纳微半导体邀您相约CES 2025

近日， 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 将参加于2025年1月7日-10日在拉斯维加斯举办的2025年国际消费电子展览会（CES 2025），全面展示在AI数据中心、电动汽车和移动快充取得多项重大突破。近日，纳微半导体连续第三年入榜德勤北美高成长科技企业500强。

在本次CES上，纳微半导体将展示如何用代表清洁能源的下一代功率半导体——氮化镓和碳化硅来取代传统硅，践行Electrify our World的使命。展示的最新技术专为那些对效率和功率密度要求极高的高增长市场而设计，如AI数据中心、电动汽车和移动设备领域。此外，纳微还将揭秘氮化镓和碳化硅技术如何助力减少碳足迹，实现到2050年预计每年可减少超过60亿吨二氧化碳排放的宏伟目标。

主要的展品及技术亮点包括：

全球唯一的650V

GaNFast双向氮化镓功率芯片

具有革命性意义的氮化镓技术，适用于对效率和功率密度要求最高、复杂度最低且能显著减少元件数量的下一代解决方案。

全球首款8.5kW

AI数据中心服务器电源

见证全球首个为AI和超大规模数据中心打造的8.5kW OCP电源解决方案，其效率达98%。该方案采用大功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分别用于三相LLC拓扑结构和三相交错CCM TP-PFC结构，可实现最高效率、性能以及最少的元件数量。

全球功率密度最高的

AI数据中心服务器电源

采用纳微大功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，为最新的AI GPUs打造了体积最小的4.5kW电源，满足搭载最新AI GPUs机柜增长了3倍的功率需求，可实现137W/in3的全球最高功率密度以及超过97%的效率。

搭载IntelliWeave专利数字控制技术的

AI数据中心服务器电源

采用了高功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合设计，PFC的峰值效率高达99.3%，相较现有方案降低30%的功率损耗。

符合AEC-Q101车规认证的

第三代快速碳化硅MOSFETs

凭借着超20年的碳化硅创新领导地位，GeneSiC推出全球领先的第三代快速碳化硅功率器件，基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。

集成之巅，易用至极的

GaNSlim氮化镓功率芯片

全新一代高度集成的氮化镓功率芯片，以最高水平的集成度和散热性能，将进一步简化并加速小型化、高功率密度应用的开发。目标应用包括移动设备和笔记本电脑充电器、电视电源以及高达500W的照明系统。

为耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模块

采用行业领先的“沟槽辅助平面栅”技术和环氧树脂灌封，提高功率循环次数和持久可靠性，碳化硅封装模块外形紧凑，为电动汽车充电、驱动器、太阳能和储能系统（ESS）等应用提供具有成本效益、高功率密度的解决方案。

领先的GaNFast

和GeneSiC技术新进展

为马达驱动打造的GaNSense功率芯片，具备双向无损电流感测、电压感测和温度保护功能，进一步提升性能和稳健性，是任何分立氮化镓或分立硅器件无法企及的水平。

专门针对电动汽车牵引模块优化的GeneSiC MOSFET裸片，经过额外筛选和镀金金属化处理以用于烧结。

符合可持续发展的解决方案

了解纳微半导体的愿景，即通过提供更高效率、密度和电网独立性的技术，实现到 2050 年每年减少多达60亿吨二氧化碳排放的宏伟愿景。

本次纳微半导体在CES 主会场不设展台，纳微的最新技术和展品及会谈地点位于：Tech West / Venetian（威尼斯人酒店）的29-335套房。

衷心期待与您在CES上相见，共同探索全电气化未来的无限可能！

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。