美光公布DRAM和NANDFlash的最新技术线路图 将持续推进1ZnmDRAM技术及研发128层3DNAND

作为全球知名的存储器厂商，近日，美光召开了2019年投资者大会，在大会中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。

据悉，美光的技术研发和Fab制造工厂遍布全球，其中核心技术研发主要集中在美国的爱达荷州（Idaho）基地。Fab工厂分布上，日本主要负责生产DRAM，新加坡主要生产NAND Flash，3D Xpoint工厂则设在美国的犹他州（Utah），中国***则负责封装。

此外，为了满足汽车市场需求，美光还在美国弗吉尼亚州（Virginia）设立了工厂。

最值得关注的是，美光在此次投资者大会上公布了DRAM和NAND Flash的最新技术线路图。

DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，并且还将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技术之后，美光还将发展1α、1β、1γ。

未来美光DRAM产品研发计划采用EUV技术。美光表示，其拥有从1Znm至1ynm的成熟的技术和成本效益，而多重曝光微影技术是它的战略性优势。目前，DRAM的EUV光刻技术正在进行评估中，准备在合适的时候实现对EUV技术的应用。

NAND Flash方面，继96层3D NAND之后，美光计划下一代研发128层3D NAND，采用64+64层的结构。

另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展，以及对CuA（CMOS under Array）技术的持续利用。