。 IC Insights最新资料显示，随着Flash市场需求增加，各存储器业者为扩大或升级3D NAND生产线，纷纷增加Flash资本支出，使得2017与2018年全球该项支出分别年增92%与16%，达276亿与319亿美元，均高于各当年半导体业者在DRAM与晶圆代工上的资本支出。 而随着主要存储
2019-01-23 09:24:56
1391 最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示，长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。
2019-08-27 09:32:512672 台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示，旺宏将在
2019-12-14 09:51:295966 欧盟宣布将增加4条先进生产线建设计划，包括发光二极管和450mm晶圆等。此前，欧盟宣布建设全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）试生产线。该五条芯片试生产线项目是欧盟于5月23日宣布的“欧洲电子策略
2013-06-03 09:45:281000 ）亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash，业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。
2015-10-09 09:40:15980 句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。本文详细介绍了3D NAND闪存优势，主要的生产厂商，以及三星、东芝和Intel在这个领域的实力产品。
2016-08-11 13:58:0644661 
今日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工，预计 2018年建成投产，2020年完成整个项目，初期计划以先进的3D NAND为策略产品
2016-12-31 01:52:114140 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日据中科院网站消息，近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:232091 借由此案进入3D NAND代工，更说服东芝在台湾设厂生产，此举目的是击破三星电子长期来以存储器利润补贴逻辑亏损的策略，一报大客户高通（Qualcomm）被抢之仇。
2017-03-02 07:51:24844 通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来，促成了NAND 技术进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:293528 对相关业务进行了重新聚焦：压缩了NAND部分产品线。 紫光存储方面表示，未来随着长江存储3D NAND稳步量产，相关业务将逐步转移到长江存储；同时，还将增强DRAM部分产品线。 去年9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，已开始量产中国首款
2020-03-19 09:18:226283 据路透社报道，铠侠Kioxia于本周四（10月29日）表示，将在日本中部新建一条NAND存储芯片生产线，以满足智能手机、自动驾驶汽车等领域不断增长的数据存储需求。
2020-10-29 11:22:522536 东芝官网显示，3月10日，东芝发布功率器件业务重大投资消息，表示准备开工建设300mm晶圆制造厂。据其披露，东芝将在日本石川县加贺东芝电子公司新建一条300mm晶圆生产线，以提高功率半导体生产能力，该生产线计划于2023年上半年开始量产。不过，东芝未在新闻稿中披露具体投资额。
2021-03-11 09:28:134520 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
请教大家一个问题： Altium designer 的3D封装在机械层是有线的，我的板子在机械层也画了线来切掉一部分。那么在PCB的生产加工中，3D封装位于机械层的线是否会影响加工效果。请实际操作过的回答下，非常感谢。如下图：
2016-07-22 14:05:18
密度，制造商开发了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技术，该技术将Z平面中的存储单元堆叠在同一晶圆上。
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3D NAND, 即立体堆叠技术，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未来EDSFF将在散热方面会有更杰出的表现，同时也希望对NAND进行进一步优化。长江存储：2019年量产64层3D NAND长江存储作为NAND Flash产业新晋者
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工艺即将由无晶圆半导体公司BeSang授权。 BeSang制造了一个示范芯片，在逻辑控制方面包含1.28亿个纵向晶体管的记忆存储单元。该芯片由韩国国家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
为我国最大的半导体生产基地，月产能为10万片晶圆，而在去年七月份紫光集团还参与了长江存储的投资，计划投资1600亿元，打造国产3D NAND闪存，研发DRAM。
2018-03-28 23:42:26
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
过去存储器与晶圆代工业大致上可以说是「楚河汉界，井水不犯河水」。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器
2018-12-24 14:28:00
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
中图仪器WD4000晶圆硅片表面3D量测系统采用光学白光干涉技术、精密 Z 向扫描模块和高精度 3D 重建算法，Z 向分辨率最高可到 0. 1nm。它通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大
2024-10-25 16:46:20
Maxim近期已经通过300mm晶圆生产线的模拟产品验证并开始供货。这一重大举措进一步确立了Maxim在模拟/混和信号
2010-11-12 08:56:43934 2013年9月3日——领先的高性能模拟IC和传感器解决方案供应商奥地利微电子公司（SIX股票代码：AMS）今日宣布投资逾2，500万欧元在其位于奥地利格拉茨附近的晶圆制造工厂，用以建立3D IC专用的生产线。
2013-09-03 14:55:341433 全球包括高阶制程、3D NAND Flash及大陆半导体业者对于12寸晶圆代工产能需求大增，导致硅晶圆供应缺口持续扩大，近期全球三大硅晶圆厂信越（Shin-Etsu）、Sumco、德国
2016-12-21 09:30:561358 ，投资规模累计超过100亿美元，这也将是格罗方德在中国最大和最先进的晶圆制造基地。一期建设主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线，预计2018年底投产；主要为0.13微米、0.18微米，从新加坡转移至成都，产能2万片/月。
2017-02-10 14:39:173908 技术的基础上， 该公司运用其深厚的重直整合能力，开发出X4 3D NAND技术，包括硅晶圆加工、装置工程（在每个存储节点上提供16个不同的资料等级）、和系统专门技术（用于整体闪存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 的厂商竞争，以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？ 闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:26
6 紫光南京半导体产业基地主要将生产3D NAND FLASH存储芯片和DRAM存储器芯片，一期占地约700亩，二期占地约800亩;这也是紫光拟在武汉投资控制长江存储、在成都打造晶圆厂，另一个紫光大型的存储器生产南京基地也已经实质启动。
2017-11-28 12:54:402401 集微网消息，1月9日，英特尔(Intel)宣布与美光(Micron)即将在第三代3D NAND之后分道扬镳。今日台湾DIGITIMES报道指出，业界透露英特尔在3D NAND布局押宝大陆市场，不仅
2018-01-10 19:43:16679 上周，随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND，其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时，有外媒报道，英特尔将于紫光合作，在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年，英特尔将会
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
4月11日，长江存储以芯存长江，智储未来为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。 2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，正是为4月搬入机台设备而准备，预计很快就可以实现 3D NAND 量产。
2018-04-15 10:08:0010302 京东方（BOE）作为中国面板巨擘，目前已经在四川成都和绵阳布局了2条第6代柔性AMOLED生产线，其中成都线是中国第一条柔性AMOLED生产线，也是全球第2条量产的6代柔性AMOLED产线。而绵阳
2018-05-02 10:32:003835 的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术工艺差别较大，而且相对2D NAND来说，国际大厂在3D存储器布局方面走得并不远。
2018-06-20 17:17:495087 韩国第二大存储芯片巨头SK海力士宣布，将与中国成立新的合资企业，并于今年下半年兴建新的200毫米晶圆代工生产线。
2018-07-17 11:33:525114 作为3D NAND闪存产业的新晋者，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（长江存储）今年将首次参加闪存峰会（Flash Memory Summit），并发表备受期待的主题演讲，阐述其即将发布的突破性技术XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002770 存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元，占半导体存储器市场总额的32%。
2018-08-13 09:01:001863 由于国家政策和大基金的支持，中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓，3D NAND也顺理成章成为广大厂商关注的重点，早前被紫光纳入旗下的武汉新芯科技（XMC）很早已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂
2018-10-08 15:52:39780 再投240亿美元，紫光成都存储器制造基地成又一个长江存储！ 继2016年12月30日，紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，项目总投资为240亿美元的长江存储国家
2018-10-15 17:07:021241 根据紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
2018-10-16 15:58:402936 10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区隆重举行。
2018-10-18 09:34:1711110 华润12吋晶圆生产线项目投资约100亿元，建设国内首座本土企业的12吋功率半导体晶圆生产线，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
2018-11-08 10:15:139889 全球 3D NAND 价格近来快速崩跌，紫光集团旗下的长江存储肩负打破国内“零”存储自制率之重任，以”光速”的气势加入这场存储世纪大战。除了武汉 12 寸厂进入生产，南京厂也将于年内动工，加上成都厂
2018-11-30 09:16:252791 技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2018-12-25 14:39:563714 昨日，紫光集团旗下紫光宏茂微电子（上海）有限公司发布信息，宣布公司成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。他们表示，这次公告标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破，也为紫光集团完整存储器产业链布局落下关键一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 紫光集团存储芯片战略规划，紫光宏茂自2018年4月起，开始建设全新3D NAND封装测试产线，组建团队，研发先进封测技术。
2019-01-12 10:28:003677 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
2019-08-29 14:28:002725 据悉，紫光在四川的产业布局宏大，总投资已超2000亿元，建设周期需3年-5年。而紫光在成都芯片的布局比较深入，主要包括服务器的芯片的研发，安全芯片的研发，存储芯片、移动通讯芯片的相关研。目前，紫光
2019-06-27 16:52:347562 SkyWater科技的晶圆厂生产出第一批可以匹敌先进硅芯片性能的3D纳米管晶圆。
2019-07-26 14:03:463706 由于 3D NAND 存储器市场出现了供过于求的现象，制造商们不得不减产以稳定价格。
2019-07-30 14:29:393096 根据台积电在第二十四届年度技术研讨会中的说明，SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术，是一种晶圆对晶圆（Wafer-on-wafer）的键合（Bonding）技术，这是一种3D IC制程技术，可以让台积电具备直接为客户生产3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993 
单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 Xtacking是长江存储在去年FMS（闪存技术峰会）首次公开的3D NAND架构，荣获当年“Best of Show”奖项。其独特之处在于，采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。
2019-09-06 16:30:373601 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:411115 据悉，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 据SEMI最新报告，2019年底，将有15个新Fab厂开工建设，总投资金额达380亿美元。在全球新建的Fab厂中，约有一半用于200毫米（8英寸）晶圆尺寸。自2000年以来，芯片厂家逐渐迁移到更高
2019-09-23 16:21:165373 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 长江存储打破全球3D NAND技术垄断，作为国家重点打造的存储器大项目，经历多年的研发，终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:053808 在此前高调地宣布“分道扬镳”之后，英特尔近日又与美光签署了新的 3D XPoint 存储器晶圆供应协议。分析人士指出，鉴于英特尔是当前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付较以往更多的费用。
2020-03-17 14:21:142525 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:522011 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091627 近日，华润微电子在投资者互动平台上表示，公司目前正在规划12英寸晶圆生产线项目。
2020-09-03 09:39:524875 
Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着 2D NAND 容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND 的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲，详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 8英寸晶圆被认为是落后产线，更关注12英寸晶圆产线的建设和量产。然而，就是这一比12英寸晶圆古老多年的产品，目前其产能依然很紧张。 供不应求的8英寸晶圆与逐年下滑的生产线 目前全球代工厂产能爆满，台
2020-11-23 14:00:393711 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617 日前，有媒体报道称，消息人士透露，长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10万片晶圆，并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片，不过为确保量产芯片质量，该计划有可能会被推迟至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 生产线三维建模解决方案就是通过模型、虚实联动和三维建模等先进技术，以一个3D立体模型展现出来，可以让我们很直观的看到生产线的运作以及对数据的监控。商迪3D运用3D建模技术可以让工业3D模型管理系统
2021-03-06 10:15:352040 日前，有媒体报道，虽然目前许多大厂都纷纷投资于建设12英寸晶圆厂，不过8英寸晶圆的需求依旧强烈，国际半导体产业协会在一则报告中表示：预计到2024年之前，全球的8英寸晶圆生产线将会新增25条，今年8
2022-04-13 16:11:552342 根据合作框架协议，中芯国际将在当地建设12英寸晶圆代工生产线项目，产品主要应用于通讯、汽车电子、消费电子、工业等领域。项目拟选址西青开发区赛达新兴产业园内。规划建设 产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线，可提供28纳米~180纳米不同技术 节点的晶圆代工与技术服务。
2022-08-29 11:31:413729 NAND价格从2022年第1季在缺货拉抬调涨报价后，市场价格快速反转走跌，第3季NAND晶圆跌价约达3成以上，相当于从年初高点下跌约达50%，由于终端备货消极，晶圆厂报价持续探底，市场预估第4季NAND晶圆价格跌幅将再季减20%。
2022-11-01 12:36:27887 NAND Flash。2007年，东芝推出3D NAND，三星也在2012年发布其第一代3D NAND。NAND Flash 技术几十年发展保留了相同的概念、堆叠（stack）和架构，存储密度随时间呈指数
2022-11-25 14:57:352730 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227 SuperViewW1白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线，致力于满足时下半导体封装中晶圆减薄厚度、晶圆粗糙度、激光切割后槽深槽宽的测量需求，助力半导体行业发展。
2022-12-19 15:44:511608 
最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 据悉，东京电子新技术的目标是能够长时间储存数据的3d nand闪存。该公司开发了一种新的通道孔蚀刻方法，该方法是将垂直孔快速深插入存储单元。3D nand的存储器容量可以通过将存储器单元层垂直堆积来增加，如果层数增加，就需要性能更高的装置。
2023-10-16 14:39:491360 W系列白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线，致力于满足时下半导体封装中晶圆减薄厚度、晶圆粗糙度、激光切割后槽深槽宽的测量需求，助力半导体行业发展。
2022-12-19 09:16:291 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:392376 
来源：天成先进 2024年12月30日，天成先进12英寸晶圆级TSV立体集成生产线正式投产! 本次投产聚焦三大类型，共计六款产品，产品基于天成先进“九重”晶圆级三维集成技术体系，围绕“纵横(2.5D
2025-01-02 10:54:221466 一、引言
随着半导体技术向小型化、高性能化发展，3D 集成封装技术凭借其能有效提高芯片集成度、缩短信号传输距离等优势，成为行业发展的重要方向 。玻璃晶圆因其良好的光学透明性、化学稳定性及机械强度
2025-10-14 15:24:56317 
在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在
2024-06-29 00:03:008061
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