度系数，会随着MOSFET温度升高而变大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
，设计工程师已经习惯于接受效率和隔离能力之间的折衷。然而，来自 Nexperia 的最新特定应用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了这样的折衷。它们得益于卓越的超结技术，可产生较低的导通电阻，而
2022-10-28 16:18:03
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻
2018-12-05 10:00:15
。在隔离型1/16thbrickDC-DC转换器应用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)仅为1.3mΩ，与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%。此外，该器件减小了传导损耗，从而
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。 性能特点： ●COOLiRFET硅技术 ●实现传导损耗最低 ●系统尺寸减小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低压驱动；提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
，与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 4. 驱动门极电压和导通电阻 SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率MOSFET管的耐压主要通过厚的低
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
的元件中，难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合，元件必须拥有小裸片尺寸，并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。 移动设备用MOSFET的微型化 通常情况下，有多种
2018-09-29 16:50:56
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
的根本原因。 （2）降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流 以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 36 A Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms Vgs
2020-04-01 11:07:48
小的MOSFET晶胞并联组成,在单位的面积上，并联的MOSFET晶胞越多，MOSFET的导通电阻RDS(ON)就越小。同样的，晶元的面积越大，那么生产的MOSFET晶胞也就越多，MOSFET的导通电阻
2016-09-26 15:28:01
TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
实现了良好的二极管导电性。优化设计的1.2kV级SBD嵌入式MOSFET导通电流特性评估结果证实，采用格子花纹设计将嵌入式SBD靠近体二极管可以有效限制寄生二极管双极性导通，相同SBD占位面积条件下
2023-04-11 15:29:18
性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。关键要点:・Si-MOSFET的产品定位是“以低～中功率高速工作”。・超级结结构可保持耐压的同时，降低导通电阻RDS
2018-11-28 14:28:53
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合用于各种高频、高效电源管理应用，尤其在DC/DC转换器、无线充电和同步整流等领域表现优异。
---产品特点---
· 低导通电阻
2024-10-14 09:40:16
几乎被外 延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。 2、降低高压MOSFET导通电阻的思路 增加管芯面积虽能
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏极-源极间导通电阻RDS(on)和栅极总电荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”为目的，最先开发的SJ-MOSFET。与平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着
2009-12-13 20:02:04
11 因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在总芯片面积相等的情况下，如把几个低压MOSFET串联连接，比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。
2010-05-25 08:16:05170 理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有
2009-11-10 10:53:135089 
Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081830 日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:401004 东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:301152 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路。
2015-03-03 10:43:402499 不同于市场上其他芯片尺寸封装（WLCSP）而成的负载开关产品，Silego推出的三款功能丰富的低导通电阻集成电源开关，集合了顶级FETIP与系统级保护功能。
2017-09-19 17:34:597 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0015153 关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻
2018-10-13 11:03:01728 GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 m）以及快速的开关切换；效率非常高。 Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。
2019-11-29 09:00:183948 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263713 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:404976 对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:121262 导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量导通电阻的方法有测量接地网接地阻抗法、万用表测量法、接地摇表测量法以及专用仪器测量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以
2022-03-17 09:35:333704 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超
2022-07-06 16:13:221106 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:531079 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为5种
2023-02-20 15:46:150 ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:021476 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:026122 
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:561060 Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
2023-12-13 14:17:401102 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:571617 电子发烧友网站提供《具有1.8V逻辑器件的36V、低导通电阻、2:1 、4通道精密开关TMUX6234数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:53:000 近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
的创新LFPAK系列器件。这些精心设计的NextPower MOSFET，以超低的RDS（on）（导通电阻）与卓越的Qrr（反向恢复电荷）性能为亮点，旨在服务器、电源供应、高速充电器、USB-PD应用以及广泛的电信、电机控制等工业领域，实现前所未有的能效提升与尖峰电压抑制。
2024-08-07 14:53:321274 近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品，为市场带来了更加高效的解决方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动的不二选择。
2025-06-14 14:56:401365 
Texas Instruments TPS22995导通电阻负载开关支持可配置上升时间，以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET，并且支持3.8A的最大连续电流。
2025-09-02 14:57:49637 
导言在追求更高效率、更高功率密度的电源转换器设计中，宽禁带半导体（GaN、SiC）器件扮演着越来越关键的角色。然而，理解这些器件在高速开关过程中的真实性能，特别是其动态导通电阻（RDS
2025-09-12 17:14:581026 
Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电阻
2025-09-18 18:19:141110 圣邦微电子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值电流能力，具备可编程软启动、电流监测和输出放电功能的低导通电阻负载开关。该器件可应用于笔记本电脑和平板电脑、便携式设备、固态硬盘和手持设备。
2025-11-05 17:24:162153 
在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339 
在电源管理系统和高效电池管理系统（BMS）设计中，MOSFET作为开关元件，扮演着重要角色。由于其导通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生，因此低导通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统
2025-12-16 11:01:13198 
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