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Nexperia扩展NextPower系列MOSFET阵容,引领高效低噪新纪元

要长高 2024-08-07 14:53 次阅读
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2024年8月7日,全球领先的半导体解决方案提供商Nexperia宣布,其NextPower 80V及100V MOSFET产品线再次迎来重大扩充,成功推出了采用标准化5x6mm及8x8mm封装的创新LFPAK系列器件。这些精心设计的NextPower MOSFET,以超低的RDS(on)(导通电阻)与卓越的Qrr(反向恢复电荷)性能为亮点,旨在服务器、电源供应、高速充电器、USB-PD应用以及广泛的电信、电机控制等工业领域,实现前所未有的能效提升与尖峰电压抑制。

在MOSFET技术的持续演进中,Nexperia独树一帜,不仅聚焦于通过低QG(tot)和低QGD来提升开关效率,更深刻认识到Qrr对于优化尖峰电压、减少电磁干扰(EMI)的关键作用。通过深入的技术突破,Nexperia成功降低了NextPower系列80/100V MOSFET的尖峰水平,从而有效减轻了设备在开关过程中产生的EMI,为设计工程师提供了更为简洁、经济的电磁兼容性(EMC)解决方案,避免了后期因EMC测试不通过而需增加额外组件的繁琐与成本。

此次推出的新型MOSFET,在导通电阻(RDSon)方面实现了显著优化,相较于市面上同类产品,降幅高达31%。这不仅意味着更高的能效转换,也意味着在同等功率需求下,能够采用更小的散热系统,进一步缩减系统体积与成本。此外,Nexperia还预告将在今年后续阶段,推出RDS(on)低至1.2mΩ的LFPAK88 80V MOSFET,以及功率密度更高的CCPAK1212封装产品,进一步丰富其NextPower系列的产品矩阵。

为助力工程师快速上手并充分利用这些先进器件,Nexperia还提供了其屡获殊荣的交互式数据手册。这一工具以全面而直观的方式,展现了器件的详细性能参数与行为特性,极大地简化了设计验证流程,加速了产品从概念到市场的步伐。

Nexperia此次的产品扩展,不仅展现了其在MOSFET技术领域的深厚积累与创新能力,更为全球电子行业带来了更高效、更可靠的功率转换解决方案,推动了绿色、低碳、可持续发展的技术趋势。

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