纳微半导体CTO登场SEMICON Taiwan 2021大会，介绍氮化镓技术

　　爱尔兰都柏林——2021年9月3日--氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体公司宣布，联合创始人兼首席运营官/首席技术官Dan Kinzer在SEMICON Taiwan 2021的功率和光电半导体线上论坛（2021年9月7日至9日）上分享下一代氮化镓（GaN）最具影响力的创新。

　　氮化镓（GaN）是下一代半导体技术，它的器件开关速度比传统硅器件快20倍。在充电器尺寸和重量减半的情况下，相比传统硅充电器，可实现高达3倍的功率或3倍的充电速度。纳微半导体的GaNFast™功率芯片集成了GaN电源和驱动、保护和控制，提供简单、小型、快速和高效的性能表现。氮化镓功率芯片在旗舰手机充电器中占主导地位，并被电动汽车和太阳能微逆变器公司视为更高功率系统的下一代解决方案。到2026年，氮化镓功率芯片将有望占领估计为131亿美元的潜在市场。。

　　论坛主席、稳懋半导体公司首席执行官李宗鸿先生表示：SEMICON Taiwan聚集了来自工业界、学术界和研究机构的专家，我们很高兴邀请到倍受尊敬、经验丰富的行业先锋Dan Kinzer先生，来介绍化合物半导体这项前沿技术的见解和市场趋势。

　　Kinzer先生40年的行业先锋生涯，使他在2018年入选了国际功率半导体器件和芯片研讨会（ISPSD）的首届名人堂。他过去曾负责开发先进的功率器件和芯片平台，宽禁带半导体GaN和SiC器件设计，芯片和功率器件制造工艺，先进的芯片设计，半导体封装开发和组装工艺，加上电子系统的设计。Dan拥有130多项美国专利，并在普林斯顿大学获得工程物理学学士学位。

　　Kinzer先生表示：SEMICON Taiwan在展示推动未来创新的尖端技术方面有着悠久的历史，纳微半导体非常感谢有这个机会向高素质的听众展示我们的尖端技术。氮化镓代表了电力电子领域的第二次革命，这将会是40年一遇的颠覆式转变。

　　纳微半导体的演讲题为 “氮化镓，Electrify Our World™”。演讲已于9月7日上午10点50分（CST）举行，并深入介绍了氮化镓半导体的最新发展，包括提供更好性能、更高功率密度和简化设计的集成式氮化镓功率芯片。

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