据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，频率、容量、能效和功能技术都达到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 为突破半导体市场的不景气，三星电子（Samsung Electronics）致力升级微细制程技术；SK海力士（SK Hynix）则准备以史上最大规模的投资计划应战。
2016-01-26 08:19:58849 近日，SK 海力士负责人在接受采访时表示，准备在2020年发布DDR5内存条，频率起步5200MHz，另外DDR6内存也开始策划了，将在5~6年内研发。
2019-01-29 09:09:052246 日前，据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术，以建立更高的技术壁垒。对此，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。
2020-10-09 10:34:452742 极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。 SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础
2021-03-29 14:38:437477 讨论购买存储芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已经完成了符合博世要求的规格的存储芯片的开发。 与消费类设备中使用的DRAM相比，汽车中使用的DRAM需要保证更高的可靠性和更宽的激活温度范围。SK海力士开发的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 据悉，SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司（Bosch）洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称，SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 。 图源：SK海力士官网 SK海力士将这一进展定义为：意义非凡。 激进的三星和SK海力士 在谈论EUV DRAM是否非凡之前，我们先了解一些关联技术。从原理上说，光刻技术就是利用光化学反应原理和化学、物理刻蚀方法将掩模板上的图案传递到晶圆的工艺技术。近半个多世纪，半导
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
电子发烧友网综合报道，据业界消息，三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发，正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s，后续
2025-07-31 08:32:003676 电子发烧友网综合报道，据韩媒报道，存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划，该技术将通过一种名为
2025-11-14 09:11:212448 
SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
STM32F407为什么在传输事件触发中断后会再一次触发中断？是什么原因呢？怎么去解决？
2021-10-21 06:06:55
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2021-04-27 16:10:09
内存本身性能的扩大，封装技术也需要不断发展。经证实，三星已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段，将采用MSAP技术。目前，MSAP已经被三星的竞争对手（SK海力士和美光）用于DDR5中。据介绍
2022-10-26 16:37:40
本帖最后由 dealicdz 于 2021-8-31 15:19 编辑
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2020-11-20 16:59:46
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2021-08-02 17:44:42
全球DRAM二哥海力士（Hynix）认为，DRAM产业下半年起开始复苏。
2012-03-16 09:00:194668 全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
2016-12-26 09:44:481040 
SK海力士（SK Hynix）正对喷雾式电磁波干扰（Electromagnetic Interference；EMI）遮蔽（Shielding）技术量产可能性进行评估，有望接手过去委外进行的EMI遮蔽制程，着手研发喷雾式的EMI遮蔽技术，期望达成降低生产成本与提高产量的目标。
2016-12-29 08:02:111070 SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM，将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言，SK 海力士新内存芯片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12941 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 “苹果iPhone X首次使用AMOLED屏，签下约90亿美元OLED面板订单”的消息在网上传开后，直接点燃了AMOLED的热潮。这个被誉为“下一代显示技术的”的OLED技术再一次被推到了风口下，也将OLED面板的发展推上了快车道。
2018-04-26 14:04:002460 6月5日晚间有消息称，位于无锡的 SK海力士 工厂突然发生火灾。据悉，发生火灾的是无锡海力士正在建设的第二工厂项目，目前受灾情况尚不明朗。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 值得一提的是，火灾发生地位于项目工地，应该对目前的生产线没有影响。
2018-06-09 09:47:005028 家存储器大厂SK海力士（Hynix）也传出消息，正在研发EUV技术来生产DRAM存储器，未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:244026 )制程DRAM，目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度，追赶三星，预 ... 10纳米级DRAM先进制程竞争
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 SK海力士官方宣布，公司已经研发出单颗容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM内存颗粒，且是首款满足JEDEC标准规范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 韩国存储器厂 SK 海力士受惠于 DRAM 价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第四季净利几乎翻两倍。
2018-12-28 14:40:541160 
受到移动舍必需求钝化、库存屯积的影响，SK海力士主力产品DRAM的价格正急剧下跌，外界观测指出，接连刷新营业利益纪录的SK海力士，这次恐怕无法再缔新猷。
2019-01-22 15:35:131058 这一次vivo将NEX系列成熟的升降镜头放置在了X27身上，再一次将X系列的颜值提升到了新的高度。此外，前置镜头的升起速度由原先的1s缩短至0.68s，左右两侧增加了两条半透明导光带，机身内部还隐藏了两颗LED灯，可通过设置显示6种不同色彩，让你的每次自拍都更具有仪式感。
2019-04-06 09:00:00975 10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。
2019-10-24 17:09:541739 SK海力士所研发的行业内首个五代双倍速率（DDR5） DRAM， 达到了电子工程设计发展联合协会（Joint Ele ctron Device Engineering Council，简称JEDEC） 标准， 这项技术正在DRAM市场开拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:374434 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
2019-11-19 11:08:21941 本月DRAM现货价格急涨，以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:543205 根据Tom's Hardware的报道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC内存条，速度达到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:376009 根据消息报道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC内存条，速度达到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 最近几周由于三星与LG不少DRAM工厂处于停工或者半停工状态，极大影响了市场的供需状态。相比2个月前，内存的价格几乎上涨了6成，SSD的价格也同样水涨船高。不过目前韩国另外一家半导体工厂SK海力士并未打算下调产能。
2020-03-05 08:51:192548 尽管JEDEC固态协会尚未敲定DDR5内存标准的最终细节，但作为联合制定者的韩国SK海力士率先将自家产品细节公之于众。
2020-04-03 15:58:483511 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:12:362860 特斯拉今日宣布正式入驻天猫，开出全球第一家Tesla特斯拉官方旗舰店。从建造上海超级工厂，推出国产版Model 3，再到与“国民应用”天猫合作，这是特斯拉在中国本土化布局的再一次突破。
2020-04-16 10:55:033529 据etnews报道，SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机，以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM，不过并未透露
2021-01-20 18:19:202943 SK海力士今天宣布，已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存，存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片，可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽，每秒处理819GB的数据，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日，有消息称SK海力士无锡投资公司参与了SiC晶圆厂泰科天润的D轮融资，成功入股泰科天润。SK集团本身具备SiC晶圆厂，但这是SK海力士在中国第一次投资SiC相关项目。
2021-11-15 09:03:312745 当下，DDR5内存还远未到要主流普及的程度。不过，DRAM内存芯片的头部厂商们已经着手DDR6研制了。
2022-07-25 11:25:524410 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM， High Bandwidth Memory）产品HBM31，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:252219 * 业界最快的DDR5服务器，实现数据传输速率高达8Gbps * 与英特尔、瑞萨电子合作，SK海力士领航MCR DIMM开发 * 努力寻求技术突破，巩固在服务器DRAM市场的领导地位 韩国首尔
2022-12-09 20:40:312118 服务器客户 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel®）近期上市的全新第四代Xeon®服务器
2023-01-12 21:32:261496 SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看 前一两年还一直听说内存条在不断涨价的消息，现在突然就爆出消息SK海力士季度亏损创纪录，看来大伙的日子都不太好过。 宏观经济的下滑导致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
Corp. 周四的数据，美光科技在 1 月至 3 月期间获得了了 27.2 亿美元的 DRAM 销售额，比上一季度的 28.3 亿美元下降了 8%。这家美国芯片制造商击败了 SK 海力士，后者的销售额
2023-06-01 08:46:061184 为了实现这一功能，还必须适合用于辅助计算的dram。现有智能手机使用的移动dram的速度是有限的。sk海力士根据苹果公司的要求，提供了最适合操作r1芯片的dram。大幅增加了输入/输出（i/o）频道的数量，可以将数据迅速传送到存储器内外。
2023-07-12 09:39:561019 meta是SK海力士的主要顾客之一，正在购买为构建和扩张数据中心的企业用ssd （ssd）和服务器dram。据悉，对ai服务器投入大量资金的meta还要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服务器dram。
2023-08-30 10:03:331393 SK海力士同样也在筹备提高DDR5产品比重。其已在今年5月开发出10nm级第5代（1b）DDR5，供应给英特尔。韩国投资证券分析师预计，由于DDR5需求高涨，拉动产品平均销售单价，SK海力士DRAM业务有望加快转亏为盈，公司整体业绩也有望提前摆脱亏损。
2023-10-24 14:50:16899 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540 SK海力士提供优质的产品和服务。从DDR4世代跨越到DDR5世代，澜起科技与SK海力士合作的产品涵盖DDR4、DDR5内存接口芯片及DDR5内存模组配套芯片。 随着人工智能、机器学习等异构计算飞速发展，CXL作为一种全新的高速互连协议迅速崛起，吸引业界各大厂商争
2023-12-04 09:02:372065 12月27日消息，根据韩媒报道，SK海力士近日研发出了可重复使用的 CMP抛光垫技术，不仅可以降低成本，而且可以增强 ESG（环境、社会、治理）管理。
2023-12-27 13:48:501383 
数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移，进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580 的型号。 首先，我们来看一下DDR6内存。DDR6是目前市场上最新的内存技术，它在DDR5的基础上进行了一些改进。DDR6内存的关键特点如下： 1. 带宽更大：DDR6内存的带宽比DDR5内存更大。DDR6内存的带宽可以达到每秒14.4 GB，而DDR5内存的带宽则为每秒12.8 GB。这意味着DDR6内存可
2024-01-12 16:43:0513400 随着全球半导体市场的复苏，SK海力士认识到，为了保持市场地位，推出更高性能的DRAM产品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080 无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。
2024-01-16 10:45:25865 无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 据封装研发负责人李康旭副社长（Lee Kang-Wook）介绍，SK海力士已在韩国投入逾10亿美元扩充及改良芯片封装技术。精心优化封装工艺是HBM获青睐的重要原因，实现了低功耗、提升性能等优势，提升了SK海力士在HBM市场的领军地位。
2024-03-07 15:24:171193 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道，SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局，计划关闭运营了长达17年的上海销售公司，并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后，反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款，供应下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士联合 TEMC 研发出一套氖气回收装置，用以收集及分类处理光刻工艺环境中的氖气，然后交予 TEMC 进行纯化处理，最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:591038 SK海力士表示，凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位，以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础，该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源，SK海力士将进一步提升存储器产品性能，实现新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 近日，PV Tech发布了2024年第一季度组件制造商可融资性评级，隆基再一次蝉联AAA最高评级，持续保持全球领先的生产制造能力和研发水平，在激烈的市场竞争环境下展现出强大的综合实力，受到国内外金融市场、光伏行业以及第三方机构的广泛认可。
2024-04-28 09:22:49875 
SK海力士，作为全球领先的内存芯片制造商，正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟，以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02982 今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175 业界传出，全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM，引起市场抢货潮，导致近期DDR3价格飙涨，最高涨幅达二成，且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58877 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明，SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，三星和SK海力士宣布，将于下半年停止生产并供应DDR3内存，转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:211563 在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能，进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035 SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐，计划在其第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中，首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶（MOR）。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:581506 在全球半导体产业风起云涌的当下，SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露，该公司正积极扩大其第5代1b DRAM的生产规模，以应对当前市场对HBM（高带宽内存）及DDR5 DRAM不断增长的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在6月17日传来的最新消息中，全球知名的半导体制造商SK海力士正积极布局，大力扩展其第5代1b DRAM的生产规模。这一举措旨在应对日益增长的高带宽内存（HBM）和DDR5 DRAM的市场需求，进一步巩固其在存储领域的领先地位。
2024-06-17 16:50:021580 近日，半导体行业迎来了一项重大技术突破。据BUSINESSKOREA报道，在6月16日至6月20日于美国夏威夷举行的半导体盛会“VLSI 2024”上，韩国半导体巨头SK hynix（SK海力士
2024-06-24 15:35:291746 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息，该公司计划于2026年在其高性能内存（High Bandwidth Memory, HBM）的生产过程中引入混合键合技术，这一举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破，也预示着全球半导体行业将迎来新一轮的技术革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半导体存储技术的快速发展浪潮中，SK海力士，作为全球领先的内存芯片制造商，正积极探索前沿技术，以推动高带宽内存（HBM）的进一步演进。据最新业界消息，SK海力士正着手评估将无助焊剂键合工艺引入其下一代HBM4产品的生产中，这一举措标志着公司在追求更高性能、更小尺寸内存解决方案上的又一次大胆尝试。
2024-07-17 15:17:471889 据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司，承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 全球领先的半导体制造商SK 海力士近日宣布了一项重大突破，正式推出了全球性能巅峰的新一代显存产品——GDDR7。这款专为图形处理优化设计的显存，凭借其前所未有的高速与卓越性能，再次彰显了SK 海力士在技术创新领域的领先地位。
2024-08-07 11:20:351350 近日，据外媒报道，SK海力士已宣布将其DDR5 DRAM芯片价格上调15%至20%，这一举动在业界引起了广泛关注。供应链内部人士透露，此次涨价的主要原因在于HBM3/3E产能的大幅扩张，对DDR5的生产资源造成了明显挤占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一项重要计划，即开发采用4F2结构（垂直栅）的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐，标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示，随着极紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作为全球知名的半导体巨头，近期宣布了一项重要的扩产计划，旨在通过扩大M16晶圆厂的生产规模，显著提升其DRAM内存产能。据韩媒报道，SK 海力士已积极与上游设备供应商合作，订购了关键生产设备，以加速提升M16晶圆厂在HBM（高带宽内存）及通用DRAM内存方面的生产能力。
2024-08-16 17:32:241920 SK海力士宣布了一项重大技术突破，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。
2024-08-29 16:39:151255 韩国首尔，2024年9月23日讯 —— SK海力士今日宣布了一项重大技术突破，其自主研发的异构存储器软件开发套件（Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328 近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本，最大的数据速率峰值超过 12000 MT/s。
2024-12-03 16:47:012067 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667
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