中的高层对话、技术分享、投资人专家献策、媒体分析师的产业分析环节，均为产业带来了非常高的价值，现场交流也是难得的产业专业人士的对话交流。鉴于当前特殊时期，2020中国模拟半导体大会将在线上举办，会继续
2020-07-27 09:43:17
纳米与传感器等; 5、半导体终端及分立器件展区：集成电路应用与解决方案、器件产品与应用技术、IC以及商用信息终端的应用、半导体分立器件、功率器件、传感器件、射频器件、GaN氮化镓器件、快充芯片、USB
2019-12-10 18:20:16
半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅（Si）、锗(Ge）等所形成的半导体，后者为砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化
2019-05-06 10:04:10
，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。（图片来源：西安邮电大学官网）近年来，我国在氧化镓的制备上连续取得突破性进展，从去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化镓制备技术越来越
2023-03-15 11:09:59
客联盟/张飞实战电子联合主办：中国电工技术学会协办单位：江苏捷捷微电子股份有限公司/捷捷半导体有限公司合作媒体：电子发烧友直播平台：硬声APP举办时间：2021年11月27日至28日举办地址：深圳机场
2021-11-12 11:42:08
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体技术是如何变革汽车设计产业的？
2021-02-22 09:07:43
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。
2019-09-02 06:41:17
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰，智融，赛芯微一级代理吉娜：*** 微信：mphanfan欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的优势，近年来在功率器件市场大受欢迎。然而，其居高不下的成本使得氮化镓技术的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓技术的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体技术。这就
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
的开路条件下被光蚀刻。 介绍近年来，氮化镓和相关氮化物半导体在蓝绿色发光二极管、激光二极管和高温大功率电子器件中的应用备受关注。蚀刻组成材料的有效工艺的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不寻常的化学
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题，泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课，氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
带半导体，相比常规的硅材料，开关速度更快，具有更高的耐压。在降低电阻的同时，还能提供更高的过电压保护能力，防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS，氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体技术与这些过程相结合，以更低的成本进行广泛使用，从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比，射频能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-4 14:34 编辑
任命Jean-Marc Chery为意法半导体管理委员会唯一成员，出任总裁兼首席执行官中国，2018年6月4日
2018-06-04 14:28:11
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
，其中第一梯队有英诺赛科、纳微、EPC等代表企业。其中英诺赛科是目前全球首家采用8英寸增强型硅氮化镓外延与芯片大规模量产的企业，也是跻身氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表。
2019-07-05 04:20:06
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波LED芯片，效率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发，有望降低成本50%以上。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术，光效
2014-01-24 16:08:55
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
。2.LED的发展使得中国具备了发展三代半导体，特别是氮化镓的产业基础。虽然LED和功率半导体隔着行，但是毕竟中国在这个领域里取得了骄人的战绩。全球主要的制造设备，产业链配套、技术人员都云集在中国。3.
2017-05-15 17:09:48
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责
2015-04-02 17:26:21
的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类
2016-11-27 22:34:51
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
半导体（Navitas）今日市值也就9.4亿美元，而且包括了第三代半导体的另一重要组成部分、收购自GeneSiC的碳化硅业务（想要更多了解的读者可以参考《从纳微看半导体产业并购》）。仅有氮化镓业务
2023-03-03 16:48:40
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说，当你笔记本电脑的电源变热时，其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量，并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料，它的发热量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
IIC-Taiwan/半导体商从基础技术谈节能设计
“除了100%符合欧盟对铅、汞、镉等物质禁用指令外，我们2008年还要进一步达到无卤、无氧化锑的‘Dark Green’目标，” 恩智浦(NXP)多
2008-09-19 10:06:27
443 美商赛灵思（Xilinx， Inc.） 宣布将出席SEMICON Taiwan 2012 国际半导体展举办的「SiP Global Summit 2012系统级封测国际高峰论坛—3D IC 技术趋势论坛」。SEMICON Taiwan 2012国际半导体展于2012年9月5日
2012-09-04 09:17:11671 中国半导体技术大会CSTIC2018中国国际半导体技术大会（CSTIC），SEMI、IMEC、IEEE和中国高科技专家组联合举办的亚洲最大的世界级半导体技术研讨会。自2000年举行以来，至今已经成功
2017-12-14 16:26:3215453 在江南春雨绵绵中，一年一度的SEMICON China如期而至。走过疫情肆虐的2020年，业界对接下来半导体行情的发展寄予期望，然而一场由缺货潮引发的蝴蝶效应却正在持续发酵，汽车缺芯，手机通讯缺芯，席卷全球的缺芯潮让半导体发展成为业界热议话题。
2021-03-19 14:05:222696 活动简介 芯和半导体于2021年10月17-20日参加2021 EPEPS大会并发表技术演讲。EPEPS大会是探讨电气建模、分析和电子互连、封装和系统设计方面的热门问题的最重要的国际会议。它还侧重于
2021-10-25 09:25:201596 氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:56980 
进程中的突出实力。业内专家表示，三安技术创新将为可再生能源产业提供关键支持。 作为全球顶级半导体盛会之一，本届SEMICON Taiwan云集850家企业，涵盖3,000个展位，参展商和观众人数均创下历史新高。现场众多业内前端企业纷纷推出前沿技术与产品，展示行业最新动向。
2023-09-06 18:45:03503 
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