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DRV8718-Q1智能半桥栅极驱动器技术文档总结

科技绿洲 2025-10-14 15:26 次阅读
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DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道栅极驱动器,用于驱动多个电机或负载。这些器件集成了 4 个 (DRV8714-Q1) 或 8 个 (DRV8718-Q1) 半桥栅极驱动器、驱动器电源电流分流放大器和保护监视器,可降低整体系统复杂性、尺寸和成本。

智能栅极驱动架构可管理死区时间以防止击穿,控制压摆率以降低电磁干扰 (EMI),并优化传播延迟以增强性能。
*附件:drv8718-q1.pdf

为独立的半桥或H桥控制提供输入模式。四个PWM输入可以与SPI控制相结合在不同驱动器之间进行多路复用。

宽共模分流放大器提供在线电流检测,即使在再循环窗口期间也能连续测量电机电流。如果不需要在线检测,该放大器可用于低侧或高侧检测配置。

这些器件提供一系列保护功能,以促进系统稳健运行。其中包括欠压和过压监控器、用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控器、离线开路负载和短路诊断以及内部热警告和关断保护。

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 多通道半桥栅极驱动器
    • 引脚到引脚 4 和 8 半桥驱动器变体
    • 4.9V 至 37V (40V abs. max) 工作范围
    • 4 个带输出映射的 PWM 输入
    • 用于 100% PWM 的三重电荷泵
    • 半桥、H 桥和 SPI 控制模式
  • 智能多级栅极驱动架构
    • 可调节的压摆率控制
    • 自适应传播延迟控制
    • 50μA至62mA峰值源电流输出
    • 50μA 至 62mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区握手
  • 2 个宽共模电流分流放大器
    • 支持直列、高侧或低侧
    • 可调增益设置(10、20、40、80V/V)
  • 提供多种接口选项
    • SPI:详细配置和诊断
    • 硬件:简化控制,减少MCU引脚
  • 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护功能
    • 专用驱动程序禁用引脚 (DRVOFF)
    • 低智商、睡眠模式电机制动 (BRAKE)
    • 电源和稳压器电压监控器
    • MOSFET VDS 过流监测器
    • MOSFET VGS 栅极故障监控器
    • 用于反极性MOSFET的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 设备热警告和关机
    • 窗口看门狗定时器
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述
DRV8714-Q1和DRV8718-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级多通道智能半桥栅极驱动器,集成宽共模电流检测放大器,适用于驱动多电机或负载。

  • 关键特性‌:
    • AEC-Q100认证(温度等级1:-40°C至125°C)。
    • 支持4通道(DRV8714-Q1)或8通道(DRV8718-Q1)半桥驱动。
    • 工作电压范围4.9V至37V(最大40V)。
    • 智能栅极驱动架构(可调压摆率、自适应传播延迟控制)。
    • 集成2路宽共模电流检测放大器(增益10/20/40/80V/V)。
    • 支持SPI和硬件(H/W)接口配置。

2. 应用场景

  • 汽车有刷直流电机(如电动座椅、尾门、天窗、门模块等)。
  • 车身控制模块、变速箱和发动机控制模块。

3. 核心功能

  • 智能栅极驱动‌:
    • 可调死区时间控制,防止直通。
    • 压摆率调节(50µA至62mA峰值电流输出)。
    • 集成VDS/VGS故障监测(过流、栅极故障)。
  • 电流检测‌:支持高/低侧或在线电流检测配置。
  • 保护机制‌:
    • 电源电压监控(欠压/过压)。
    • 热警告和关断保护。
    • 离线开/短路诊断。

4. 封装与引脚

  • 封装类型‌:VQFN(40/56引脚)、HTQFP(48引脚)。
  • 关键引脚功能‌:
    • PWM输入‌(IN1-IN4):控制半桥驱动模式。
    • DRVOFF/nFLT‌:全局驱动禁用或故障中断。
    • BRAKE‌:低功耗睡眠模式下的电机主动制动。

5. 寄存器配置(SPI接口)

  • 提供灵活的寄存器映射,支持:
    • 半桥/H桥控制模式切换。
    • PWM输入映射与自由轮配置。
    • 栅极驱动电流、故障响应阈值编程。

6. 典型应用设计

  • 外部元件‌:需配置电荷泵电容(1µF)、PVDD去耦电容(0.1µF+10µF)。
  • 布局建议‌:优化PCB布线以减少EMI,确保功率地(PGND)与信号地分离。
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