Nexperia、东芝和Navitas扩展MOSFET产品线以应对高效能需求

随着电动车、可再生能源和数据中心等领域对高效、高性能组件需求的持续上升，电源管理系统的复杂性也随之增加，市场对更先进和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。对此，Nexperia、东芝和Navitas等公司纷纷扩展了各自的MOSFET产品线，以满足行业的挑战和机遇。

Navitas、东芝和 Nexperia 的新型 MOSFET

Nexperia最近扩展了其NextPower 80/100V MOSFET系列，旨在提高效率并降低尖峰现象。新产品采用行业标准的LFPAK封装，尺寸为5mm x 6mm和8mm x 8mm，导通电阻(RDS(on))低至1.8mΩ至15mΩ，这意味着与之前型号相比，其RDS(on)可降低高达31%，从而最小化导通损耗，提升效率。

新系列还优化了栅极电荷(Qg(tot))和反向恢复电荷(Qrr)，这两个参数直接影响开关损耗和操作中的尖峰现象。Nexperia表示，这些优化使其MOSFET更能应对电磁干扰，同时提升了整体系统的电磁兼容性。此外，Nexperia计划推出一种RDS(on)低至1.2mΩ的MOSFET，以进一步扩展该系列。

东芝也在其600V DTMOSVI系列中推出了九款新型N沟道功率MOSFET，采用超结结构，利用最新一代工艺技术实现了显著性能提升。新产品在每单位面积的漏极-源极导通电阻上降低了13%，这直接影响了导通损耗，提高了负载下的效率。此外，性能指标(RDS(on)与栅极-漏极电荷的乘积)改善了约52%。

东芝的新系列包括多种导通电阻值，从0.040Ω到0.165Ω不等，总栅极电荷范围为28nC到85nC，适合高频功率应用，确保快速开关时间。东芝还提供多种封装选择，包括TO-247、TO-220SIS和DFN8×8，以满足不同设计需求，并提供高精度的SPICE模型，支持设计和仿真过程。

Navitas扩展了其第3代快速SiC MOSFET产品，这些650V的MOSFET专为高功率应用设计，采用独特的槽道辅助平面技术，显著提高了效率和温度管理。这项技术帮助设备在高效工作时，外壳温度降低多达25°C，且可能使器件使用寿命延长至三倍。

新MOSFET采用无引脚晶体管封装(TOLL)，其结至壳体的热阻比传统D2PAK-7L封装降低了9%，实现了PCB占用面积减少30%、高度降低50%及整体尺寸缩小60%的目标。这种设计的典型应用是在4.5kW AI电源系统中，该系统实现了超过97%的峰值效率和137 W/inch³的行业最高功率密度。

正如本文所展示的发展，电力电子行业正朝着更高效率、降低热阻和更紧凑设计的方向发展。展望未来，MOSFET架构的持续改进，加上硅碳化物和氮化镓等新兴材料，将是重新定义下一代电力系统能力的必要条件。

浮思特科技深耕功率器件领域，为客户提供IGBT、IPM模块等功率器件以及单片机（MCU）、触摸芯片，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。