9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 3D NAND仍然是其主要闪存产品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已从开发转向批量生产，现在已被整合到SSD和UFS模块中，并已向主要客户提供样品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:555462 在6月2日的台北电脑展上，存储大厂美光终于发布了该公司的首个PCIe 4.0客户端级SSD，3400系列和2450系列，两者都采用了他们最新的176层3D TLC NAND闪存。除此之外
2021-06-05 09:00:007716 来做宣传。这些消息足以看出，今年即将迎来UFS 4.0的推进。UFS作为目前智能手机常用的闪存规范之一，几乎已经是安卓机标配了，那么新的UFS 4.0又有何改动呢？ 尺寸变小，速度翻倍 既然是
2022-05-07 00:48:003800 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 
国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:292569 倍；UFS3.1能够支持3GB/s读写速度，是UFS 2.2的两倍。 与之前基于LPDDR4x DRAM和UFS 2.2 NAND闪存的解决方案相比，DRAM性能提升了50%，从17GB/s提高到
2021-06-17 07:08:003267 更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。 铠侠UFS 4.0产品
2023-06-06 14:30:191529 
的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实
2024-02-28 17:36:07402 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
耐用性。由于尺寸、冷却和电池要求，系统设计将光通量和能效视为重中之重。 目前有很多对3D结构光图形进行优化的技术。其中一个特别有效的方法就是自适应图形集。算法确定了图形与波长的最佳组合，以提高被扫描物体
2018-08-30 14:51:20
NAND FLASH就是通过die堆叠技术，加大单位面积内晶体管数量的增长。3D NAND比2D NAND具有更高的存储容量，若采用48层TLC 堆叠技术，存储密度可提升至256GB，轻松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 编辑
观点：尽管NAND闪存市场需求在一定程度上受到了经济形势的影响，但美光市场却逆势增长，其市场份额首次突破20%大光。这是其
2012-09-24 17:03:43
UFS 3．0闪存与UFS 2．1闪存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
和UFS闪存的基础知识吧：eMMC：Embedded Multi Media Card，它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用，也是移动设备中普及度最高的存储单元。eMMC的性能会随着总线接口的升级而提升，而目前最新的
2021-07-22 07:17:09
三部分：前端UFS接口（M-PHY），UFS控制器和闪存介质（图中的Memory模块）。VCC给闪存介质供电，VCCQ一般给闪存输入输出接口和UFS控制器供电，VCCQ2一般给M-PHY或其它...
2021-11-12 06:16:12
3D虚拟工厂，运用AMR技术将产品研发与工厂规划同步实施。自动生成一个3D工厂模型，提升工作便利度，避免那些事后才被发现的设计规划中的失误，保证产品投放市场的进度，而且能大大节省项目的时间和花费，真正
2017-03-17 10:21:34
给PCB添加了3D模型之后，让封装旋转45度，自己填加的3D模型旋转45度后，代表3D模型的机械层不会和PCB重合；而用封装向导画的模型会和PCB重合。请问这个改怎么解决？虽然旋转45度之后，在3D 模式下，3D图也是旋转了45度，但是在2D模式下的机械层看着很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
请教大家一个问题： Altium designer 的3D封装在机械层是有线的，我的板子在机械层也画了线来切掉一部分。那么在PCB的生产加工中，3D封装位于机械层的线是否会影响加工效果。请实际操作过的回答下，非常感谢。如下图：
2016-07-22 14:05:18
经理Troy Winslow打了个比方：新闪存以不超过CD光盘中间孔的大小存储了十倍于光盘容量的数据。对于目前闪存设备容量偏小、使用寿命有限的问题，美光NAND闪存业务市场经理Kevin Kilbuck
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D闪存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，预计于2010年中
2022-01-22 08:05:39
3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示
2022-02-03 11:41:35
S29GL512S11DHIV10闪存芯片S29GL512S10GHI010随着原厂3D NAND技术的发展，从2018下半年开始，各家均开始向96层3D技术升级，今天西部数据推出了其新一代96层
2022-02-02 08:45:13
将在3月份上市，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。容量方面，iNAND MC EU521提供128GB
2022-01-28 15:23:27
高级经理Oded Sagee说，具有严格品质保证和可靠性保证的高容量存储设备正快速成为汽车行业应用的标准。首次采用64层3D NAND TLC闪存技术制造的e.MMC EFD能够满足以上特征需求，用以
2022-01-31 12:21:30
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
pcb 3D导step用creo打开为什么丝印层显示不出来 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
什么是闪存？eMMC和UFS之间的区别在哪里？UFS2.0和2.1之间有何不同？
2021-06-18 09:20:44
随着很多全新技术的涌现，人们越来越需要用3D方法来表示现实世界中的物体。特别是机器视觉和机器人技术，它们都得益于精确和自适应的3D捕捉功能。其它针对3D扫描的应用包括生物识别、安防、工业检查、质量
2022-11-16 07:48:07
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
本文介绍的三个应用案例展示了业界上先进的机器视觉软件和及其图像预处理技术如何促使2D和3D视觉检测的性能成倍提升。
2021-02-22 06:56:21
、空隙填充若3D模型存在空隙，浩辰3D能自动识别3D模型上的空隙，并以红X的形式标出，点击确认后，即可直接填满这个空隙，完成填补，从而便于打印设备的工作机制。3、定位零件步骤一：首先，定义打印机设置，在
2021-05-27 19:05:15
DRAM补全计划？此前曾传出紫光将斥资230亿美元收购美的消息，后因美国***的限制，使这笔交易暂时压后。美光就不需要给大家介绍，它的DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块
2016-07-29 15:42:37
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
优势，或许，未来将有更多的玩家参与其中。存储产品的3D时代 伴随着三星、美光、东芝、英特尔纷纷开始投入到3D NAND的生产和研发中来，存储产品也开始走向了3D时代。在这些厂商发展3D闪存的过程当中，也
2020-03-19 14:04:57
的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到(512+16)Byte的表示方式。NAND是以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域
2018-06-21 14:57:19
在3D模式下能不能隐藏元件的3D，就是3D模式下只能看见PCB板
2019-04-18 05:51:13
能精确曝光物体层。该系统还采用了 TI 的低功耗 MSP430 嵌入式处理器将物体层曝光与电机控制同步以便实现精确的渐进式 3D 打印。 特性集成电机驱动例程通过自适应 GUI 自定义层叠顺序采用模块化系统设计，方便移植到其他 DLP 芯片组`
2015-04-28 10:35:23
的低功耗 MSP430 嵌入式处理器，将层曝光与电机控制同步，以便实现精确的渐进式 3D 打印。 特性集成电机驱动例程通过自适应 GUI 自定义层叠顺序采用模块化系统设计，方便移植到其他 DLP 芯片组
2022-09-26 07:03:30
Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 虽然符合新的通用闪存卡（UFS）规范的产品出现，2013年将在移动NAND闪存市场引发新的技术竞争，但较旧的嵌入多媒体存储卡（eMMC）标准在许多手机和平板电脑中仍将保持统治地位
2012-03-30 08:46:141488 东芝公司（TOKYO：6502）旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起开始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货。
2014-05-04 16:00:411264 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选？
2017-08-01 10:21:1393396 
的厂商竞争，以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？ 闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:26
6 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 由于NAND闪存价格上涨，SSD普及的道路走的异常艰难，同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存，把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点，具有极高的性价比和极强的市场竞争力，或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:364734 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 到2016年3月份为止，全球四大NAND豪门都推出了3D NAND闪存及TLC闪存，SSD硬盘的好处就不用多说了，现在不仅容量在提升，价格也不断走低，这导致了性价比更有优势的TLC闪存需求高涨
2018-09-19 16:45:001570 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND
2018-08-29 11:10:008278 
V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。 值得一提的是，三星在3D NAND闪存
2018-10-08 15:52:39395 西部数据公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽车嵌入式闪存盘（EFD），丰富了其高质量、高耐用性的汽车储存解决方案，
2018-10-18 16:52:411295 (GB)嵌入式NAND闪存模块已经开始交付样品。该模块完全符合JEDEC UFS 1.1版本标准，专为包括智能手机和平板电脑在内的各种数码消费品打造。 样品主要用于由操作系统厂商对UFS I/F及其主芯片组中的协议进行评估。 由于主芯片组数据处理速度的提高以及无线连接带宽的扩大，市场上对可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01215 11月15日， 国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技（MAXIO）再下一城，正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒，并对外提供搭载联芸科技自主
2018-11-19 17:22:316838 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存储解决方案采用高性价比的 64 层 3D TLC NAND 架构，可提供超快速启动和汽车级可靠性。
2019-08-19 01:10:002921 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:373659 三星的UFS4.0闪存芯片采用全新第7代V-NAND技术，传输带宽每通道达到23.2Gbps，相较UFS3.1提升一倍，顺序读取速度可以达到4200MB/s，同时顺序写入速度也提升到2800MB
2022-05-05 10:45:273249 
，但并没有以UFS 4.0来做宣传。这些消息足以看出，今年即将迎来UFS 4.0的推进。UFS作为目前智能手机常用的闪存规范之一，几乎已经是安卓机标配了，那么新的UFS 4.0又有何改动呢?
2022-05-07 11:07:161664 3D TLC NAND 代表了存储介质的转折点，提供了更低的每比特成本和更小的占用空间。然而，为了使市场扩展到嵌入式行业，该技术需要提供一套可持续的、可扩展的比特纠错解决方案。
2022-06-10 07:41:001401 
在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
通过实施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上终止强大的 RAID 功能，UDInfo相信，未来基于 3D TLC NAND 的设备可以保证 SSD 质量和数据完整性。
2022-08-17 11:54:142019 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 UFS（Universal Flash Storage）是一种用于移动设备存储的闪存存储标准。UFS 3.1和UFS 4.0是UFS标准的不同版本，它们之间有一些显著的差异。
2023-07-18 14:57:5758066 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 3.1和UFS 4.0之间的区别以及它们在实际使用中的差异。 1. 性能提升: - UFS 3.1： UFS 3.1是一种高速的存储解决方案，支持二级存储架构（DSC 2.0），最大传输速度达到
2024-01-17 11:05:524255 存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社宣布，该公司已开始提供业界首款面向车载应用的通用闪存(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品。
2024-02-22 16:21:51612 ，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的 232 层 3D NAND 技术，美光 UFS 4.0 解决方案可实现高达 1 TB 容量，其卓越性
2024-02-29 16:46:52161 
美光科技股份有限公司近日宣布推出其增强版通用闪存（UFS）4.0移动解决方案，标志着手机存储技术的新里程碑。这一方案不仅具备创新的专有固件功能，还采用了业界领先的紧凑型UFS封装（9 x 13mm），为智能手机市场带来了前所未有的性能提升。
2024-03-01 09:41:53162
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