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电子发烧友网>存储技术>DRAM价格迎来下跌,三星、海力士已经在着手施展应对措施

DRAM价格迎来下跌,三星、海力士已经在着手施展应对措施

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原装存储芯片热卖三星美光海力士

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三星和SK海力士重组 存储芯片寒冬何时休

三星电子和 SK 海力士已经重组,以应对半导体行业的低迷。他们正在寻求突破复杂的全球危机,其中包括销售因经济低迷而下降。
2022-12-20 14:35:591183

三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

dram领域的调查企业trend force称,去年第四季度dram领域,三星以45.1%的世界市场占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。nand闪存领域,三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:581100

DRAM ,终于迎来了春天

芯片供应过剩、需求低迷的情况下,DRAM芯片现货价格自2022年2月以来一直处于下跌状态。三星和SK海力士自去年底开始大幅削减芯片产量,导致芯片库存资产触底反弹,芯片价格持续走低。价格依次回升。
2023-10-09 16:35:591336

三星SK海力士加码半导体设备投资与产量,以缓解行业压力

12月18日,传闻三星及SK海力士正筹划于来年加大芯片制造设备的投入,如三星电子预计投注27万亿韩元,SK海力士则计划注入5.3万亿韩元,增幅分别达25%与100%。
2023-12-19 09:20:35974

三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%

近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士2024年第一季度将调整DRAM减产计划

尽管2023年面临存储芯片市场下滑和价格下跌,SK海力士因应人工智能芯片需求的增长,尤其是高带宽内存(HBM)的激增,于去年12月成功超越竞争对手三星电子,跃居韩国第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:251221

三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元 推进“超级集群”计划

三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元,推进“超级集群”计划。
2024-01-23 11:35:481199

AI需求激增,三星与SK海力士计划增产高价值DRAM

趋势,半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加速向更先进的10纳米第四代(1a)和第五代(1b)版本的过渡。
2024-03-06 10:49:491263

三星追赶AI芯片竞赛,计划采用海力士制造技术

三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF技术对三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的技术。
2024-03-14 11:00:141518

刚刚!SK海力士出局!

在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

三星近期Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:051425

美光、SK海力士三星拟上调存储芯片价格,数据中心需求强劲成为主因

台湾东部花莲地区4月3日发生强烈地震之后,美光、SK海力士三星纷纷暂停存储芯片报价,三星虽未受直接影响,却暂时停止出货以待上级指示。据了解,尽管家主要DRAM供应商尚未宣布后续涨价安排,不过业界预期地震后存储器产品价格或将大幅度攀升。
2024-04-10 09:30:411085

涨价20%!三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58877

三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52983

三星和SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

 根据行业预估,三星和SK海力士有望今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
2024-05-22 14:49:59971

三星、SK海力士DRAM和NAND产量持保守态度

DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星、SK海力士通用DRAM产线开工率维持80%~90%

半导体存储行业,三星电子和SK海力士两大韩国巨头一直以其卓越的技术和产能占据市场的重要地位。然而,近期韩媒援引业内人士的消息称,这两大巨头的通用DRAM(动态随机存取存储器)产线开工率目前维持80%~90%的水平,显示出市场供需之间的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244

三星海力士引领DRAM革新:新一代HBM采用混合键合技术

科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其技术革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星和SK海力士,都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:361486

三星与SK海力士启动芯片浸没式液冷测试

近日,科技界迎来了一则重要消息:三星电子与SK海力士已携手启动芯片产品对浸没式液冷的兼容测试。这一举措旨在响应服务器运营方对于建立浸没式液冷解决方案保修政策的需求,进一步推动数据中心冷却技术的革新。
2024-07-02 10:24:081062

美光HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战

雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士三星带来了不小的竞争压力,尤其是SK海力士,作为韩国DRAM行业的领军企业,正严阵以待,积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:591061

三星电子与SK海力士加大DRAM与HBM产能,应对AI热潮下的存储需求

全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:091248

SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士Q3利润有望赶超三星半导体

随着三星电子定于10月8日发布第季度初步财务报告,市场焦点转向了其与SK海力士之间营业利润的预期差距如何进一步拉大。   SK海力士因在高带宽内存(HBM)领域的强劲表现,预计将迎来历史最佳
2024-10-08 15:58:351552

三星与SK海力士市值份额差距缩至13年最小

韩国交易所近日发布的数据显示,三星电子与SK海力士的市值份额差距已经缩小至近13年来的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992

三星与SK海力士实施NAND闪存“自然减产”

据外媒最新报道,为了应对NAND闪存市场的供应过剩问题,三星电子与SK海力士两大半导体巨头已悄然采取措施,通过工艺转换实现“自然减产”。 据业内消息透露,自去年年底以来,三星电子和SK海力士正积极
2025-02-12 10:38:13858

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