比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。 目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。 譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151919 ，只有一层的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情况下增加容量。然而，在像高层建筑物中那样允许单元（NAND的最小单位）沿3D方向存储的3D NAND中，容量可以随着
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 2020年下半年制造48层的3D NAND存储。然后，该公司计划在2021年开始出货96层3D NAND，并在2022年开始出货192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是其19纳米
2019-12-14 09:51:295966 三星最近打破了目前市场上最高64GB的束缚，本周正式宣布128GB的NAND存储芯片。
2012-09-21 10:14:521228 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存，单颗核心容量就达到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
2017-02-07 17:34:129182 
据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:371739 
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式；东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑，表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。
2018-09-20 09:25:425627 提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:293528 在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:117106 作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 提升到一个全新的水平，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。 铠侠的BiCS FLASH是一种三维（3D）垂直闪存单元结构。铠侠的TLC 3位/单元1Tb （128GB） BiCS
2024-07-17 00:17:004491 
128GB容量。并且带来的成本优势开始减弱，16nm制程后，继续采用2D 微缩工艺的难度和成本已超过3D技术，因此3D NAND开始成为主流。比如旺宏也计划跟进在2020年下半年实现48层128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。此外，铠侠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片，同样是基于东芝BiCS 3D存储技术打造，设计容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
DTDUO3C/32GB/64GB闪存硬盘DTDUO3C/128GB全球记忆体模块龙头金士顿 (Kingston)亚太区Flash Memory业务总监苏治源表示，该公司NAND Flash产品去年
2022-02-10 12:26:44
NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原厂之外，下游的SSD品牌厂已陆续进入了新的制程阶段，相较于64层3D NAND，96层3D NAND使单颗Die容量向1Tb普及，不仅将推动SSD容量
2022-02-06 15:39:12
-2P/256GB-2PDTKN/32GB/64GBDTKN/128GB/256GBDT80/32GB/64GBDT80/128GB/256GBDT100G3/32GB/64GBDT100G3/128GB/256GB
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
技术方案。
三、NAND Flash分类
NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC，从结构上又可分为2D、3D两大类
2024-12-17 17:34:06
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
4个插槽，我们可以容纳128GB内存，但CPU只支持64GB内存。DELL 7730也是如此非常感谢以上来自于谷歌翻译以下为原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo
2018-10-26 14:58:40
的96层3D闪存使用的是新一代BiCS4技术，QLC类型的核心容量高达1．33Tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66TB。 国内崛起撬动全球
2021-07-13 06:38:27
我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接两个8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1
2018-07-25 07:55:57
SanDisk NAND闪存部门今天宣布公司将开始生产128Gb，也就是16GB容量的闪存芯片，该芯片将采用19纳米制程，每单元三层结构，尺寸为0.26平方英寸，比一个一便士硬币还要小，而传输速率可
2012-02-23 10:44:061200 
云端的存储解决方案并不是适用于所有的移动平台用户。最近，三星打破了目前市场上最高64GB的束缚，本周正式宣布128GB的NAND存储芯片。
2012-09-21 10:11:251273 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道，英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘，它是主流的SATA驱动器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品，且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量可以做到768Gb(32GB)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。
2017-07-04 14:43:502960 iPhone7/7Plus刚上市时，最受追捧的亮黑色不仅没有64GB版本，连32GB都没有。现在最受关注的苹果10周年纪念版iPhoneX只有64G和256G，没有中间最合适的128GB，那么苹果砍掉128GB是为什么？
2017-09-27 16:35:1838862 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 NAND Flash(储存型快闪存储器)随着2D转3D制程良率改善，量产能力大为提升，尽管价格已经松动，但包括存储器、控制IC、封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升。存储器控制IC大厂群联电子
2018-07-09 09:52:00800 （Toshiba）等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。
2018-06-11 09:16:004985 随着上游NAND Flash原厂的64层3D NAND产能持续开出，且被大量应用在SSD产品线，今年以来高容量SSD价格持续下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD现货价已降至40～43美元
2018-06-26 15:39:494535 
由于NAND闪存价格上涨，SSD普及的道路走的异常艰难，同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存，把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点，具有极高的性价比和极强的市场竞争力，或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:365391 NAND Flash控制IC大厂群联日前宣布，PCI-e规格的固态硬碟（SSD）晶片已经通过3D NAND Flash BiCS3测试，下半年将成为PC／NB OEM的SSD市场主流规格，将可望扩大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161646 7月20日，东芝/西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），单Die容量最高可达1.33Tb，预计将在2018下半年开始批量出货，并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。
2018-08-08 15:10:011063 
NAND Flash价格在经历了2016年和2017年暴涨之后，2018上半年市场行情回归理性，在原厂扩大64层3D NAND产出下，NAND Flash基本已回到2016年的价格水平。随着各家
2018-08-11 09:35:003365 
东芝宣布已经进行开发拥有当前最高容量的闪存芯片原型，单颗芯片就能有着 1.33Tb（或 166GB）的容量−−这是利用他们的 96 层 QLC 3D NAND 技术，对比现在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:004269 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002770 Maxio（杭州联芸科技）日前展示了基于Intel 3D QLC闪存的SSD样品，容量高达4TB。
2018-08-19 11:42:401636 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462599 随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die，以及提高新工厂的产出量，2018年三星将全面向3D NAND普及，美光预计2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 随着64层/72层3D NAND产出的增加，以及原厂QLC和96层3D技术快速发展，NAND Flash在经历2年涨价后，2018年市场行情从缺货转向供应过剩，再加上成本下滑，以及供需双方博弈刺激下，预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台，甚至有望冲刺2亿台。
2018-08-31 16:15:002745 在2D纳米工艺时代，NAND Flash架构经历了从SLC向TLC的过渡，控制芯片技术的发展起到非常重要的作用。随着原厂3D NAND技术的不断成熟，2018年各家原厂纷纷向96层3D NAND
2018-09-13 15:29:4016534 市场。SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。 Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 支持64层3D QLC后，现已全面支持最新96层3D NAND闪存颗粒。此次发布的96层3D TLC NAND闪存固态硬盘解决方案，客户无需修改硬件，为客户快速量产提供了极大的便利性。联芸科技最新发
2018-11-19 17:22:318411 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:374328 国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:122056 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 在近日于韩国首尔举行的存储开放日活动中，Intel推出了使用QLC闪存的新款固态硬盘665P，继续使用了660P所采用的慧荣SM2263主控，但闪存颗粒升级为96层3D QLC，但单Die依旧维持1024Gb容量（128GB）。
2019-09-27 15:22:294205 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 今年一季度，紫光旗下的长江存储（YMTC）开始投产 64 层堆栈 3D 闪存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月产能仅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存储设备包含一个128Gb的48针TSOP封装。所有可能的配置可能不可用。有关当前零件号的列表，请参见第0页的“市场营销零件号
2020-07-01 08:00:00
6 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今日（4月13日），长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:091347 128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量①。此次同时发布的还有128层512GbTLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司（长江存储）宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。
2020-04-13 17:14:491750 据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片，这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术，意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功，型号为X2-6070，并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:063603 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:225527 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-12 09:54:014518 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 HDD硬盘的出货量不断下滑，现在大容量方面也要遇到SSD的挑战了——群联今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC闪存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高记录。
2020-09-02 15:53:532743 
，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690 ，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:342586 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 了解到，670p 是继 660p 和 665p 之后的一款全新的 3D QLC NAND SSD，采用了新的主控，支持 PCIe Gen3。容量可选 512GB 到 2TB，具体的读写速度还没公布。另外
2020-12-17 09:30:223066 2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这也是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存。同年8月14日，长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在紫光集团展台上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 美光科技近期宣布，其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步，巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553 2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，
2024-05-09 14:27:401669 电子发烧友网报道长江存储4月13日重磅发布两款128层3D NAND产品引起业界高度关注，其中128层QLC产品为目前业内发布的首款单颗Die容量达1.33Tb的NAND闪存，容量、性能均优于主要
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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