纳微半导体GaNFast氮化镓功率芯片加速进入快充市场

氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。

GaN是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快20倍，功率提升3倍，节能40%，充电速度提高3倍，而尺寸和重量减半。GaNFast功率芯片集成了GaN器件，驱动，保护和控制功能，拥有体积轻便、快速和高效的性能。截止目前，超过4000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片已发货，和GaN相关的终端故障率为零。

采用GaNSense技术的NV613x和NV615x系列智能GaNFast氮化镓功率芯片的连续运行额定电压已从650V升级到700V，瞬态条件下的额定电压为800V，更高的额定电压可实现更高效的电力变压器电路设计，并为世界上一些电压不稳定、变化区间大且具有极端电压尖峰的电网的地区提供更高的功能，自主系统级监控和反应确保在 30 ns 内实现“检测和保护”——比离散架构快 10 倍。

纳微半导体首席运营官，首席技术官兼联合创始人Dan Kinzer 表示：“GaNFast氮化镓功率芯片已在移动快充市场上提供了最高的可靠性和最高的性能，纳微半导体的工程、质量和应用团队将继续提供领先的下一代技术，采用经过验证的数据驱动方法，使客户能够在电源转换和快充充电器设计方面进行积极创新，并扩大其应用到全球更多行业和领域。

在签署保密协议后，客户和设计合作伙伴可以立即获得更新的数据表和可靠性报告。

审核编辑：彭菁