以上，这也是目前氮化镓在手机充电器上广泛被应用的重要原因。 氮化镓GaNFast TM 是纳微半导体此前被广泛应用的氮化镓功率芯片系列，纳微半导体销售营运总监李铭钊介绍到，目前全球超过140款量产中的充电器都采用了纳微的方案，大约150款
2021-11-26 09:42:13
6891 纳微 (Navitas) 半导体宣布，将在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC) 上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。
2017-10-30 11:54:4814245 今年2月，纳微半导体发布了宽禁带行业首份可持续发展报告。报告指出，每颗出货的清洁、绿色氮化镓功率芯片可节省 4 kg CO2排放，GaN有望节省高达 2.6 亿吨/年的二氧化碳排放量，相当于 650
2022-06-15 18:19:511086 
前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502392 
氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布，戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091790 
高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成， 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:321257 
— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布 全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™ ，其凭借 最高级别的集成度和散热性能 ，可为 手机
2024-10-17 16:31:091305 
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
和意法半导体今天联合宣布将硅基氮化镓技术引入主流射频市场和应用领域的计划，这标志着氮化镓供应链生态系统的重要转折点，未来会将MACOM的射频半导体技术实力与ST在硅晶圆制造方面的规模化和出色运营完美结合
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
ODM和一级供应商可以使用Silicon Labs的Si827x隔离式半桥栅极驱动器来构建系统。这些驱动器符合AEC-Q100标准，符合汽车半导体器件的标准质量和文档要求。高压氮化镓电源在电源行业有些独特
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器（DSP），也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构，而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料，已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
应用范围也越来越广。据报道，美国特斯拉公司的马达驱动逆变器使用的是碳化硅半导体。另外，很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体，其内部电路在高压
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
和分析，详细列举氮化镓与传统的MOSFET设计上的区别，PCB LAYOUT相关注意事项等。第三步：电路测试和优化技巧通过从低压到高压、从低频到高频、从控制信号到主电路工作、从开环到闭环等多方面的调试
2020-11-18 06:30:50
带半导体，相比常规的硅材料，开关速度更快，具有更高的耐压。在降低电阻的同时，还能提供更高的过电压保护能力，防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS，氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 纳微半导体今日正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 纳微半导体（Navitas Semiconductor）是全球氮化镓功率芯片的开创者，成立于2014年，总部位于爱尔兰，在深圳、杭州、上海都拥有销售和研发中心。纳微半导体拥有一支强大且不断壮大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 纳微半导体宣布，在为期三天的2021年慕尼黑上海电子展上，成功完成一系列GaNFast™ 大功率氮化镓工业应用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息，并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:212061 
截至 2021 年 5 月，超过 2000 万片纳微 GaNFast™️ 氮化镓功率芯片已经成功出货。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化镓充电器，采用了纳微半导体 NV6115 GaNFast 氮化镓功率芯片。该芯片采用 5×6mm 的 QFN 封装，并且采用高频软开关拓扑，集成氮化镓开关管、独立驱动器以及逻辑控制电路。
2021-08-24 09:48:102573 
氮化镓（GaN）是下一代半导体技术，它的器件开关速度比传统硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201780 纳微半导体今日宣布，小米正式发布新款智能手机小米 Civi，配备采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的 55W 氮化镓充电器。
2021-10-08 11:45:092410 
氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体（“纳微”）的股票，正式开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:311289 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:562302 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:312749 氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体宣布，正式成为全球首家获得顶尖碳中和及气候融资顾问机构Natural Capital Partners颁发的CarbonNeutral®公司认证的半导体公司。
2022-06-06 14:48:112763 下一代氮化镓功率芯片 助力RedmiBook Pro实现轻巧快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多2022年6月29日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
2022年7月26日，Anker安克创新举办“2022安克旗舰新品发布会”，5款氮化镓“芯”品强势降世。纳微半导体联合创始人兼首席执行官Gene Sheridan现身直播间，揭秘纳微如何助力
2022-07-29 16:17:441027 
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件
2022-11-30 14:52:251383 
极具战略意义的硅控制器技术，加速GaN和SiC市场推进，抢夺传统硅功率器件在多元化市场中的份额。 加利福尼亚州托伦斯，2023年1月19日讯：唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-02-02 16:17:44813 
器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。 氮化镓技术是指一种宽带隙半导体材料，相较于传统的硅基半导体，具有相对宽的带隙。所以宽带隙器件可以在高压、高温、高频率下工作。
2023-02-03 14:14:454119 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1527982 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:562410 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。
2023-02-12 13:52:271619 氮化镓属于第三代半导体材料，相对硅而言，氮化镓间隙更宽，导电性更好，将普通充电器替换为氮化镓充电器，充电的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 来源：《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来，芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破，在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显现。其中，氮化镓凭借着在消费产品快充电源领域的如
2023-02-17 18:13:204101 纳微半导体如何在氮化镓上造芯片？ 作者丨 周雅 刚刚过去的10月底，纳微半导体（Navitas Semiconductor）成功在纳斯达克上市，上市当天企业价值10亿美元。1个月后，纳微半导体再进
2023-02-21 14:57:11
0 领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了
2023-02-22 13:48:053 氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
2023-03-03 10:14:391395 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021876 
全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性
2023-03-28 14:19:531041 
早前，纳微半导体率先凭借氮化镓功率芯片产品，踩准氮化镓在充电器和电源适配器应用爆发的节奏，成为氮化镓领域的头部企业。同时，纳微也不断开发氮化镓和碳化硅产品线，拓展新兴应用市场。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934 
，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点，以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓（GaN）是一种半导体
2023-11-21 16:15:3011008 氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:242956 氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓芯片和硅芯片的特点和差异。 首先，从材料属性上来看，氮化镓芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:041476 纳微半导体，作为功率半导体领域的佼佼者，以及氮化镓和碳化硅功率芯片技术的引领者，近日宣布将亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展。届时，纳微半导体将设立一个独特而富有未来感的“纳微芯球”展台，充分展示其最新氮化镓和碳化硅技术，引领观众领略全电气化的未来世界。
2024-03-16 09:40:581412 在电力电子领域，纳微半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术，已成为行业内的佼佼者。近日，该公司受邀参加6月11日至13日在德国纽伦堡举行的PCIM 2024电力电子展，并在“纳微芯球”展台上展示其最新技术成果。
2024-05-30 14:43:081171 加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:442671 在科技日新月异的今天，充电技术正不断取得新的突破。近日，纳微半导体宣布其先进的GaNFast氮化镓功率芯片被联想两款全新充电器所采用，为消费者带来了前所未有的快充体验。这两款充电器分别是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，纳微半导体推出了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能，在手机和笔记本电脑充电器、电视电源以及固态照明电源等多个领域展现出了巨大潜力。
2024-10-17 16:02:311138 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）十年前纳微半导体作为氮化镓行业的先锋，成功地将氮化镓功率器件带入消费电子市场，帮助客户打造了许多氮化镓充电器的爆款产品，也推动了“氮化镓”的认知普及，当然也成就了纳微
2024-10-23 09:43:592386 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081237 
GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布于下月发布全新的功率转换技术，将触发多个行业领域的颠覆性变革。该创新涵盖半导体与系统级解决方案，预计将显著提升能效与功率密度，加速氮化镓和碳化硅技术对传统硅基器件的替代进程。
2025-02-21 16:41:10867 近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 宣布将参加APEC 2025，展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车和移动设备领域的应用新突破。
2025-02-25 10:16:381786 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:393001 
纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现 加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264301 
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升4%、系统成本降低15%、PCB占位面积缩小40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出 全新专为电机驱动
2025-05-09 13:58:181260 
关系 ，正式启动并持续推进业内领先的 8英寸硅基氮化镓技术生产。 纳微半导体预计将使用位于台湾苗栗竹南科学园区的力积电8B厂的
2025-07-02 17:21:091548 
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布一项重要人事任命：纳微董事会已决定聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起正式履职。同时，Chris
2025-08-29 15:22:423924 纳微半导体正式发布专为英伟达800 VDC AI工厂电源架构打造的全新100V氮化镓，650V氮化镓和高压碳化硅功率器件，以实现突破性效率、功率密度与性能表现。
2025-10-15 15:54:592482 
电子发烧友App
工商网监
评论