0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中国首款64层3DNAND闪存即将亮相 将推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展

半导体动态 来源:wv 作者:长江存储 2019-09-02 16:27 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2019年9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存,该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。

长江存储64层3D NAND闪存晶圆

长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

作为集成器件制造商(IDM -Integrated Device Manufacturer),长江存储致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务,并计划推出集成64层3DNAND闪存的固态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

长江存储一贯重视核心技术的自主研发和创新,Xtacking®技术的研发成功和64层3DNAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

今后,长江存储仍将持续投入研发资源,以通过技术和产品的迭代,使每一代产品都具备强劲的市场竞争力,更好地满足全球客户的需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示:“通过将Xtacking®架构引入批量生产,能够显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到,“随着5G人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3DNAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 闪存
    +关注

    关注

    16

    文章

    1916

    浏览量

    117462
  • 紫光集团
    +关注

    关注

    8

    文章

    265

    浏览量

    29758
  • 长江存储
    +关注

    关注

    5

    文章

    333

    浏览量

    38902
  • 3DNAND
    +关注

    关注

    2

    文章

    18

    浏览量

    10921
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    慧荣科技携全系列主控芯片及创新存储解决方案亮相CFMS MemoryS 2026

    2026年3月27日,备受瞩目的中国闪存市场峰会(CFMS|MemoryS2026)在深圳圆满落幕。本次大会以“穿越周期·释放价值”为主题,汇聚了全球
    的头像 发表于 03-31 14:20 1282次阅读

    Solidigm亮相2026中国闪存市场峰会

      2026年3月27日深圳——今日开幕的2026中国闪存市场峰会上, Solidigm(思得)发表了题为“夯实存储根基,拥抱AI时代”的主
    的头像 发表于 03-28 16:39 2013次阅读

    启铭芯存储重磅亮相CFMS MemoryS 2026

      3 月 27日,以“穿越周期、释放价值”为主题的2026中国闪存市场峰会(CFMS | MemoryS 2026)于深圳宝安JW万豪酒店隆重举行。作为全球
    的头像 发表于 03-28 16:00 1759次阅读

    三星半导体全场景存储解决方案亮相CFMS MemoryS 2026

    2026年3月27日,深圳 —— 在2026中国闪存市场峰会(CFMS 2026)上,三星半导体全面展示了其面向下一代AI基础设施、端侧AI以及移动端的全方位创新
    的头像 发表于 03-28 14:03 1777次阅读

    康盈半导体精彩亮相CFMS MemoryS 2026

    3月27日,超可靠存储创新解决方案商康盈半导体精彩亮相CFMS | MemoryS 2026中国闪存
    的头像 发表于 03-28 14:01 1838次阅读

    CFMS | MemoryS 2026峰会:闪迪展出UFS4.1新品及全场景闪存解决方案

    先进闪存存储技术加速AI从云到端的全面应用 2026年3月27日,上海 – 全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司(Nasd
    的头像 发表于 03-27 14:17 317次阅读
    CFMS | MemoryS 2026峰会:闪迪展出UFS4.1新品及全场景<b class='flag-5'>闪存</b><b class='flag-5'>解决方案</b>

    闪迪携UFS4.1新品及全场景闪存解决方案亮相CFMS | MemoryS 2026

    先进闪存存储技术加速AI从云到端的全面应用   2026年3月27日,上海 – 全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司(Na
    的头像 发表于 03-27 10:36 3.6w次阅读
    闪迪携UFS4.1新品及全场景<b class='flag-5'>闪存</b><b class='flag-5'>解决方案</b><b class='flag-5'>亮相</b>CFMS | MemoryS 2026

    紫光闪芯携重磅存储产品亮相CFMS MemoryS 2026

    产业重构与技术革新,是洞察全球存储市场趋势、链接产业核心资源的关键平台。紫光闪芯携重磅存储产品亮相,更将在现场发布新品,以创新
    的头像 发表于 03-25 09:26 739次阅读
    紫光闪芯<b class='flag-5'>将</b>携重磅<b class='flag-5'>存储</b>产品<b class='flag-5'>亮相</b>CFMS MemoryS 2026

    深耕计量技术:助力下一代 3D NAND 突破存储极限

    作者:LauraPeters文章来源:SEMICONDUCTORENGINEERING每一代3DNAND闪存存储容量都比上一代增加约30%,目前的芯片尺寸仅相当于指甲盖大小,却能存储
    的头像 发表于 12-24 10:28 2072次阅读
    深耕计量技术:助力下一代 <b class='flag-5'>3</b>D NAND 突破<b class='flag-5'>存储</b>极限

    高速、高效、可靠的存储解决方案

    基础元器件,闪存产品在系统中承担着数据保存、程序存储以及高速读写的重要任务。 今天,我们荣幸地向大家介绍全新的__XT25F128F 3.3V Quad I/O串行闪存__,这是一
    的头像 发表于 10-15 10:46 504次阅读

    闪存新标杆

    XT25F64F 3.3V Quad I/O 串行闪存 —— 高性能存储解决方案 随着物联网、智能家居、工业自动化、汽车电子以及消费电子等领域的不断
    的头像 发表于 10-15 10:40 696次阅读

    LG新品27G64N电竞显示器即将亮相

    值得关注的是,以27G64NA为首的UltraGear超级新品即将震撼上市。作为LGG6系列300Hz高刷显示器,它不仅在外观上采用中国市场
    的头像 发表于 09-19 16:31 1955次阅读

    紫光国芯发布国产车规级LPDDR4x芯片,助力智能网联汽车发展

    贞光科技作为紫光国芯的重要合作伙伴,正在国产通过AEC-Q100认证的车规级LPDDR4x存储芯片推向市场,为智能网联新能源汽车提供核
    的头像 发表于 09-12 16:32 3254次阅读
    紫光国芯发布国产<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>车规级LPDDR4x芯片,助力智能网联汽车<b class='flag-5'>发展</b>

    Kioxia成功研发5TB大容量64GB/s高带宽闪存模块原型

    全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation成功研发出一容量、高带宽闪存模块原型,该模块对于大规模人工智能(AI)
    的头像 发表于 08-26 17:50 1194次阅读

    攻克存储芯片制造瓶颈:高精度晶圆切割机助力DRAM/NAND产能跃升

    存储芯片(DRAM/NAND)制造中,晶圆划片是整片晶圆分割成单个芯片(Die)的关键后道工序。随着芯片尺寸不断缩小、密度持续增加、晶圆日益变薄(尤其对于高容量3DNAND),传统
    的头像 发表于 08-08 15:38 1781次阅读
    攻克<b class='flag-5'>存储</b>芯片制造瓶颈:高精度晶圆切割机助力DRAM/NAND产能跃升