存储器大厂美光（Micron）昨（20）日召开法说会，执行长Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未来12个月，NAND市场产能供给增加的幅度有限，但需求十分强劲，几乎可用贪婪的需求（insatiable demand）来形容，因此对下半年NAND市场抱持乐观正面看法。
2013-06-21 11:07:09
1147 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661 
制造、设计或启用NAND闪存的公司组成的行业工作组,主要是Intel和镁光。致力于简化NAND闪存集成到消费电子产品、计算平台和任何其他需要固态大容量存储的应用程序中。为NAND闪存定义标准化的组件级
2023-06-21 17:36:3213702 
Intel的傲腾系列闪存上因为使用了最新的3D XPoint闪存所以其速度和耐用性都给人留下了深刻的印象。而当年和Intel一起合作开发3D XPoint的美光在昨天也终于正式宣布推出自己的首款3D XPoint产品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:163599 针对“美光近日中国区业务调整”一事，美光正式回应CFM闪存市场： 鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他 NAND 机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动 NAND
2025-08-12 13:39:302945 将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22:23
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 编辑
观点：尽管NAND闪存市场需求在一定程度上受到了经济形势的影响，但美光市场却逆势增长，其市场份额首次突破20%大光。这是其
2012-09-24 17:03:43
，25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D闪存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，预计于2010年中
2022-01-22 08:05:39
全球前3名，尤其是和合作伙伴英特尔合计，市占率超过15%。美光在NAND Flash市场上突围，主要是拜2009年34奈米制程领先所赐，2010年再度领先宣布年中量产25奈米制程，成本竞争力促使美光市
2022-01-22 08:14:06
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40％，但是第一季度过后NAND价格就开始暴降，据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年
2021-07-13 06:38:27
大家好，我做FPGA开发，需要用到大的内存，ise12只有美光和现代的库，我对美光内存使用有如下疑惑：美光2G内存位宽16位，速率可达200M，4G内存怎么才8位，速率还慢，才125M~150MHz.这样的话，用更多的内存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
DRAM补全计划？此前曾传出紫光将斥资230亿美元收购美的消息，后因美国***的限制，使这笔交易暂时压后。美光就不需要给大家介绍，它的DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块
2016-07-29 15:42:37
NAND）。 标配的HyperX SSD附带有5K 25nm Intel MLC NAND，而HyperX 3K配备3K 25nm Intel MLC NAND。英特尔的零件编号没有明显的区别，所以
2017-11-27 16:50:14
Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新获得半导体Insight奖
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的D
2009-05-08 10:39:061236 三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23700 Intel-镁光反击,2xnm制程NAND芯片将试制
在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管
2009-12-26 09:56:491579 东芝32nm制程NAND闪存SSD硬盘将于二季度上市
日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘
2010-01-08 17:15:131266 震撼存储产业，IMFT发布25nm SSD
去年8月份，Intel刚刚发布了全球首批34nm MLC NAND闪存新工艺固态硬盘，从50nm进化至34nm。而现在，Intel与Micron所合资的公司IMFT此次再次推动
2010-02-02 09:05:47942 
英特尔、美光联手推出25纳米NAND
英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术——该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(PMP)等流行
2010-02-02 16:52:16770 技术领先领先别无所求：Intel NAND闪存新战略纵览
在最近举办的一次会议上，Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone透露了有关Intel闪存业务的一个惊人规划，
2010-02-09 10:50:09714 Intel大连晶圆厂今年10月投产
Intel公司宣布，位于我国大连市的“Fab 68”晶圆厂将于今年10月份正式投入生产。
Fab 68工厂将使用65nm工艺制造
2010-02-10 10:27:05902 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081491 镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511566 IMFT宣布25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚
2010-03-23 11:58:41777 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358955 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:231244 
美光科技公司(MicronTechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通
2010-05-30 11:08:09890 美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合
2010-11-03 09:40:212200 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量闪存产品组合，其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在
2010-12-08 09:34:13875 目前，限制SSD普及的门槛依然是昂贵的价格和较小的容量，而各大闪存制造厂商也在为SSD的普及，积极地研制新制程技术，以期望带来更具性价比的产品。显然，英特尔和美光的合
2011-01-02 12:57:481163 北京时间2月29日凌晨消息，英特尔同意与美光科技扩大就闪存芯片领域的合资企业合作，提高双方关系的效率和灵活性。根据双方达成的协议，美光将为英特尔供货NAND闪存产品，而英特
2012-02-29 08:55:41401 一周前Intel正式发布了SSD 313,全面为Ivy Bridge平台SRT技术准备,而在主流市场intel不久前曝光的SSD 330近日正式上市,产品加入到SATA 6Gbps的大军中。Intel SSD 330采用了25nm MLC NAND闪存,最大持续读写
2012-04-17 11:14:281578 美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%， 营业收入增长，使得排名第三的美光缩小与第二名东芝之间的差距。
2012-09-14 09:34:321207 
DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中挣扎，6个季度的亏损，3年来收入达到最低点。这个情况还将持续多长时间?
2012-12-23 12:31:131400 2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司（IMFT）在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元（MLC）闪存技术与美光的DRAM
2017-04-20 17:33:524345 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 Intel在官网宣布，和美光的闪存合作即将发生关键性变化。Intel强调，将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户，且不会对路线图和技术节点造成影响。未来英特尔和美光将在它们在IMFT公司联合开发出来的NAND芯片市场上相互竞争。
2018-03-05 15:52:424645 美光昨天发布了最新款的5210 ION系列企业级SSD，采用美光与Intel联合开发的新一代QLC NAND闪存颗粒。这也是全球首款QLC闪存产品。
2018-05-23 16:51:003152 最近的新闻报导指出，英特尔(Intel)与美光(Micron)闪存研发策略联盟的分手，肇因于对未来3D NAND Flash发展的看法差异，想来合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 根据美光的财报信息，受益于eMMC、eMCP市场，美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍，其中85%都是TLC闪存类型，去年同期比例不足1%。此外，来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。
2018-06-27 08:52:443687 由于NAND闪存价格上涨，SSD普及的道路走的异常艰难，同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存，把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点，具有极高的性价比和极强的市场竞争力，或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:365391 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031683 今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:287883 市场。SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。 Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 美国爱达荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（纳斯达克代码：MU）今天宣布旗下 QLC（四级单元）NAND 技术提升市场领导地位的进一步举措——其广受欢迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301626 美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。
2018-12-21 11:15:054225 美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会（MWC）发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。
2019-03-04 10:55:124158 随着NAND Flash价格的连续走低，为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃，三大NAND生产厂商、Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状，具体来讲就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:321180 出于对数字存储市场前景的看好，Intel在2005年和美光合资成立IM公司，用于NAND闪存芯片的研发和生产，不过，两家公司均独立销售自家牌子产品。
2020-03-17 11:00:072101 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:343342 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:46:522960 两年前，美光发布了全球首款采用3D QLC NAND闪存颗粒的SSD，型号为5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已经得到全面升级，可以作为机械硬盘的完美替代品。
2020-04-10 09:38:491605 SanDisk（闪迪）宣布，已于去年底开始投产19nm新工艺的NAND闪存芯片，并对此工艺所能带来的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:142318 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:528552 美光今天宣布，已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片，这也是迄今为止最先进的DRAM工艺，可明显提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM内存、NAND闪存
2021-01-27 17:28:332298 作价 90 亿美元，Intel 又卖出了旗下的一个重要业务。这个业务，就是 NAND 闪存。这是继 NVIDIA 宣布以 400 亿美元收购 ARM 之后，全球半导体领域的又一笔重大交易。
2020-10-21 09:37:572316 韩国存储芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议。根据协议，SK海力士将向英特尔支付90亿美元。该协议的范围包括在中国大连的NAND SSD部门，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321877 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:43:421454 据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
2020-11-10 14:56:593477 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-10 16:22:392315 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212920 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 芯片巨头美光11月10日正式宣布，将向客户交付176层TLC NAND闪存。 这使得美光成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。 176层NAND支持的接口速度为 1600MT
2020-11-13 14:25:132185 北京时间11月13日消息，内存和存储解决方案供应商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，一举刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565 加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB），当然后期很可能会加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技术，而且176层闪存已经量产并出货了，已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD，明年还会发布更多新产品。 在176层闪存技术上，美光
2020-11-14 10:01:202368 日前，存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
2020-11-20 17:10:122392 近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 美光今天宣布，已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片，这也是迄今为止最先进的DRAM工艺，可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896 
3D Xpoint技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术，比NAND闪存拥有更高的性能和耐用性，旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储空白
2021-03-19 14:25:251570 内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司，纳斯达克代码：MU)宣布已批量出货全球首款 176层QLC(四层单元)NAND固态硬盘(SSD)。美
2022-01-27 19:04:242707 美光科技公司宣布，它已开始批量出货全球首款176层QLC NAND SSD。美光的 176 层 QLC NAND 采用最先进的 NAND 架构构建，可为各种数据丰富的应用提供业界领先的存储密度和优化的性能。
2022-03-29 17:23:182372 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层，可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛
2022-07-28 09:49:5922968 美光发布的官方新闻稿，该企业宣布其已经正式出货了全球首款使用超过200层NAND芯片的消费级固态硬盘美光2550 SSD，该SSD采用232层NAND技术，采用PCIe 4.0标准。
2022-12-08 16:19:191261 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394222 美光称，2023 年的行业需求预测目前较低，但整个行业供应量的大幅减少已开始稳定市场。去年 11 月份，美光宣布将存储芯片减产 2 成。财报内容显示，美光专注于库存管理和控制供应，近期将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进一步减少至近 30%，预计减产将持续到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321046 
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:211823 诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。
2023-11-13 15:47:511090 长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
长江存储与美光芯片战升级。3D NAND闪存制造商长江存储，已于9日在美国加州北区地方法院对美国记忆芯片龙头美光科技提告，指控美光侵犯了长江存储8项与3D NAND相关的美国专利。
2023-11-13 17:24:511517 ONFI 由100多家制造、设计或使用 NAND 闪存的公司组成的行业工作组，其中包括主要成员如 Intel 和镁光。该工作组旨在简化将 NAND 闪存集成到消费电子产品、计算平台以及其他需要大容量固态存储的应用程序中的过程。
2024-04-03 12:26:2411350 
美光科技近期宣布，其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步，巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341552 美光科技近日宣布了重大技术突破，其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产，并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘（SSD）中。此外，美光还推出了2500 NVMeTM SSD，该产品已面向企业级存储客户大规模生产，并向PCOEM厂商提供了样品。
2024-05-06 10:59:251099 美光科技再次领跑行业前沿，近日宣布其232层QLC NAND产品已成功实现量产，并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满足了客户端对数据存储的高需求，同时也为数据中心提供了更高效的存储解决方案。
2024-05-09 14:53:551034 知名存储品牌美光近日正式宣布，搭载其研发的第九代（G9）3D TLC NAND闪存技术的固态硬盘产品已然问世，并已批量上市，成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的制造商。该产品所采用的堆叠层数高达
2024-07-31 17:11:171680 全球领先的存储解决方案提供商美光科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技术的固态硬盘（SSD）已正式进入量产出货阶段，标志着美光成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出，不仅彰显了美光在制程技术和设计创新领域的卓越实力，更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:461251 NAND闪存，又称之为“NAND Flash”，是一种基于Flash存储技术的非易失性闪存芯片。下面将从NAND闪存的定义、工作原理、特点、应用领域以及未来发展等几个方面进行详细阐述。
2024-08-10 15:57:1913058 近日，根据美光方面发布的2025财年第一财季财报电话会议文稿，公司高管在会上确认了针对当前闪存市场需求放缓的应对措施。 美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy指出，在NAND闪存领域，美光
2024-12-26 14:30:47933 美光一直在QLC市场占有优势，采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次巩固了这一优势地位。
2025-08-05 11:09:581701
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