恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44
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以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池
2023-11-09 15:19:57664 
技术最终将通过3D人脸识别等新兴应用进入更广泛的消费市场。典型VCSEL器件横截面示意图，越来越多的这类器件采用单片式工艺iPhone给150mm晶圆吃了一颗“定心丸”苹果iPhone X是首款具备
2019-05-12 23:04:07
`深圳市三佛科技有限公司 供应 16P03 30V P沟道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8场效应管 ，原装，库存现货热销16P03参数： -30V -16A DFN3*3-8 P沟道
2021-03-18 14:21:33
描述 此参考设计支持电源并用作使用TPS61161-Q1的喷油器的指示器，升压转换器将输入从 5V-12V 驱动至 30V 输出。该设计旨在实现高效、准确、灵活的控制和精确的参考电压 2.7V 至
2022-09-22 06:11:22
直流5V升压到直流30V，求大佬推荐升压芯片
2021-07-31 09:37:49
基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W双声道D类音频功放升压组合解决方案，为音频爱好者提供极致的音质体验。输出功率曲线图方案简介此方案大致分为两个主要级：1、采用FP5207非同步升压控制器。此
2022-02-18 17:37:12
30V 10A MOS管TO-252封装HC005N03L，MOS原厂库存现货HC005N03L参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海直销30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 贴片 mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252
2020-11-12 09:52:03
DFN3*3封装mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管【低开启低结电容】 惠海半导体--中低压场效率管
2020-11-03 15:38:19
*3封装mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管【低开启低结电容】 惠海半导体--中低压场效率管
2020-11-11 14:45:15
30V转15V降压芯片 ，30V转12V降压芯片，30V转9V降压芯片，30V转8V降压芯片 , 30V转6V降压芯片 ,30V转5V降压芯片，30V转3.3V降压芯片，30V转3V降压芯片，30V
2020-10-16 10:58:20
TI专家好！我的项目里需要一个30V转5V的电源，但电流很小，只有30mA，不超过50mA。由于所需电流甚小，我原先用电阻和5V1稳压二极管搭了个分立电路供电，但发现分立器件的离散性太大，转出来5V
2019-04-08 14:57:41
30v开关电源为什么只能输出15v了，是不是变压器的原因呢？
2011-03-14 16:50:12
`以下是罗姆MOSFET晶圆规格(6inch)N型16V:12A；16V:8A;20V:12A;20V:8A;30V:6A;45V:30A;60V:50A;100V:60A;100V:10A
2020-01-18 17:42:21
的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先
2021-01-23 11:20:27
，设计工程师已经习惯于接受效率和隔离能力之间的折衷。然而，来自 Nexperia 的最新特定应用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了这样的折衷。它们得益于卓越的超结技术，可产生较低的导通电阻，而
2022-10-28 16:18:03
晶圆级CSP的返修工艺包括哪几个步骤？晶圆级CSP对返修设备的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
晶圆级CSP的元件如何重新贴装？怎么进行底部填充？
2021-04-25 06:31:58
细间距的晶圆级CSP时，将其当做倒装晶片并采用助焊剂浸蘸的方法进行组装，以取代传统的焊膏印刷组装，如图2所示，首先将晶圆级CSP浸蘸在设定厚度的助焊剂薄膜中，然后贴装，再回流焊接，最后底部填充（如果有要求）。关于锡膏装配和助焊剂装配的优缺点。图1 工艺流程1——锡膏装配图2 工艺流程2——助焊剂装配
2018-09-06 16:24:04
晶圆级CSP装配回流焊接工艺控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
晶圆级CSP的装配对贴装压力控制、贴装精度及稳定性、照相机和影像处理技术、吸嘴的选择、助焊剂应 用单元和供料器，以及板支撑及定位系统的要求类似倒装晶片对设备的要求。WLCSP贴装工艺的控制可以参
2018-09-06 16:32:18
先进封装发展背景晶圆级三维封装技术发展
2020-12-28 07:15:50
晶圆级封装技术Wafer Level Package Technology Board Mounting Application Note for 0.800mm pitch
2009-06-12 23:57:22
晶圆级封装技术源自于倒装芯片。晶圆级封装的开发主要是由集成器件制造厂家（IBM）率先启动。1964年，美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圆级封装类型及涉及的产品
2015-07-11 18:21:31
晶圆级芯片封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
观点：随着市场竞争加剧的演变，台积电本有的地位也受到了威胁。再加上三星、英特尔的挑战，让一路走来，始终第一的***晶圆代工业有所警觉。为维持竞争优势，台积电已开始着手上下游整合，以巩固台积电龙头
2012-08-23 17:35:20
半导体厂产能利用率再拉高，去化不少硅晶圆存货，加上库存回补力道持续加强，业界指出，12吋硅晶圆第二季已供给吃紧，现货价持续走高且累计涨幅已达1～2成之间，合约价亦见止跌回升，8吋及6吋硅晶圆现货价同步
2020-06-30 09:56:29
。 随着越来越多晶圆焊凸专业厂家将焊膏印刷工艺用于WLP封装，批量压印技术开始在半导体封装领域中广泛普及。然而，大型EMS企业也走进了WLP领域。封装和板卡之间的边界，以及封装与组装工艺之间的边界日渐模糊，迫使企业必须具备晶圆级和芯片级工艺技术来为客户服务`
2011-12-01 14:33:02
使用方式。、二.晶圆切割机原理芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行
2011-12-02 14:23:11
圆比人造钻石便宜多了，感觉还是很划算的。硅的纯化I——通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷硅的纯化II——利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产电子级硅 二、制造晶棒晶体硅经过高温成型，采用
2019-09-17 09:05:06
图为一种典型的晶圆级封装结构示意图。晶圆上的器件通过晶圆键合一次完成封装，故而可以有效减小封装过程中对器件造成的损坏。 图1 晶圆级封装工艺过程示意图 1 晶圆封装的优点 1）封装加工效率
2021-02-23 16:35:18
的硅晶粒，提高品质与降低成本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。`
2011-09-07 10:42:07
`159-5090-3918回收6寸晶圆，8寸晶圆，12寸晶圆，回收6寸晶圆，8寸晶圆，12寸晶圆，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）宣布，推出其首款具备30V输入、600mA输出能力的降压开关稳压器
2011-07-12 22:04:35
晶圆级芯片级封装; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂层）
2022-12-06 06:06:48
：8V～30V高电流精度：±3%高效率：97%负载开路和短路保护 PWM和线性调光滞环控制：无需补偿最高工作频率：1MHz内置过温电流补偿控制 DIM脚接NTC电阻到地实现过温电流补偿 DIM脚接电
2020-04-21 15:19:31
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
MOS管品牌：美浦森型号： SLN30P03T电压：-30V 电流：-30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30P03T原装，SLN30P03T库存现货热销售后服务：公司免费
2021-04-07 15:13:02
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
，我们将采用穿硅通孔（TSV）用于晶圆级堆叠器件的互连。该技术基本工艺为高密度钨填充穿硅通孔，通孔尺寸从1μm到3μm。用金属有机化学汽相淀积（MOCVD）淀积一层TiN薄膜作为籽晶层，随后同样也采用
2011-12-02 11:55:33
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圆级封装(WLP)就是在其上已经有某些电路微结构（好比古董）的晶片（好比座垫）与另一块经腐蚀带有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化学键结合在一起。在这些电路微结构体的上面就形成了一个带有密闭空腔的保护
2011-12-01 13:58:36
`晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针（probe），与晶粒上的接点（pad）接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成独立
2011-12-01 13:54:00
1、为什么晶圆要做成圆的？如果做成矩形，不是更加不易产生浪费原料？2、为什么晶圆要多出一道研磨的工艺？为什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
要点:・Hybrid MOS是兼备MOSFET和IGBT优势的新结构MOSFET。・同时具备MOSFET的高速性、在低电流范围的低损耗、IGBT在大电流范围的低损耗特性。・有利于提高家电的APF标准。不仅支持大功率，还可提高低电力范围的效率。
2018-11-28 14:25:36
目晶圆提高了设计效率，降低了开发成本，为设计人员提供了实践机会，并促进了集成电路设计成果转化，对IC设计人才的培训，及新产品的开发研制均有相当的促进作用。随着制造工艺水平的提高，在生产线上制造芯片
2011-12-01 14:01:36
服务。其双轴划片功能可同时兼顾正背面划片质量，加装二流体清洗功能可对CMOS Sensor等洁净度要求较高组件，提供高质量划片服务。晶圆划片机为厂内自有，可支持至12吋晶圆。同时，iST宜特检测可提供您
2018-08-31 14:16:45
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电
2023-02-27 10:02:15
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个输出直流电压+30v，输出电压5v-25v直流电压（步进为0.1）电源转换效率大于80％的dc/dc交换器
2019-11-21 19:45:16
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
% ,为全球大一大砷化镓晶圆代工厂商。
拜产线多样化与产品组合优化外,该公司毛利率稳定维持在30~35% 左右,营业利益率与净利率也尚属平稳。
2016年，公司宣布跨入光通讯市场，并自建EPI，主要
2019-05-27 09:17:13
我有一个30V，10mA的电源，需要反转极性，时间需要用PIC来控制。我看了一些H桥，但是我看到MOSFET的高Gs电压差因为30V的问题。使用晶体管看起来更好。我看了一些马达驱动器，但不
2019-03-21 10:00:09
怎么选择晶圆级CSP装配工艺的锡膏？
2021-04-25 08:48:29
我要找DC-DC直流升压芯片，输入9~14V，输出30V，贴片8个脚，脚位功能是第2个脚接地，第三个脚输出30V，1脚和8脚输入电压12V，脚位功能一定要对的上，我想找到相对应的芯片型号，如有大虾赐教，不胜感激，我的QQ是327048818
2012-04-24 10:06:57
用16~30V交流电来做+-12V直流电源这是我画的图，滤波电容不太清楚如何选取。所以按照网上的例子选的。最大输出电流不小于0.3A，纹波电压小于50mA，开路电压输出误差不大于5%我在30V仿真
2013-07-11 01:22:40
第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和锗(Ge)的晶圆进行快速划片。硅晶圆片，切口宽度均小于30微米，切口边缘平直、精准、光滑，没有崩裂，尤其硅晶圆更是如此。电力电子器件的晶圆价格昂贵
2010-01-13 17:01:57
随着集成电路设计师将更复杂的功能嵌入更狭小的空间，异构集成包括器件的3D堆叠已成为混合与连接各种功能技术的一种更为实用且经济的方式。作为异构集成平台之一，高密度扇出型晶圆级封装技术正获得越来越多
2020-07-07 11:04:42
越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中
2011-12-02 14:30:44
的替代工艺。激光能对所有第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和锗(Ge)的晶圆进行快速划片。硅晶圆片，切口宽度均小于30微米，切口边缘平直、精准、光滑，没有崩裂，尤其硅晶圆更是如此。电力
2010-01-13 17:18:57
SRAM中晶圆级芯片级封装的需求
2020-12-31 07:50:40
12英寸晶圆片的外观检测方案？那类探针台可以全自动解决12英寸晶圆片的外观缺陷测试？ 本人邮箱chenjuhua@sidea.com.cn,谢谢
2019-08-27 05:56:09
途中C1是怎么把220V降到30V的。
2012-06-11 15:46:20
项目要做一个DC-DC车载电源，输入300—1000V，输出0—30V，功率大概2KW, 目前考虑到效率问题，想用两级级联的结构，前级和后级用什么拓扑比较好？
2024-03-19 14:13:37
旨在探讨热电偶在晶圆制造中的应用及其优化方法，以提高晶圆制造的质量和效率。二、热电偶的基本原理和工作原理热电偶是一种基于热电效应的温度测量设备。它由两种不同金属制成
2023-06-30 14:57:40
30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 采用PowerPAK SC-75封装的额定电压8～30V的P通道功率MOSFET
这些p 通道功率 MOSFET 系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件。日前推出的这些器件包括业界首款采用
2008-08-23 15:08:371249 30V 转 15V ，30V 转 12V，30V 转 9V，30V 转 8V ， 30V 转 6V ，30V 转 5V，30V 转 3.3V，30V 转 3V，30V 转 1.8V 30V
2020-10-12 08:00:0012 30V转15V 12V 9V 8V 6V 5V 3.3V 3V芯片选型介绍(通用电源技术(深圳有限公司官网)-30V转24V，30V转20V，30V转15V ，30V转12V，30V转9V，30V转5V，30V转3.3V，30V转3V，30V转1.8V，30V转1.2V.
2021-09-15 13:04:3322 Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:220 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信
2022-11-18 10:32:58400 
的安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia（安世半导体）致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的
2022-11-21 16:11:38648 PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB12R5EP
2023-02-16 21:17:050 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB12R7EP
2023-02-16 21:20:320 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB12EP
2023-02-17 19:23:290 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 12V升30V升压芯片AH1160是一种电子元件，可以将电压从12V升高到30V。此芯片内置了60V NMOS升压型LED驱动器，可以有效地驱动LED灯。该芯片的反馈电流采样电压为250mV，可以用来监测LED驱动器输出电流的值。
2023-09-14 10:27:59514 新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550
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