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制造/封装

焊材导致的功率器件焊接失效的“破局指南”
本文以焊材厂家工程师视角,科普焊材导致功率器件封装焊接失效的核心问题,补充了晶闸管等此前未提及的器件类型。不同器件焊材适配逻辑差异显著:小功率MOSFET用SAC305锡膏,中功率IGBT选SnSb10Ni焊片或银胶,中压晶闸管适配SnAg3.5锡膏,高压晶闸管需银铜钎料,高功率SiC模块依赖纳米烧结银,均需匹配功率、电压、温循等需求。焊材引发的失效主要有虚
年产100万!SiC模块封装产线正式动工
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日有网友在社交媒体透露,基本半导体(中山)有限公司年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目开始动工,进入打桩阶段。     来源:视频号-魏盖8096   根据中山火炬发布消息,今年6月4日,广东省投资项目在线审批监管平台发布了中山基本年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目备案公示。   随后在6月10日,基本半导体(中山)有限公司成功竞得中山火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块,这标志着中山首个碳化
半导体制造中的多层芯片封装技术
在半导体封装领域,已知合格芯片(KGD)作为多层芯片封装(MCP)的核心支撑单元,其价值在于通过封装前的裸片级严格筛选,确保堆叠或并联芯片的可靠性,避免因单颗芯片失效导致整体封装报废,从而显著提升良率与成本效益。KGD需经历全流程的电路特性验证与加速寿命测试——包括输入/输出电压/电流匹配性、功能逻辑验证、动态功耗分析及时序一致性测试,同时通过高温老化试验诱发潜在缺陷,确保其满足至少1000小时以上的工作寿命要求。
热压键合工艺的技术原理和流程详解
热压键合(Thermal Compression Bonding,TCB)是一种先进的半导体封装工艺技术,通过同时施加热量和压力,将芯片与基板或其他材料紧密连接在一起。这种技术能够在微观层面上实现材料间的牢固连接,为半导体器件提供稳定可靠的电气和机械连接。
不止于“收缩”:全方位解读ULTEA®如何成为提升电子材料综合性能的“战略级添加剂”
在电子材料的配方设计中,填料的选择至关重要。传统填料如二氧化硅、氧化铝等,主要扮演着降低成本、调节流变、或提高导热/绝缘的角色。然而,随着应用终端对电子产品的要求日趋多元化——既要耐高温、又要阻燃、还需环保、更要求尺寸极度稳定——单一功能的填料已难以满足系统级的需求。工程师们常常需要面对性能权衡的困境。
破解热致失效困局:深入解析负热膨胀材料ULTEA®在高端电子封装中的应用
随着5G通信、人工智能、高性能计算(HPC)以及新能源汽车电子的迅猛发展,电子设备正朝着更高集成度、更高功率密度和更严苛工作环境的方向演进。在这一进程中,一个经典的物理难题——热膨胀,正成为制约产品可靠性、寿命和性能的瓶颈。不同材料之间热膨胀系数(CTE)的不匹配,会在温度循环中产生巨大的热机械应力,导致焊点开裂、基板翘曲、界面分层、光学对准失准等一系列灾难
半导体封装“倒装芯片(Flip Chip)”工艺技术的详解
倒装芯片(Flip Chip)技术经过了很长的一段时间发展,从三凸点倒装芯片(Flip Chip)到万凸点倒装芯片(Flip Chip),现在已经达到10万凸点倒装芯片(Flip Chip),同时倒装芯片(Flip Chip)的间距也小至20µm。但是,倒装芯片(Flip Chip)技术依然面临着激烈竞争,它的部分市场份额正逐渐被扇出型晶圆/面板级封装(简称 FOWLP)技术所夺走,尤其是PoP封装技术。由于成本更低、性能更高、尺寸也更小等,现在爱疯手机开始采用PoP封装技术制造,同时,越来越多的智能手机公司和组件公司也在效仿爱疯手机,这意味着FOWLP不仅仅用于封装基带、RF(射频)开关/收发器、PMIC(电源管理集成电路)、音频编解码器、MCU(微控制单元)、RF雷达、连接IC等,也可用于封装AP等高性能大型(>120mm2)SoC。对于倒装芯片(Flip Chip)封装技术来说,这无疑形成一个巨大挑战
半导体芯片制造核心材料“光刻胶(Photoresist)”的详解
在芯片制造这场微观世界的雕刻盛宴中,光刻胶(PR)如同一位技艺精湛的工匠手中的隐形画笔,在硅片这片“晶圆画布”上勾勒出亿万个晶体管组成的复杂电路。然而,这支“画笔”却成了中国芯片产业最难突破的瓶颈之一:
人工智能加速先进封装中的热机械仿真
为了实现更紧凑和集成的封装,封装工艺中正在积极开发先进的芯片设计、材料和制造技术。随着具有不同材料特性的多芯片和无源元件被集成到单个封装中,翘曲已成为一个日益重要的问题。翘曲是由封装材料的热膨胀系数(CTE)失配引起的热变形。翘曲会导致封装中的残余应力、开裂、电气连接和组装缺陷,最终降低封装工艺的良率。
芯片封装方式终极指南(下)
到目前为止,我们已经了解了如何将芯片翻转焊接到具有 FR4 核心和有机介电薄膜的封装基板上,也看过基于 RDL的晶圆级封装技术。所谓2.1D/2.3D 封装技术,是将 Flip-Chip 与类似 RDL 的工艺相结合的一种中间形态。有些通过晶圆级 RDL 工艺连接多个芯粒、并采用精细 L/S(金属线宽/间距)结构的方案,也被归为 2.1D 封装。
芯片封装方式终极指南(上)
这是一份涉及芯片封装几乎所有关键概念的终极指南,它可以帮助您全面了解芯片的封装方式以及未来互连技术的发展趋势。
超声波切割技术新突破:广东固特科技大功率组件如何重塑工业切割生态
随着工业4.0智能化进程加速,工业切割领域正迎来技术革新的关键节点。传统切割方式在处理复合材料、弹性体、食品等特殊材料时,面临粉尘污染、刀具损耗快、切口精度不足等技术瓶颈。在这一背景下,广东固特科技推出的高功率超声波切割组件,为自动化集成商提供了全新的技术解决方案。一、核心技术突破:超声波切割的三大技术优势无屑化切割实现工艺革新在橡胶、皮革、无纺布等材料的切
深圳中国首个光量子计算机制造工厂落成
据央视新闻报道;在24日;深圳南山区国内首个光量子计算机制造工厂正式进入小规模生产阶段,据悉该工厂是隶属于玻色量子;总面积约5000平方米,集研发、制造、测试于一体,用于实现光量子计算机的工程化、标准化和规模化生产。第一台计算能力达到1000个量子比特的光量子计算机在这里生产。  
合肥传感器芯片代工大厂晶合集成港股IPO!中国第三大!
    9月29日,合肥晶合集成电路股份有限公司(下文简称“晶合集成”),向香港联交所递交招股书,独家保荐人为中金公司。     晶合集成成立于2015年5月,总部位于安徽省合肥市,主营业务为12英寸晶圆代工,专注于显示驱动芯片(DDIC)、CMOS图像传感器(CIS)芯片等成熟制程产品的研发与制造,为下游电子设备提供核心半导体器件支持。   晶合集成核心产品包括显示驱动芯片(DDIC)、CMOS图像传感器(CIS)芯片等,工艺覆盖150nm至40nm制程,其中40
博世全球最小三轴加速度计的封装工艺对比
在我们日常使用的智能手机、智能手表、无线耳机和健康穿戴设备中,藏着一颗颗微小的芯片,负责感知我们的动作、姿态与周围环境。
轴承锈蚀的主要原因分析
轴承锈蚀的主要原因分析 环境因素 湿度:空气中湿度的大小对轴承的锈蚀速度有很大的影响。在临界湿度下,金属锈蚀的速度很慢,一旦湿度超过临界湿度,金属锈蚀的速度会突然上升。钢铁的临界湿度在65%左右。由于轴承生产车间空气流动性差,加工过程中产生的热量加速磨削液、清洗液和防锈液中的水分蒸发到空气中,使车间内空气的湿度在65%以上,甚至达到80%,很容易使轴承零件产生锈蚀。 温度:温度对锈蚀也有很大的影响。研究表明,当湿度
7L26002009晶振停振解决方案
7L26002009晶振被广泛应用于手机,GPS,北斗等产品。如若7L26002009晶振在生产过程中出现不起振,该如何分析解决了?以客户案例为由头,代入本文的关键,A客户购买了一批7L26002009晶振,试产2次,每次30PCS,每次的不良率都在10%以上,晶振没有振荡输出,对于这个不良率的数字而言,确实太高。那么究竟是晶振本身的问题,还是客户电路板的设
大疆,带给3D打印行业一场“成人礼”
大疆布局3D打印是行业周期的回应,巨头未入局凸显行业需成熟,消费级市场快速增长。
紫宸激光植球技术:为BGA/LGA封装注入精“芯”动力
LGA和BGA作为两种主流的芯片封装技术,各有其适用的场景和优势。无论是BGA高密度植球还是LGA精密焊接,紫宸激光的植球设备均表现卓越,速度高达5点/秒,良率超99.98%,助力您大幅提升生产效率与产品可靠性。
三星公布首批2纳米芯片性能数据
三星公布了即将推出的首代2nm芯片性能数据;据悉,2nm工艺采用的是全栅极环绕(GAA)晶体管技术,相比第二代3nm工艺,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面积缩小5%。
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