纳微半导体将携下一代高功率、高可靠性功率半导体亮相PCIM 2024

为快充、功率转换和储能、电机驱动等应用，打造最安全、最高效、最可靠的功率器件的最新氮化镓和碳化硅技术即将闪耀全球顶尖的电力电子盛会

加利福尼亚州托伦斯2024年5月21日讯 —GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）诚邀观众参加6月11日-13日在德国纽伦堡举行的PCIM 2024并造访“纳微芯球”展台，亲自探索下一代行业领先的氮化镓和碳化硅方案如何在20W-20MW的快速增长市场和应用中提供卓越性能。

作为“电力转换与智能运动”领域的专业盛会，PCIM今年步入第二十五个年头，凭借着多年来持续为电力电子的行业专家提供国际化交流和展示平台而享誉全球。

秉承着“Electrify Our World”的使命，纳微半导体诚邀观众探索“纳微芯球”展台，了解下一代氮化镓和碳化硅技术如何为全电气化交通运输、AI数据中心、工业压缩机，马达和机器人技术、可再生能源开发和存储提供最新的解决方案。每件展品都强调了如便携性提高、续航里程更长、充电速度更快和电网独立性等对终端用户带来的显著优势，以及低碳的氮化镓和碳化硅技术如何在2050年实现每年减少超过60亿吨的二氧化碳排放。

纳微半导体欧洲区销售高级总监Alessandro Squeri

“PCIM是电力电子行业的年度大事件之一。性能互补的GaNFast和GeneSiC产品组合，结合全面的、针对特定应用的系统设计支持，通过可持续的性能优势有效加速客户的产品上市时间。

纳微展台即将展示一批令人振奋的最新氮化镓和碳化硅应用，这些应用的在研客户价值达16亿美元，是高达220亿美元/年的市场机遇的重点部分。”

在PCIM 2024上，纳微半导体带来以下最新技术：

安全、可靠的大功率旗舰GaNSafe宽禁带平台

创下集成度新高度的第四代GaNSense Half-Bridge半桥氮化镓功率芯片

为电机驱动和能量存储应用带来颠覆性改变的第三代快速GeneSiC功率FETs。

同时，纳微半导体还将在PCIM 2024上带来经行业评审后的精彩技术分享，包括：

演讲

SESSION

“Low-Cost High-Density 300 W / 20 V AC-DC Converter Enabled by GaN Power ICs”

时间与地点：

6月11日，13:00 – 14:30，10.1厅

演讲者：

Alfred Hesener，纳微半导体工业应用高级总监

摘要：

该报告将分享一种300W的高功率密度、低成本AC-DC转换器，其体积仅270cc，峰值效率> 96%。其电路拓扑包括一个两相交错式PFC输入级，一个LLC DC-DC级和一个同步整流输出级。基于氮化镓功率芯片和运行在300 kHz的通用控制器全新设计，在装壳后可实现1.1W/cc的功率密度。

论文

PAPER

Evaluation of SiC Devices for Over 500 kHz Application Based on Buck Circuit

时间与地点：

6月12日，15:30 – 17:00，前厅

作者：

贾民立，纳微半导体高级主任应用工程师

摘要：

本文选择了三个规格相似、制造商不同的1200V碳化硅器件进行分析和实验研究，并设计了一个输出功率为3.6kW、开关频率为600 kHz的降压转换器。在相同的工作条件下测试了这三种碳化硅器件的效率和热，结果表明具有快速开关特性和低热阻的碳化硅器件更适合在高频转换器应用，GeneSiC 的碳化硅器件是其中的代表。

PCIM 2024将于6月11日-13日在德国纽伦堡展览中心（Messe Karl-Schönleben-Str. Messeplatz 1, 90471 Nürnberg, Germany）盛大举办，“纳微芯球”展台位于9号馆，展位号544，欢迎大家莅临展台参观交流。

审核编辑：刘清