以上，这也是目前氮化镓在手机充电器上广泛被应用的重要原因。 氮化镓GaNFast TM 是纳微半导体此前被广泛应用的氮化镓功率芯片系列，纳微半导体销售营运总监李铭钊介绍到，目前全球超过140款量产中的充电器都采用了纳微的方案，大约150款
2021-11-26 09:42:13
6891 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502394 
增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262519 
氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布，戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091791 
2022年1月18日，纳微半导体正式宣布，其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。
2022-01-19 09:29:023763 
纳微半导体今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片，已用于Redmi携手梅赛德斯 AMG 马石油 F1 车队共同发布的K50冠军版电竞手机所标配120W氮化镓充电器中。
2022-03-14 13:40:021867 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布 全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™ ，其凭借 最高级别的集成度和散热性能 ，可为 手机
2024-10-17 16:31:091305 
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。
在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰，并充分简化了氮化镓器件的应用门槛，像传统集成MOS的控制器一样应用，得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提高意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，按照目前时间安排，意法半导体预计2018年开始量产样片。 MACOM公司总裁
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，氮化镓充电器的开关频率，已经从 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，现在已经能制造4寸了。业内普遍认为，要大规模生产功率半导体，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前还不能大规模生产。此外，上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片，其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 纳微半导体今日正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息，并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:212061 
截至 2021 年 5 月，超过 2000 万片纳微 GaNFast™️ 氮化镓功率芯片已经成功出货。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化镓充电器，采用了纳微半导体 NV6115 GaNFast 氮化镓功率芯片。该芯片采用 5×6mm 的 QFN 封装，并且采用高频软开关拓扑，集成氮化镓开关管、独立驱动器以及逻辑控制电路。
2021-08-24 09:48:102574 
纳微半导体今日宣布，小米正式发布新款智能手机小米 Civi，配备采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的 55W 氮化镓充电器。
2021-10-08 11:45:092413 
全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:311292 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:562303 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化镓功率芯片 助力RedmiBook Pro实现轻巧快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多2022年6月29日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定义氮化镓！ “纳微半导体是氮化镓功率芯片行业领导者，自 2017 年以来一直与安克紧密合作。作为纳微半导体的首批投资者，安克见证了纳微从成立初期到 2021 年在纳斯达克的成功上市。 安克GaNPrime™ 全氮化镓快充家族的产品中，采用了纳微新一代增加GaNSense™️技术的
2022-07-29 16:17:441027 
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件
2022-11-30 14:52:251383 
了解氮化镓
-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1527991 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337276 
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化镓属于第三代半导体材料，相对硅而言，氮化镓间隙更宽，导电性更好，将普通充电器替换为氮化镓充电器，充电的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子特性，可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件，如晶体管、集成电路和光电器件。
2023-02-15 18:01:014179 来源：《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来，芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破，在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显现。其中，氮化镓凭借着在消费产品快充电源领域的如
2023-02-17 18:13:204107 纳微半导体如何在氮化镓上造芯片？ 作者丨 周雅 刚刚过去的10月底，纳微半导体（Navitas Semiconductor）成功在纳斯达克上市，上市当天企业价值10亿美元。1个月后，纳微半导体再进
2023-02-21 14:57:11
0 领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了
2023-02-22 13:48:053 氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料，具有许多优异的电子、光学和机械性质，因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子和光学性质，也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:151497 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021876 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护电路，适用于高功率密度充电器、适配器和辅助电源应用。
2023-04-25 11:38:45724 
氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:4613934 2021年是氮化镓技术大规模商用的一年，也是合封氮化镓芯片快速发展的一年。东科半导体继推出国内外首颗合封氮化镓快充芯片以来，持续深耕合封工艺，推出了适用于不同功率范围的高集成氮化镓芯片。在3月26日
2022-06-21 09:48:084006 
电子展上，纳微半导体带来不少新品，包括最新发布的GaNSense Control合封技术、第五代MPS碳化硅肖特基二极管和大功率SiCPAK模块，进一步开发工业、家电、数据中心服务器、电动汽车等市场。 纳微半导体高级现场应用工程师罗月亮对电子发
2023-08-01 16:36:192934 
纳微半导体利用横向650V eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低
2023-09-01 14:46:041591 
纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆
2023-09-07 14:30:151913 氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
2023-09-13 16:41:453102 作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:331748 
随着科技的不断发展，无线通信、射频设备和微波应用等领域对高性能功率放大器的需求不断增加。为满足这些需求，半导体行业一直在不断寻求创新和进步。其中，氮化镓功率芯片已经成为一项引领潮流的技术，为高频、高功率应用提供了全新的解决方案。
2023-10-18 09:13:142240 
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片，以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景，如音频、视频、计算还是其他应用场景。不同的场景对氮化镓芯片的性能和特点要求不同，因此在选择氮化镓芯片时，要充分考虑应用的场景。
2023-10-26 17:02:181576 ，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点，以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓（GaN）是一种半导体
2023-11-21 16:15:3011012 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程和所
2023-11-24 11:15:206433 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:221799 氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:242956 随着信息技术和通信领域的不断发展，对高性能芯片的需求也越来越大。作为半导体材料中的重要组成部分，氮化镓芯片因其优异的性能在近年来受到了广泛关注。本文将详细介绍氮化镓芯片的基本原理及其应用领域，并
2024-01-10 09:25:573841 氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:324486 氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓芯片和硅芯片的特点和差异。 首先，从材料属性上来看，氮化镓芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、芯片制备、工厂测试和封装等。 首先，氮化镓芯片
2024-01-10 10:09:414136 氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化镓
2024-01-10 10:11:392150 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:041476 加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:442671 在科技日新月异的今天，充电技术正不断取得新的突破。近日，纳微半导体宣布其先进的GaNFast氮化镓功率芯片被联想两款全新充电器所采用，为消费者带来了前所未有的快充体验。这两款充电器分别是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，纳微半导体推出了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能，在手机和笔记本电脑充电器、电视电源以及固态照明电源等多个领域展现出了巨大潜力。
2024-10-17 16:02:311138 辉煌的十年。 如今，纳微在氮化镓产品线上不断拓展，最近重磅发布全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim，其凭借最高级别的集成度和散热性能，可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，进一步
2024-10-23 09:43:592386 
专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，自成立以来，始终致力于推动氮化镓技术的创新与应用。公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品线覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片以及模组等多个领域，能
2025-01-02 14:36:301526 近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081238 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:393004 
日讯——纳微半导体宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过 AEC-Q100 和 AEC-Q101 两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。 纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族， 集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能
2025-04-17 15:09:264304 
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升4%、系统成本降低15%、PCB占位面积缩小40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出 全新专为电机驱动
2025-05-09 13:58:181262 
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