美国美光科技开始提速EUV DRAM

美国美光科技开始提速EUV DRAM。加入到三星电子、SK海力士等全球第一、第二EUV厂商选择的EUV阵营后，后续EUV竞争或将更为激烈。

根据韩媒etnews报道，美光科技通过多个网站开始招聘EUV设备开发负责工程师。美光的公告显示：招聘负责美光EUV设备Scaner技术开发，管理EUV系统和与ASML的沟通的人才。工作地点为美光总部美国爱达荷州的博伊西。

美光是继三星电子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM厂商。本月初时美光台湾DRAM工厂还因停电一小时导致工厂停产。截止到3季度时较好业绩备受业界瞩目。且在Nand Flash领域，也率先发布了全球首款176层产品。

美光在全球DRAM市场中排名第三，仅次于三星电子和SK Hynix。它的市场份额约为20％。

美光最近在NAND闪存领域首次推出了176层产品。与其他顶级DRAM制造商一样，该公司正在生产10纳米第三代（1z）产品。预计该芯片制造商将在2021年上半年推出第四代（1a）DRAM。

但是，美光与三星电子和SK海力士之间的主要区别在于，美光不会将EUV技术应用于1a DRAM。

美光公司在最近的一份声明中建议，鉴于高成本和技术局限性，它甚至可能不会将EUV技术应用于下一代DRAM“ 1-beta”产品。

美光公司副总裁Scott DerBauer表示，该公司将在1-delta产品的生产中引入EUV工艺。

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