面对大功率和高电压应用不断增长的需求,Nexperia(安世半导体)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性,是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动的不二选择。
随着X.PAK封装的加入,我们丰富多元的产品系列现包含TO-247-3和4、D2PAK-7和X.PAK封装选项,充分保证能够契合客户的各类需求。这些先进的解决方案在散热管理方面表现优异,具有较低的寄生电感,可靠性进一步提升,非常适合那些要求极为严苛的应用场景。
在您的大功率设计中,选用Nexperia的SiC MOSFET,借助前沿技术,助力提升性能与可靠性,实现创新突破。
关键应用
电动汽车充电基础设施
光伏逆变器
开关模式电源
不间断电源
设计优势
开关损耗非常低
快速反向恢复
开关速度快
关断时的开关损耗不受温度变化影响
固有体二极管速度很快且稳健性佳
凭借额外的开尔文源极引脚,实现了更快的换流速度和更卓越的开关性能
主要技术特性
RDS(on)温度稳定性优于同类产品
栅极电荷性能优越和栅极电荷比
- 栅极驱动器功耗低
- 对寄生导通的耐受性高
阈值电压容差非常小
体二极管稳健性强,正向电压非常低
1200 V时漏电流更低
封装解决方案
TO-247-3 (SOT429-2)
通孔技术
20.95 x 15.94 x 5.02 mm *
TO-247-4 (SOT8071-1)
通孔技术
23.45 x 15.94 x 5.02 mm *
D2PAK-7 (SOT8070-1)
表面贴装技术
10.08 x 15.88 mm **
X.PAK (SOT8107)
表面贴装,顶部散热技术
14 x 18.5 mm **
* 封装尺寸(长 x 宽 x 高)
** 封装尺寸包括引脚(长 x 宽)
产品范围

SiC FET | 命名

Nexperia (安世半导体)
Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia(安世半导体)的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
Nexperia:效率致胜。
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9461浏览量
229943 -
电源开关
+关注
关注
12文章
1225浏览量
48228 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3344浏览量
51764 -
Nexperia
+关注
关注
1文章
796浏览量
59027
原文标题:产品推荐 | 碳化硅MOSFET:提升安全、稳健且可靠的电源开关性能
文章出处:【微信号:Nexperia_China,微信公众号:安世半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析与应用指南
onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析
Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET
基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用
麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC)MOSFET动态测试中的应用
超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析
碳化硅MOSFET的优势有哪些
国产碳化硅MOSFET和隔离驱动的真空镀膜电源设计方案

Nexperia碳化硅MOSFET优化电源开关性能
评论