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      【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案

      jf_pJlTbmA9 • 来源：东芝半导体 • 2023-12-13 14:17 • 次阅读

      针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”

      （1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。

      （2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。

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      图3-8影响MOSFET导通电阻的因素

      文章来源：东芝半导体

      审核编辑：汤梓红

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