美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂
据日媒报道，美国美光科技公司将斥资6000~8000亿日元（约合277.2~369.6亿元人民币）在日本广岛新建一座DRAM内存晶圆厂。该厂预计将于2026年破土动工，并于2027年底投入运营。
据悉，新厂将采用EUV光刻机技术，并计划在2025年量产的下一代1-gamma（nm）节点引入EUV光刻技术。鉴于DRAM行业的代际周期，新厂有望具备生产1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。
原本，美光希望在今年启动新厂运营，以便在2025年量产后迅速扩大1-gamma DRAM的产能。然而，受半导体行业尤其是存储领域衰退影响，美光已调整投资计划，放慢了产能扩张步伐。
值得注意的是，新厂建设费用中的一部分将由日本经济产业省提供补贴，最高金额可达1920亿日元（约合88.7亿元人民币）。
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