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三星、海力士推迟或致内存价格下降缓慢

中国半导体论坛 来源:未知 作者:工程师曾暄茗 2018-09-09 09:24 次阅读
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内存价格已经连续上涨两年多,业内普遍预测到今年第四季度将逐步回归正常,但还没来得及兴奋,坏消息就来了。据台媒援引业内消息称,三星电子、SK海力士都计划推迟工厂扩建、产能扩充计划,原因是客户需求正在变缓,会导致DRAM内存、NAND闪存的价格在2019年上半年明显下滑,这自然是他们不想看到的。

近期,DRAM内存合约价出现了明显的走低迹象,预计到今年第四季度随着供应充足、供过于求,DRAM合约价会开始大幅度下降。

NAND闪存方面,尽管第三季度是传统需求旺季,但今年全球市场供应仍然很充足,64层、72层堆叠3D闪存产能持续提升,但由于笔记本、智能手机市场都相当饱和,需求增长有限。同时,渠道供应链内堆积了大量NAND闪存芯片,进一步导致价格下滑,预计合约价会在今年第三季度环比下降10-15%,超出预期,第四季度则会再降15%。对于厂商和渠道而言,DRAM内存、NAND闪存的价格在2019年上半年都会面临很大压力,当然对消费者而言就是好事了。目前,三星已经减缓了3D NAND闪存产能的扩充,新的生产线要推到明年上半年才会上线,同时暂停了在韩国华城、平泽新建1ynm DRAM内存芯片工厂的计划。在此之前,三星曾计划从今年第三季度开始,将DRAM内存芯片每个月的产能输出扩大3万块晶圆。SK海力士也同样大大推迟了3D NAND闪存芯片产能扩充的计划。简而言之,内存、闪存(SSD)的价格在未来都会慢慢下降,但因为源头的刻意控制,不要指望太大的降幅了。

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原文标题:完了!三星、海力士推迟扩产了!

文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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