美光第九代3D TLC NAND闪存技术的SSD产品开始出货

知名存储品牌美光近日正式宣布，搭载其研发的第九代（G9）3D TLC NAND闪存技术的固态硬盘产品已然问世，并已批量上市，成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的制造商。该产品所采用的堆叠层数高达276层，数据传输速率达到惊人的3.6 GB/s，展现出卓越的NAND输入/输出（I/O）性能，完美满足了人工智能（AI）以及其他各类数据密集型应用场景对高速吞吐能力的严苛要求，为用户带来无与伦比的使用体验，无论是个人设备、边缘服务器、企业级应用还是云数据中心都能游刃有余。

美光科技和产品执行副总裁斯科特·德博尔（Scott DeBoer）对此表示：“美光G9 NAND技术的大规模量产充分展示了我们在制程工艺技术和设计创新领域的强大实力，为市场呈现出领先的密度水平，实现了更为紧凑且高效的存储解决方案，为广大消费者和企业带来显著的价值回报。”

相较于市场上现有同类型NAND解决方案，G9 NAND的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别超出99%和88%，共同推动了固态硬盘和嵌入式NAND解决方案的性能与能效的大幅提升。与前一代NAND产品保持一致，G9 NAND同样采用了11.5mm x 13.5mm的紧凑封装设计，相较同类产品节省了28%的占用空间，堪称优秀的小尺寸、高密度NAND闪存设计典范。美光通过在更小的体积中实现更高的密度，极大拓展了各类应用场景的设计可能性。

此外，美光还推出了全新的2650系列固态硬盘产品，融合了最新的3D TLC NAND闪存技术。该系列产品采用单面芯片设计，支持PCIe 4.0×4接口，提供包括M.2 2230 / 2242 / 2280在内的多种外形规格供用户选择，最高顺序读取和顺序写入速度分别达到7000 MB/s和6000 MB/s，最高4K随机读取/写入均达到1M IOPS，同时提供256GB、512GB和1TB三种容量版本，对应的总写入字节数（TBW）分别为200TB、300TB和600TB。据悉，与同类竞品相比，美光2650系列固态硬盘的连续读取性能提高了70%，连续写入性能飙升103%，随机读取性能更是跃升156%，随机写入性能也提升了85%。除面向客户端OEM市场外，G9 NAND还将广泛应用于客户端组件和英睿达（Crucial）的固态硬盘消费类产品之中。