该DRV8955为工业应用提供四个可单独控制的半桥驱动器。该器件可用于驱动多达四个螺线管负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载。
每个通道的输出驱动器由配置在半桥中的N沟道功率MOSFET组成。简单的 PWM (IN/IN) 接口允许与控制器轻松连接。提供单独的输入以独立控制每个半桥。此外,输出可以并联在一起,为输出负载提供更多电流。
*附件:drv8955.pdf
该DRV8955采用单电源供电,支持4.5 V至48 V的宽输入电源范围。提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现低静态电流消耗。提供内部保护功能,用于欠压锁定、每个 FET 上的过流保护、短路保护和过热。故障情况由nFAULT引脚指示。
特性
- 四通道半桥直流电机驱动器
- 最多可驱动四个电磁阀负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载
- 全独立半桥控制
- 集成电流检测和调节
- 4.5 V 至 48 V 工作电源电压范围
- 引脚对引脚兼容 -
- 行业标准 IN/IN 数字控制接口
- 半桥可并联以增加输出电流
- 可配置的关断时间PWM斩波
- 7、16、24 或 32 μs
- 支持 1.8 V、3.3 V、5.0 V 逻辑输入
- 低电流睡眠模式 (2 μA)
- 扩频时钟,实现低 EMI
- 保护功能
参数

1. 核心特性
- 驱动架构:集成4个独立半桥,支持驱动4个螺线管负载、2个直流电机、1个步进电机或其他负载。
- 电压范围:
- 工作电压:4.5V至48V(VM引脚),兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
- 峰值输出电流:2.5A(独立模式)至16A(全桥并联模式)。
- 控制接口:
- IN/IN模式:直接PWM控制,支持快速/慢速衰减模式。
- 并联配置:通过MODE引脚选择半桥并联方式(独立/两两并联/全并联)。
- 集成电流调节:
2. 保护机制
- 欠压锁定(UVLO) :VM或电荷泵电压不足时禁用输出。
- 过流保护(OCP) :峰值电流超限触发(4A/8A/16A,依模式而定)。
- 热关断(TSD) :结温超165°C停机,滞后20°C恢复。
- 故障指示:开漏输出nFAULT引脚。
3. 封装与型号
- 封装选项:
- HTSSOP-28(PWP) :9.7mm×4.4mm,带散热焊盘。
- VQFN-24(RGE) :4mm×4mm,超薄设计。
- 关键参数:
- 导通电阻:165mΩ(高/低侧MOSFET,独立模式)。
- 热阻:PWP封装RθJA=29.7°C/W,RGE封装RθJA=39°C/W。
4. 典型应用
5. 设计要点
- 布局建议:
- 热管理:
- PWP封装需通过散热焊盘连接PCB地平面,推荐多via散热。
- 计算示例:24V/1.5A负载下,HTSSOP封装结温约89.8°C(TA=25°C)。
6. 功能模式
| MODE设置 | 半桥配置 | 最大电流 | 控制方式 |
|---|---|---|---|
| 0或悬空 | 4独立半桥 | 2.5A | INx直接控制 |
| 1 | 两两并联 | 5A | IN2/IN4控制并联对 |
| 330kΩ电阻接地 | 4独立高阻态 | - | ENx使能控制 |
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