电子发烧友网报道（文/莫婷婷）通用图形处理器（GPGPU）作为融合图形处理与通用并行计算能力的协处理器，已成为AI、大数据分析等高性能计算场景的核心基础设施。目前，全球 GPGPU 市场长期由英伟达、AMD 主导。不过，随着国内对自主可控算力需求的激增，以及政策对半导体产业的持续支持，国产 GPGPU 企业加速布局GPGPU赛道，构建起多元化的技术路线与产业生态。   就在近日，龙芯中科在投资者交流活动中表示，公司的首款GPGPU产品9A1000已经交付流片

BGA植球中，助焊剂是保障焊球定位与焊接质量的核心辅料，仅在焊球放置前的焊盘预处理后集中涂覆，兼具粘结固定焊球、清除氧化层、防二次氧化的作用。其性能要求精准：常温粘度5000-15000cP（细间距需更高）以防焊球漂移，中等活性（有机酸3%-5%）避免腐蚀焊盘，免清洗且残留量≤0.3mg/cm²以防漏电，活性温度需匹配焊料熔点。

PCB，即印制电路板，是电子元器件相互连接的重要载体，被誉为“电子工业的骨架”。

本文要点MCM封装将多个芯片集成在同一基板上，在提高能效与可靠性的同时，还可简化设计并降低成本。MCM封装领域的最新进展包括有机基板、重分布层扇出、硅中介层和混合键合。这些技术能够提升MCM设计的信号完整性、性能和功率分配效率。多芯片组件（Multi-chipmodule，即MCM）封装作为电子组装和芯片封装领域的一项关键技术，将多个集成电路（IC）、半导体

本文聚焦助焊剂在功率器件封装焊接中的应用环节与匹配要求，其核心作用为清除氧化层、降低焊料表面张力、保护焊点。应用环节覆盖焊接前预处理、焊接中成型润湿、焊接后防护。不同功率器件对助焊剂要求差异显著：小功率器件侧重工艺性与环保合规；中功率器件需平衡活性与抗热疲劳性；大功率器件则要求高温活性稳定、残留量低且绝缘性优异。匹配需遵循工艺、器件、合规三大原则，同时规避盲

作为深耕「AI+制造」领域的核心玩家，上海湃睿信息科技有限公司此次也将携手2026“工赋上海”创新大会，以「传播圈伙伴」的身份助力大会发声，共塑“AI+制造”生态传播影响力。

在AI芯片与高速通信芯片飞速发展的今天，先进封装技术已成为提升算力与系统性能的关键路径。然而，伴随芯片集成度的跃升，高密度互连线带来的信号延迟、功耗上升、波形畸变、信号串扰以及电源噪声等问题日益凸显，传统设计方法在应对这些复杂挑战时已面临多重瓶颈。

深圳市智美行科技有限公司作为日本立山科学株式会社的合作伙伴，今天我们将带领各位工程师，从微观结构到宏观工艺，全面拆解TWT系列NTC热敏电阻的卓越之处。

本文以焊材厂家工程师视角，科普焊材导致功率器件封装焊接失效的核心问题，补充了晶闸管等此前未提及的器件类型。不同器件焊材适配逻辑差异显著：小功率MOSFET用SAC305锡膏，中功率IGBT选SnSb10Ni焊片或银胶，中压晶闸管适配SnAg3.5锡膏，高压晶闸管需银铜钎料，高功率SiC模块依赖纳米烧结银，均需匹配功率、电压、温循等需求。焊材引发的失效主要有虚

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日有网友在社交媒体透露，基本半导体（中山）有限公司年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目开始动工，进入打桩阶段。     来源：视频号-魏盖8096   根据中山火炬发布消息，今年6月4日，广东省投资项目在线审批监管平台发布了中山基本年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目备案公示。   随后在6月10日，基本半导体（中山）有限公司成功竞得中山火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块，这标志着中山首个碳化

在半导体封装领域，已知合格芯片（KGD）作为多层芯片封装（MCP）的核心支撑单元，其价值在于通过封装前的裸片级严格筛选，确保堆叠或并联芯片的可靠性，避免因单颗芯片失效导致整体封装报废，从而显著提升良率与成本效益。KGD需经历全流程的电路特性验证与加速寿命测试——包括输入/输出电压/电流匹配性、功能逻辑验证、动态功耗分析及时序一致性测试，同时通过高温老化试验诱发潜在缺陷，确保其满足至少1000小时以上的工作寿命要求。

热压键合（Thermal Compression Bonding，TCB）是一种先进的半导体封装工艺技术，通过同时施加热量和压力，将芯片与基板或其他材料紧密连接在一起。这种技术能够在微观层面上实现材料间的牢固连接，为半导体器件提供稳定可靠的电气和机械连接。

在电子材料的配方设计中，填料的选择至关重要。传统填料如二氧化硅、氧化铝等，主要扮演着降低成本、调节流变、或提高导热/绝缘的角色。然而，随着应用终端对电子产品的要求日趋多元化——既要耐高温、又要阻燃、还需环保、更要求尺寸极度稳定——单一功能的填料已难以满足系统级的需求。工程师们常常需要面对性能权衡的困境。

随着5G通信、人工智能、高性能计算（HPC）以及新能源汽车电子的迅猛发展，电子设备正朝着更高集成度、更高功率密度和更严苛工作环境的方向演进。在这一进程中，一个经典的物理难题——热膨胀，正成为制约产品可靠性、寿命和性能的瓶颈。不同材料之间热膨胀系数（CTE）的不匹配，会在温度循环中产生巨大的热机械应力，导致焊点开裂、基板翘曲、界面分层、光学对准失准等一系列灾难

倒装芯片（Flip Chip）技术经过了很长的一段时间发展，从三凸点倒装芯片（Flip Chip）到万凸点倒装芯片（Flip Chip），现在已经达到10万凸点倒装芯片（Flip Chip），同时倒装芯片（Flip Chip）的间距也小至20µm。但是，倒装芯片（Flip Chip）技术依然面临着激烈竞争，它的部分市场份额正逐渐被扇出型晶圆/面板级封装（简称 FOWLP）技术所夺走，尤其是PoP封装技术。由于成本更低、性能更高、尺寸也更小等，现在爱疯手机开始采用PoP封装技术制造，同时，越来越多的智能手机公司和组件公司也在效仿爱疯手机，这意味着FOWLP不仅仅用于封装基带、RF（射频）开关/收发器、PMIC（电源管理集成电路）、音频编解码器、MCU（微控制单元）、RF雷达、连接IC等，也可用于封装AP等高性能大型（>120mm2）SoC。对于倒装芯片（Flip Chip）封装技术来说，这无疑形成一个巨大挑战

在芯片制造这场微观世界的雕刻盛宴中，光刻胶（PR）如同一位技艺精湛的工匠手中的隐形画笔，在硅片这片“晶圆画布”上勾勒出亿万个晶体管组成的复杂电路。然而，这支“画笔”却成了中国芯片产业最难突破的瓶颈之一：

为了实现更紧凑和集成的封装，封装工艺中正在积极开发先进的芯片设计、材料和制造技术。随着具有不同材料特性的多芯片和无源元件被集成到单个封装中，翘曲已成为一个日益重要的问题。翘曲是由封装材料的热膨胀系数（CTE）失配引起的热变形。翘曲会导致封装中的残余应力、开裂、电气连接和组装缺陷，最终降低封装工艺的良率。

到目前为止，我们已经了解了如何将芯片翻转焊接到具有 FR4 核心和有机介电薄膜的封装基板上，也看过基于 RDL的晶圆级封装技术。所谓2.1D/2.3D 封装技术，是将 Flip-Chip 与类似 RDL 的工艺相结合的一种中间形态。有些通过晶圆级 RDL 工艺连接多个芯粒、并采用精细 L/S（金属线宽/间距）结构的方案，也被归为 2.1D 封装。

这是一份涉及芯片封装几乎所有关键概念的终极指南，它可以帮助您全面了解芯片的封装方式以及未来互连技术的发展趋势。

随着工业4.0智能化进程加速，工业切割领域正迎来技术革新的关键节点。传统切割方式在处理复合材料、弹性体、食品等特殊材料时，面临粉尘污染、刀具损耗快、切口精度不足等技术瓶颈。在这一背景下，广东固特科技推出的高功率超声波切割组件，为自动化集成商提供了全新的技术解决方案。一、核心技术突破：超声波切割的三大技术优势无屑化切割实现工艺革新在橡胶、皮革、无纺布等材料的切