TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术，EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流，进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器
2022-05-30 15:10:15
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已经扩充其短路额定IGBT产品组合，为电机驱动设计者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低损耗和短路耐用性至关重要的三相电机驱动应用
2012-09-10 09:59:45880 英飞凌科技股份有限公司扩展其第叁代逆导 （RC） 软切换绝缘闸双极性电晶体 （IGBT） 产品系列，推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品，以因应市场对高可靠性的持续需求。
2012-10-24 09:14:361485 大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:348342 
针对工业驱动应用的技术需求，在最新一代模块中，与IGBT7搭配使用的续流二极管（FWD），也已进行了优化。
2020-01-06 16:53:072172 相比前几代产品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能带来更高功率密度，大大降低损耗，并实现对电机驱动应用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00986 半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大
2023-08-07 11:12:56898 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:491311 
™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线
2024-03-14 11:07:581205 
沟槽设计，该产品具有卓越的控制能力和性能。这大大降低了损耗，提高了效率和功率密度。该产品组合包括三款新产品IM12B10CC1、IM12B15CC1和 IM12B20EC1，其电流规格从
2024-08-12 16:35:02998 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
G002”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家开始量产内置功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，产品阵容不断扩大，并拥有达1200V、300A的产品，各产品在众多领域中被广为采用。随着
2018-12-04 10:20:43
二极管本器件采用了最新的半导体技术［1、2］：IGBT4和EmCon4二极管。英飞凌推出的全新1200V IGBT4系列，结合改进型发射极控制二极管，针对高中低功率应用提供了三款产品，可面向不同应用满足
2018-12-07 10:23:42
要确定主电路拓扑结构，这个和IGBT选型密切相关，额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数，引线方式
2022-05-10 10:06:52
对应很大的脉冲电流。驱动较长信号线缆的器件要注意使用缓冲电路。注意线缆阻抗匹配失调所可能导致的额外电流等等。本文的篇幅较长，主要的目的就是希望引起对IGBT驱动芯片额定输出功率密度相对不足的重视。如果
2018-08-14 15:05:21
二极管方面已经做出了许多努力。这些新一代二极管的主要开发采用体晶圆、薄晶圆技术、n+背表面接触、激光退火和多质子注入，均用于二极管制造［1-5］。本文介绍了具有不同额定电流的1700V软恢复二极管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
我需要24V降压15V 的降压模块，但是降压模块的额定电流 有什么用，根据什么选择额定电流的大小；还有如果需要24V 的电源，但是如何选择改用多大其额定电流希望前辈们指教！！！感谢
2022-02-19 17:12:32
。所有这些应用都需要具备更高功率密度的先进半导体系统。此类功率模块的决定性要素是出色的可靠性、坚固性和长使用寿命。 图1 英飞凌1200V功率模块振动条件下的坚固性和可靠性不仅是牵引应用关注的焦点，同时也
2018-12-03 13:49:12
而言。为满足这种产品的各种要求，采用全套功率模块常常是比较有利的。这可确保改善热管理、降低寄生电感，并大幅提高整体性能。在这里，采用这种全新的器件，可显著减少器件的数量。图3的例子显示了在功率模块
2018-12-07 10:21:41
VF）和最先进的耐用性，提供了额外的自由度，通过较低的额定电流以较低的成本实现了高效率和可靠性，同时降低了工作温度并延长了应用寿命。它们确保与每个需要极高功率密度和效率的开关模式转换器和逆变器完美匹配
2020-06-30 16:26:30
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆变器控制所需的 PWM 信号。主要特色 三相逆变器系统具有：额定电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块。（支持多家供应商）7 个增强型隔离式
2018-12-27 11:41:40
) IGBT与非穿通(NPT)型IGBT(图3 a与b)，过渡到目前国际最新的沟槽栅场截止(Trench+FS)技术(图3 c)。针对焊机产品的1200V系列正是采用了这一最新技术。相对于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
的概念。例如：功率电感器的额定电流有两种，它们之间存在这怎样的差异呢？ 想了解它们之间的差异，首先就得了解存在两种额定电流的原因。功率电感器的额定电流有"基于自我温度上升的额定电流"
2017-06-10 10:15:58
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
℃下的功率循环能力3 IHM B模块的新型引出端设计由于新型芯片技术使得电流密度不断增加，现有的模块必须要能容纳标称电流值高达3600A的1200V和1700V芯片。3.1 IHM A模块的缺陷与局限
2018-12-03 13:51:29
描述对于具有较高输出额定功率的电源转换设备而言，并联 IGBT 变得很有必要，因为在这类应用中，单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。此 TI 设计采用一个增强型隔离式 IGBT 栅极控制模块来
2018-12-07 14:05:13
快，效率高，具有卓越的热性能和系统可靠性，总面积为700mm2，输出功率为48W。输入电压为60V，输出电压为1V，电流50A，开关频率600kHz时，48V的效率为88%，如图3所示。模块效率峰值为91
2019-07-29 04:45:02
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
封装中容纳更多的硅，从而实现比分立QFN器件更高的功率密度。这些器件还具有带裸露金属顶部的耐热增强型DualCool™封装。因此，尽管仍存在一些情况，即电动工具制造商可能更倾向于使用TO-220 FET来
2017-08-21 14:21:03
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
` 功率电感选型关键因素-额定电流？在实际的电源设计中，功率电感的选择尤为关键。在DC-DC转换器中，电感器是仅次于IC的核心元件。通过选择恰当的电感器，能够获得较高的转换效率。在选择电感器时所
2019-07-06 16:10:32
时间内（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），该器件具备出类拔萃的开关性能和短路鲁棒性。结论利用英飞凌新型650V IGBT4可开发出专用于大电流应用的逆变器设计，以部署
2018-12-07 10:16:11
_E 400A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?盐城高价回收收购英飞凌IGBT模块FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收购
2021-09-17 19:23:57
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的
2023-02-07 14:38:49
（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范
2023-02-24 14:45:08
附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可
2023-02-24 15:28:34
40-140A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。 产品特点 ：得益于著名的英飞凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
电感的额定电流额定电流是指能保证电路正常工作的工作电流。有一些电感线圈在电路工作时，工作电流较大，如高频扼流圈、大功率谐振线圈以及电源滤
2009-08-22 14:32:355949 IR针对汽车应用推出1200V绝缘IGBT AUIRG7CH80K6B-M
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
2014年12月2日，慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式 IGBT 产品组合，推出新型 TO-247PLUS 封装，可满足额定电流高达 120A 的 IGBT封装，并在相同的体积和引脚内装有满额二极管作为 JEDEC 标准TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049176 系列（1200V，600A）可为设计师提供显著更高的额定电流，能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。
2016-10-25 16:29:153345 IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求，适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电和蓄电等。
2018-06-04 08:31:002707 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反
2018-05-18 09:04:002436 基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，针对工业电机驱动应用进行芯片优化，实现更高功率密度与更优的开关特性。
2018-06-21 10:10:4413292 新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
英飞凌日前利用采用先进中性点钳位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓扑结构，将混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V。该
2019-09-14 10:56:005286 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）为其1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7系列推出新的电流额定值模块。
2020-04-30 11:52:394967 。 IGBT7 T7主要针对工业电机驱动应用、PFC和PV/UPS应用。 特 性 低Vce(sat) 1.35V EMI性能增强 耐湿性得到改善 650V击穿电压和3us短路能力 IGBT饱和压降低
2020-10-22 09:33:304118 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:023163 该IPM封装为DIP 36x23D。这使得它成为最小的1200V IPM封装，在同类产品中具有最高的功率密度和最佳性能。
2021-06-30 11:03:562491 IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。 伺服驱动系统响应速度快，过载倍数高，小型化和高功率密度的趋势更是对功率器件提出了更苛刻的要求。英飞凌明星产品IGBT7凭借超低导通压降、dv/dt可控、175℃过载结温
2021-10-26 15:41:193924 
电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件的阵容。 新模块在安装方式上与广泛
2022-02-01 20:22:025818 本文将介绍实现更高电源功率密度的 3 种方法，工艺技术创新、电路设计技术优化、热优化封装研发
2022-12-22 11:59:591604 
英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于
2023-02-16 16:30:582132 提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:582171 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名
2023-03-31 10:52:071468 /引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机等
2023-05-31 16:51:272456 、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:534679 
封装的功率密度上限。目标应用领域：1200VP7模块首发型号有以下两个：相比于以前的IGBT4或IGBT5产品，新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:101725 采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例
2023-12-05 15:06:062055 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二极管续流产品的优点。秉承"越多越好"的宗旨，英飞凌最近拓展了IGBT7和EC7
2023-12-11 17:31:131209 的可能性大幅降低。在功率模块中，IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此，通过将功率模块的最高结温提升到175 °C，输出电流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:501483 
短时额定电流和长时额定电流的区别有哪些？ 短时额定电流和长时额定电流是两种与电流相关的术语，用来描述电器或电气设备能够承受的最大电流负载。它们在定义、应用和重要性等方面存在一些区别。在本文中，我将
2024-01-30 16:51:592727 隔离开关的额定电流。 电气设备的额定电流：隔离开关用于控制电气设备的通断，因此需要根据电气设备的额定电流来选择隔离开关的额定电流。一般情况下，隔离开关的额定电流应大于或等于电气设备的额定电流，以确保开关能够
2024-02-05 15:25:059106 IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。H7
2024-02-23 08:13:151162 英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减，本文为大家整理针对该产品系列的常见问题，一看就懂，牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了哪些可靠性测试？答：IGBT不论单管和模块都需要通过
2024-03-05 08:17:271349 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。 H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:541110 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 ）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700VIGBT7技术开发
2024-03-26 08:13:042257 合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析
2024-05-31 15:22:381195 
的基于英飞凌IGBT7技术的新一代高功率密度2MW储能变流器PCS，使用英飞凌最新的EconoDUAL3封装的750
2024-06-14 08:14:242480 
，对于保证电气设备的安全运行具有重要意义。 额定电流的计算方法 额定电流的计算方法通常有两种：一种是根据设备的额定功率和额定电压计算，另一种是根据设备的热容量和允许温升计算。 （1）根据额定功率和额定电压计算 额定
2024-07-10 14:35:4211369 第七代工业IGBT模块已成功开发用于650V和1200V级，以满足高效率、高功率密度和高可靠性等重要电力电子系统要求。与低损耗第七代芯片组结合的SLC技术在热循环能力、无“泵出故障”封装和低热阻
2024-08-01 10:58:011504 
的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL3Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。产品型号：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二极管EmCon7技术。由于采用了最新的微沟槽设计，该产品具有卓越的控制能力和性能。这大大降低了损耗，提高了效率和功率密度。该产品组合包
2024-08-14 08:14:45958 Emcon7技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片，该产品具有卓越的控制能力和性能，这大大降低了损耗，提高了效率，并增加了功率密度。产品组合包括从10A，15A和20A三种新
2024-10-09 08:04:051202 新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK
2024-11-14 01:03:501615 采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800A的额定电流，是传统1200V IGBT功率模块的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192864 
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
2024-11-27 14:58:201444 
新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品EasyPACK封装图采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7
2024-12-04 01:04:011916 ，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micropatterntrench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且
2025-01-15 18:05:212265 新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3产品系列拓展英飞凌在此发布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列产品拓展，带焊接针和带预涂导热材料版本(TIM)。产品
2025-04-09 17:06:26780 新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiCMOSFETM1H增强型1代、集成NTC温度传感器
2025-04-17 17:05:15805 新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 的CoolSiCMOSFET1200VG2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电
2025-08-01 17:05:091507 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的栅氧层可靠性和优异的高温特性，专为高压、高频、高温应用设计。相比传统硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 推出全新DualPack 3（DP3）系列电源模块。该系列模块采用先进IGBT7技术，提供1200V和1700V两种电压等级的六款产品，额定电流范围300–900A，旨在满足市场对紧凑、经济高效且简化的电源转换器解决方案的日益增长需求。
2025-09-17 15:45:45914 11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体
2025-11-26 09:32:50572 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析 在电力电子领域，栅极驱动器是驱动功率半导体器件（如IGBT和SiC MOSFET）的关键组件。今天我们来详细探讨英飞凌
2025-12-20 14:25:02658
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